Техническом институте

организацию и порядок проведения работ по техническому обслуживанию и ремонту для заданных условий эксплуатации. Примером системы технического обслуживания и ремонта является система планово-предупредительного ремонта (ППР), включающая планирование, подготовку и реализацию технического обслуживания и ремонтов определенных видов с заданной последовательностью и периодичностью.

Сущность системы ППР заключается в том, что каждый технологический агрегат (оснастка), отработавший определенное число часов, подвергается техническому обслуживанию и плановым ремонтам, чередование и периодичность которых зависят от конструктивных особенностей габаритов агрегатов и условий их эксплуатации. Важнейшими нормативами ППР являются структура ремонтного цикла, продолжительность ремонтных циклов /р.ц, межремонтных периодов /мр, цикла технического обслуживания /ц.т о, категории сложности ремонта, нормативы трудоемкости. Структура ремонтного цикла представляет собой состав и последовательность выполнения ремонтных работ и работ по техническому обслуживанию в период между двумя капитальными ремонтами или между вводами оборудования в эксплуатацию и первым капитальным ремонтом. Межремонтным периодом называется период работы оборудования между двумя последовательными ремонтами. Циклом технического обслуживания называется период работы оборудования между двумя очередными техническими обслужи-ваниями или между очередным плановым ремонтом и техническим обслуживанием. Степень сложности ремонта агрегата (оснастки), их ремонтные особенности оцениваются категориями сложности ремонта R. Категория сложности ремонта характеризуется трудоемкостью ремонтных работ.

Надежность УВУ и УВК при необходимости длительного функционирования весьма сильно зависит от степени их приспособленности к техническому обслуживанию (в первую очередь от ремонтопригодности) в конкретных условиях эксплуатации. Этот показатель может в ряде случаев оказаться основным при выборе варианта построения отказоустойчивых УВУ и УВК.

ко на одиночную ошибку и, кроме того, в них самих могут возникать отказы. Комплексы с реконфигурацией не позволяют полностью исключить задержки в реализации управляемых функций, так как требуется определенное время на процедуры селекции сбоев и отказов и процедуры рестартов. Приспособленность к техническому обслуживанию (ремонтопригодность и др.) фактически остается аналогичной приспособленности обычных машин.

Ремонт выключателей сводится в основном к регулярному техническому обслуживанию и в случае необходимости к замене пришедших в негодность деталей на новые из числа запчастей. Изготовление каких-либо вышедших из строя деталей своими силами не рекомендуется, кроме оговоренных ниже.

В типовой объем работ по техническому обслуживанию электрооборудования или устройства входят: очистка от пыли и грязи, смазка трущихся частей, ликвидация видимых повреждений, затяжка крепежных деталей, очистка контактов от грязи и наплывов, проверка исправности кожухов, оболочек, корпусов, замков, ручек; проверка уровня и температуры масла, отсутствия течи, проверка

Инструкция по эксплуатации (ИЭ) должна содержать следующие сведения, необходимые эксплуатирующему персоналу для правильной работы с изделием: а) меры безопасности; б) порядок установки; в) порядок подготовки к работе; г) порядок работы с изделием; д) перечень технических параметров, характеризующих исправное состояние изделия и методы их измерения; е) методы определения неисправного участка схемы или конструкции и методы устранения неисправностей; ж) указания по техническому обслуживанию (профилактическая проверка параметров, настройка, регулировка, смазка и т. п. и периодичность проведения); з) правила хранения и транспортирования.

Формуляр (ФО) составляют на изделия, для которых необходимо вести учет их технического состояния и данных по эксплуатации (учет времени работы, регистрации неисправностей, проведенных работ по техническому обслуживанию, ремонту и т. д.). Формуляр является документом, удостоверяющим гарантированные предприятием-изготовителем основные технические параметры изделия, и содержит следующие сведения: а) основные технические данные; б) состав комплекта постановки (полный перечень всех блоков, запасного имущества, инструмента, принадлежностей и другого имущества, поставляемого с изделием); в) заверенное подписями и печатями свидетельство отдела технического контроля о полном соответствии изделия техническим условиям на него; г) свидетельство о том, что изделие прошло консервацию (если она предусмотрена) и упаковку; д) полный текст гарантийных обязательств изготовителя (в соответствии с ТУ на изделие).

Допущено Главным управлением подготовки и повышения квалификации работников учета ЦСУ СССР в качестве учебного пособия для подготовки электромехаников по техническому обслуживанию и ремонту вычислительной техники

Я 92 Импульсная техника и логические элементы ЭКВМ: Учеб. пособие для подготовки механиков по техническому обслуживанию и ремонту вычислительных машин.— М.: Машиностроение, 1983. 190с., ил. зо к.

Развитие вычислительной техники, создание разнообразных моделей вычислительных машин требуют подготовки квалифицированных кадров для наиболее эффективного использования всех средств вычислительной техники, что является важной народнохозяйственной задачей. Следует отметить, что быстрое увеличение числа и номенклатуры применяемых вычислительных машин порой затрудняет их обслуживание и ремонт. Поэтому пособие адресовано прежде всего специалистам по техническому обслуживанию и ремонту вычислительных машин.

Роль русских и советских ученых в развитии электроники. Представление о полупроводниках как особом классе веществ сформировалось в 30-х годах в связи с разработкой теории твердого тела. Широкое, систематическое исследование свойств полупроводников проводилось в эти годы в Ленинградском физико-техническом институте группой советских ученых под руководством известного физика акад. А. Ф. Иоффе. В нее входили И. В. Курчатов, В. П. Жузе, М. С. Соминский, Я. И. Френкель. В этот период были разработаны основы физики полупроводников, открыты наиболее важные эффекты в полупроводниках, на основе которых работают полупроводниковые приборы.

В 1934 г. сотрудники Центральной радиолаборатории Ю. К. Коровин и Д. И. Румянцев провели решающий эксперимент по применению радиолокации для обнаружения летящего самолета. Через год теоретические основы радиолокации были разработаны Ю. Б. Кобзаревым в Ленинградском физико-техническом институте, директором которого в то время был А. Ф. Иоффе.

техническом институте — Петербургском технологическом институте— в 1884 г. появилась электротехническая специальность.

свойств этого соединения было проведено проф. Б. М. Гохбергом и его сотрудниками в Ленинградском физико-техническом институте. В последнее время исследования по применению элегаза в выключающих аппаратах выполняются в Ленинградском политехническом институте под руководством проф. А. М. Залес-ского и в ВЭИ им. В. И. Ленина М. И. Сысоевым. Элегаз в чистом виде инертен, не имеет запаха, негорюч, нагревостоек до 800° С и нетоксичен. Температура сжижения элегаза — 51° С, что позволяет использовать его в газообразном состоянии при достаточно низких температурах.

Первые образцы меднозакисных вентилей дискового типа созданы в 1928 г. на заводе «Светлана», а пластинчатого типа — в 1937—1938 гг. в Ленинградском физико-техническом институте. Разработка опытных образцов селеновых вентилей была осуществлена заводом имени Козицкого в 1938 г. Впоследствии, во время Великой Отечественной войны, был создан специализированный завод «Электровыпрямитель» для выпуска полупроводниковых вентилей.

В 1964 г. в Харьковском физико-техническом институте была закончена постройка крупнейшего электронного линейного ускорителя на 2 Гэв (43), а в 1966г. в Ереванском физическом институте завершено соору-жение еще более мощного циклического ускорителя электронов, на 6 Гэв. Наконец, в 1967 г. в Серпухове (под Москвой) закончено строительство и осуществлен первый пуск крупнейшего в мире протонного синхротрона на 70 Гэв с жесткой фокусировкой и с замкнутой системой электромагнитов общей длиной 1483 м.

Один из крупнейших представителей отечественной школы физиков-атомщиков, Игорь Васильевич Курчатов родился 12 января 1903 г. в селе Сим быв. Уфимской губернии (ныне Челябинская область) в семье помощника лесничего; в 1923 г. он окончил физико-математический факультет Крымского (Симферопольского) университета и с 1925 г. начал работать в Ленинградском физико-техническом институте, выполняя различные исследования, в том числе в области сегнето-электричества, принесшие ему заслуженную известность 9. В 30-х годах он приступил к работам по ядерной физике. В 1934 г. провел наблюдения ядерных реакций, вызываемых нейтронной бомбардировкой. Через год совместно с Б. В. Курчатовым и Л. И. Русиновым открыл явление ядерной изомерии искусственно-радиоактивных изотопов. Тогда же им и его сотрудниками был введен в действие первый в Европе циклотрон Ленинградского радиевого института, а несколькими годами позднее построен крупнейший по тому времени циклотрон ЛФТИ. В 1943 г. он был избран действительным членом Академии наук СССР.

Впервые гетерофотоэлементы в системе Al—Ga—As были созданы в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе АН СССР [58, 59]. В качестве узкозонного базового материала был использован GaAs, а в качестве широкозонного окна — твердый раствор Al^Ga^As с параметром х > 0.6. В такой гетероструктуре, освещаемой со стороны широкозонного окна, свет с энергией, большей ширины запрещенной зоны (Egl) узкозонного материала и меньшей Е^ широкозонного, поглощается в узкозонном полупроводнике (GaAs) и созданные светом неосновные носители разделяются полем р—га-перехода. Граница раздела в гетеропереходах Al^Ga^As—GaAs вследствие близости параметров решеток контактирующих материалов характеризуется низкой плотностью поверхностных состояний, что позволяет получить в таких гетеропереходах высокую эффективность собирания носителей заряда. Тонкие слои « 1 мкм) твердых растворов Al^Ga^jAs, близких по составу к AlAs (ж=0.8—0.9), практически прозрачны для солнечного излучения, что обеспечивает высокую чувствительность таких фотоэлементов в спектральном интервале Х=0.4—0.9 мкм. Значительный объем исследований, выполненных как у нас в стране, так и за рубежом, привел к созданию гетеро-фотоэлементов в системе Al—Ga—As с высокими фотоэнергетиче-

Опытные образцы наземных СФЭУ с сильноконцентрирующими системами разработаны и созданы в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе АН СССР. В установках используются концентраторы двух типов: параболоидные зеркала и линзы Френеля [67, 68].

Концентраторы диаметром 500 мм и с таким же фокусным расстоянием разработаны и изготовлены в Физико-техническом институте им. С. В. Стародубцева АН УзССР из листового оконного стекла толщиной 3 мм методом моллирования с последующим нанесением отражающего алюминиевого покрытия, защищенного эмалью АК-5164 [69].

физико-техническом институте АН СССР был создан первый в мире термогенератор на полупроводниках. Под руководством акад. А. Ф. Иоффе в СССР созданы научные основы разработки и применения полупроводниковых термогенераторов.