Трапецеидальные полузакрытые

При формировании среза импульса уменьшение коллекторного тока вызывает появление ЭДС е\, еч в обмотках WK и Шб. Их полярность обратна той, которая имела место при формировании фронта импульса. Благодаря действию положительной обратной связи в схеме возникает обратный лавинообразный процесс, во время которого токи коллектора и базы резко уменьшаются и транзистор запирается.

Схема, предназначенная для формирования импульсов, используемых для включения симметричного тиристора ( 63), выполнена на однопереходном транзисторе Т. При подаче напряжения питания С/В1Б2 конденсатор С1 заряжается через резистор R1. Когда напряжение на эмиттере достигает некоторого критического значения, определяемого характеристикой прибора, транзистор отпирается, и конденсатор С1 разряжается через сопротивление эмиттерного перехода транзистора и резистор R3. На резисторе R3 происходит падение напряжения, которое используется в качестве входного сигнала симметричного тиристора. По мере разряда конденсатора С1 напряжение на нем уменьшается до определенного значения, и транзистор запирается. Форма импульсов, формируемых схемой, близка к прямоугольной. С помощью резистора R1 можно регулировать момент включения нагрузки.

В момент времени t\ на базу транзистора Т подают положительный запускающий импульс и транзистор запирается, а конденсатор С начинает заряжаться по цепи --?к, С, R, — Ек (см. 19.9). Таким образом, в течение времени действия запускающего импульса 7", напряжение на конденсаторе растет ( 20.10,6). По окончании действия запускающего импульса, в момент времени /2, транзистор открывается и конден-

Величины t0-1, JH<0>5) определены из (7.50). При этом в первом приближении принято С/выхл ~ ?с~ 0,9Д1/ЛОг (это означает, что ключевой транзистор запирается после задержки г?д). На основании (7.53) получены формулы для t ' , tci; ' и {Зд- Начальная задержка (зд при запирании ключевого транзистора определена по формуле (6.33) подстановкой в нее тср.вх а т3 и ивхш = Д^лог-

переходы транзистора VI смещены в обратном направлении и не пропускают ток. Через резистор Ri и коллекторный переход транзистора VI, смещенный в прямом направлении, в базу транзистора V2 поступает ток, достаточный для насыщения V2. Напряжение на коллекторе V2 близко к нулю (сигнал 0). При подаче хотя бы на один вход транзистора VI нулевого потенциала (сигнал 0) соответствующий эмиттерный переход VI сместится в прямом направлении. Ток от резистора R1 устремится во входную цепь, обладающую меньшим сопротивлением, чем входное сопротивление транзистора V2. В результате ток базы V2 спадает к нулю, транзистор запирается, на его коллекторе устанавливается высокий потенциал, близкий +Е„ (сигнал 1) (сравните с табл. 4.4).

Если в исходном состоянии сердечник намагничен до — Вт, что соответствует состоянию «О», то входной импульс пере-магничивает сердечник до +Вт, переводя его в состояние «1». При этом в базовой и коллекторной обмотках возникает э. д. с. такого знака, что транзистор остается закрытым и на выходе импульс не образуется. При подаче в обмотку VVT тактового импульса в базовой обмотке индуцируется э. д. с., отрицательная относительно базы и отпирающая транзистор. Благодаря положительной обратной связи между коллекторной и базовой обмотками возникает лавинообразный процесс опрокидывания схемы, продолжающийся до полного перемаг-ничивания сердечника. Сердечник насыщается до - Вт, в базовой обмотке э. д. с. не индуцируется и транзистор запирается. Длительность формируемого импульса, снимаемого с резистора в коллекторной цепи, определяется временем перемагничивания сердечника и длительностью переходных процессов в транзисторе. Если ячейки соединяются последовательно, вместо резистора в коллекторную цепь включают входную обмотку следующей ячейки.

Током /с можно управлять, меняя напряжение С/3и или же напряжение С/си- При некотором отрицательном напряжении С/зи запирающие слои верхнего и нижнего переходов могут сомкнуться; поперечное сечение канала при этом равно нулю и транзистор оказывается запертым: /с = 0.. Напряжение С/зи? при котором транзистор запирается, называется напряжением отсечки

Таким образом, при С/си = UCH нас и ^зи <[ вгзи о?с наблюдается почти такой же эффект, как при подаче на затвор отрицательного напряжения ?73и =— #зи отс> но при f/си < ^си нас-Отличие заключается лишь в том, что в последнем случае сопротивление канала Лк -> °° и транзистор запирается, а в режиме насыщения стремится к бесконечности дифференциальное

ток уменьшился, на базовой обмотке трансформатора наводится э. д. с. с полярностью, способствующей запиранию транзистора, и в схеме развивается обратный блокинг-процесс, в результате которого транзистор запирается. Запертое состояние транзистора обеспечивается напряжением на емкости С, полученным в результате заряда емкости базовым током. После запирания транзистора его базовый ток мешяет направление и имеет величину /б = = — /Кбо~0- Емкость С лачинает перезаряжаться через резистор цепи базы /?б по экспоненте с постоянной времени т— /?бС, стремящейся к величине — ?<>.

Пусть в исходном состоянии МДП-транзистор открыт и на нем падает небольшое остаточное напряжение ?7ОСТ. При подаче на затвор скачка запирающего напряжения ?/зи> >t/nop (момент времени to на 4.20) ток в транзисторе спадает практически до нуля с постоянной времени крутизны Т5 = С'з/'кан и транзистор запирается. После момента времени t0 начинается заряд емкости нагрузки Сн от источника питания ЕС через резистор Ra с постоянной времени нагрузки т=Сн/?н (см- 4.18). Выходное (стоковое) напряжение нарастает по экспоненциальному закону:

где /с,, =.SL/noP—начальный ток стока (при {/зи = 0); S — крутизна при больших напряжениях t/си. Эта формула верна только при напряжениях (?/зи—?Аюр)]3*0; при (^зи—t/пор) <0 транзистор запирается и /с =0.

Обмотка статора. Однослойная обмотка статора распространена только у асинхронных двигателей относительно небольшой мощности с Л^1бО мм, двухслойная обмотка статора — в больших асинхронных двигателях, а также в синхронных машинах. Для низковольтных машин (f/^ббОВ) с ft^280 мм обычно применяют трапецеидальные полузакрытые пазы со всыпной обмоткой, в низковольтных машинах с большими значениями h — прямоугольные полуоткрытые, в высоковольтных — прямоугольные открытые пазы с жесткими формованными катушками.

У тихоходных двигателей с /1=280 и 315 мм при 2/9=10 и 12 обычно применяют для повышения энергетических показателей трапецеидальные полузакрытые пазы с двухслойной всыпной обмоткой, хотя при этом надежность обмотки несколько снижается в сравнении с обмоткой из жестких формованных катушек в полуоткрытых пазах. Конструкция изоляции обмотки статора таких двигателей приведена в приложении 29.

Трапецеидальные полузакрытые

Для двигателя № 1 принимаем однослойную всыпную концентрическую обмотку (табл. 9-4) из провода марки ПЭТВ (класс нагревостойкости В), укладываемую в трапецеидальные полузакрытые пазы ( 9-7). Для двигателя № 2 принимаем двухслойную обмотку из жестких катушек (табл. 9-4), выполняемую проводом ПЭТП-155 (класс нагревостойкости F), укладываемую в прямоугольные полуоткрытые пазы ( 9-9).

Для генератора принимаем двухслойную петлевую обмотку с мягкими секциями (см. табл. 9-4) из провода марки ПЭТ-155 (класс нагревостойкости F), укладываемую в трапецеидальные полузакрытые пазы (Приложение 27,е). Для двигателя принимаем двухслойную петлевую обмотку с жесткими секциями (см. табл. 9-4) из провода марки ПЭТП-155 (класс нагревостойкости F), укладываемую в прямоугольные открытые пазы (Приложение 30,6).

Напряжение до 690 В. Пазы трапецеидальные полузакрытые. Обмотка

Напряжение до 660В. 2/?=10,и 12. Пазы трапецеидальные полузакрытые.

Обмотки из круглого провода. 1) машинах с номинальным напряжением до 660 В и мощностью до 100 кВт обмотки выполняют из круглого обмоточного провода и укладывакт в трапецеидальные полузакрытые пазы (см. 3.5). При ручной укладке обмотки проводники предварительно намотанных заготовок катушек укладывают в полузакрытые пазы магнитопровода, поочередно пропуская их через шлиц паза, -

Статоры машин общего назначения напряжением до 660 В, мощностью до 100 кВт имеют трапецеидальные полузакрытые пазы с узким шлицем (см. 3.4) , размерные соотношения которых (ширину верхней и нижней частей и высоту паза) выполняют такими, чтобы зубцы статора имели параллельные стенки. Это уменьшает МДС зубцов по сравнению с зубцами с неравномерной площадью поперечного сечения. Обмотку таких машин выполняют из круглого провода.

Асинхронные двигатели с фазными роторами выпускаются как модификации серии АИР (АИС) в диапазоне высот оси вращения 160 -355 мм в исполнениях по степени защиты IP44— АИРФ (АИСФ) и IP23 -АИРНФ. Обмотки фазных роторов двигателей мощностью до 50 — 60 кВт выполнены из круглого провода, двухслойные, равнокатушечные с укороченным шагом. Пазы ротора - трапецеидальные, полузакрытые. В двигателях большей мощности обмотки стержневые волновые, пазы с параллельными стенками, полузакрытые с узким шлицем. В пазовой части обмотка закреплена клиньями, в лобовой части — бандажами из стальной проволоки или нетканой (бандажной) стаклоленты.

Обмотка статора. Однослойная обмотка статора распространена только у асинхронных двигателей относительно небольшой мощности с Л^160 мм, двухслойная обмотка статора — в больших асинхронных двигателях, а также в синхронных машинах. Для низковольтных машин (?/^с660В) с ft^280 мм обычно применяют трапецеидальные полузакрытые пазы со всыпной обмоткой, в низковольтных машинах с большими значениями h — прямоугольные полуоткрытые, в высоковольтных — прямоугольные открытые пазы с жесткими формованными катушками.