Трассировка соединений

Конструкция изоляции обмотки статора из круглых проводников, расположенных в трапецеидальных полузакрытых пазах, приведена в приложениях 27 и 29.

МДС для зубцов при трапецеидальных полузакрытых пазах статора ( 9-7)

при трапецеидальных полузакрытых /Пщ=1,35(/1 + 20) (2йш +

Конструкция изоляции обмотки статора из круглого провода в в трапецеидальных полузакрытых пазах приведена в приложении 27.

Показатели, характеризующие удельную тепловую нагрузку (<4i/i) статора, определяют так же, как при трапецеидальных полузакрытых пазах. Средние допускаемые значения (4i/i)AOn Для обмотки статора с прямоугольными полуоткрытыми и открытыми пазами приведены на 11-12.

МДС для зубцов при трапецеидальных полузакрытых пазах статора (см. 9-7). МДС определяют по (9-124) — (9-125) и приложениям 8 — 10 (при Ва1^:1,8Тл) или приложениям 14 — 16 (при В31>1,8 Тл). При этом расчетная площадь поперечного сечения зубцов статора (мм2)

Конструкция изоляции обмотки» статора из круглых проводников, расположенных в трапецеидальных полузакрытых пазах, приведена в приложениях 27 и 29.

МДС для зубцов при трапецеидальных полузакрытых пазах статора ( 9-7)

при трапецеидальных полузакрытых mHi=l,35(/i + 20) (2ftni +

Конструкция изоляции обмотки статора из круглого провода в в трапецеидальных полузакрытых пазах приведена в приложении 27.

Показатели, характеризующие удельную тепловую нагрузку (/!]/]) статора, определяют так же, как при трапецеидальных полузакрытых пазах. Средние допускаемые значения (AJi)Mn для обмотки статора с прямоугольными полуоткрытыми и открытыми пазами приведены на 11-12.

МДС для зубцов при трапецеидальных полузакрытых пазах статора (см. 9-7). МДС определяют гю (9-124) — (9-125) и приложениям 8 — 10 (при 531=?^1,8Тл) или приложениям 14 — 16 (при Д)1>1,8 Тл). При этом расчетная площадь поперечного сечения зубцов статора (мм2)

Задача размещения элементов на подложке, трассировка соединений и другие операции могут решаться с помощью ЭВМ. При наличии набора стандартных программ применение машинного метода расчета и размещения элементов и соединений резко сокращает время разработки и дает гораздо меньше ошибок, которые можно легче обнаружить и исправить еще в процессе проектирования.

Третий этап проектирования — разработка топологии микросхем, где решается задача размещения эле-, ментов электрической схемы на поверхности подложки в системе координат кристалла. Затем производится трассировка соединений между элементами и с внешними выводами микросхемы. Для сокращения счета расположение некоторых элементов задается разработчиком. Это касается в первую очередь контактных площадок, некоторых проводников и других элементов топологии.

Наиболее сложным является размещение элементов и трассировка соединений по определенным критериям оптимальности. При разработке каждого вида БИС устанавливают систему критериев получения оптимальной структуры. Однако для любых БИС существуют общие критерии оптимальности, а именно:

Массив резуль- -« ----- татов Эскиз слоя на -* ----- АЦПУ Нет Требуется да ----- ручная -« — коррекция Да Трассировка соединений в слое t Все трассы ТЭЦ построены? Нет Эскизы топологии, спроектированны е вручную 1

Комплекс АРМ-Р используют в основном для расчета и проектирования гибридных БИС (МСБ). При этом на АРМ-Р решаются следующие задачи: расчеты теплового режима и топологии элементов БИС (МСБ); размещение элементов и компонентов произвольной конфигурации на плате; разводка (трассировка) соединений и редактирование топологии БИС (МСБ); выполнение электрических принципиальных схем и подготовка формализованных заданий на моделирование цифровых и анало-

Размещение ячеек БИС. Конструирование БИС часто выполняется с помощью библиотеки топологических фрагментов (БТФ), которые реализуют типичные схемные каскады. Каждый такой фрагмент обычно называют ячейкой и графически условно представляют в виде прямоугольников одинаковой или кратной высоты. Среди основных этапов проектирования БИС на основе ячеек важное значение имеют: 1) размещение элементов из БТФ на коммутационном поле; 2) трассировка соединений между ячейками; 3) коррекция эскиза топологии БИС, составленной из ячеек.

5.3. ТРАССИРОВКА СОЕДИНЕНИЙ ЭЛЕМЕНТОВ БИС

трассировка соединений элементов БИС по заданным критериям качества;

Особенности САПР топологии МДП-БИС. Идеология САПР топологии МДП-БИС ячеечного типа, построенных из библиотечных типовых модулей, оказывается аналогичной рассмотренной выше САПР. На первом этапе производятся компоновка БИС и покрытие ее блоков модулями из библиотеки. Затем выполняются размещение ячеек БИС на коммутационных полях кристалла и трассировка соединений между ячейками с использованием двух слоев коммутации: диффузии и металлизации.

5.3. Трассировка соединений элементов БИС......197

4. Трассировка соединений внутри блока. Критерием оптимальности выполнения данного этапа является минимальная длина соединительных проводников, минимальное число паек. При использовании печатного монтажа основным критерием является реализуемость.