Транзистор включенный

тальном участке характеристики при токе базы 162, то сопротивление транзистора постоянной составляющей тока будет небольшим и значительным для переменной составляющей тока. Таким образом, транзистор выполняет роль дросселя фильтра.

руйте формулу для коэффициента сглаживания Г-образного индуктивно-емкостного фильтра. 6. В каких случаях применяют резистивно-емкостные фильтры? 7. Почему транзистор выполняет роль индуктивной катушки в активном фильтре?

На 3.20 приведена гидравлическая модель, иллюстрирующая принцип работы усилителя на биполярном транзисторе. Здесь транзистор выполняет функции крана, регулирующего поток жидкости, поступающей от источника питания в коллектор и нагрузку.

С помощью транзистора можно усиливать напряжение и мощность постоянного и переменного тока. Усиление происходит за счет энергии источников питания, а транзистор выполняет функцию своеобразного преобразователя, в котором происходит преобразование малого входного сопротивления в большое выходное при том же токе.

ный переход играет роль смещающего диода. Таким образом, мно-гоэмиттерный транзистор выполняет функции четырех диодов и его можно рассматривать как функциональный прибор.

ИМС с инжекционным питанием. На основе транзисторов с ин-жекционным питанием реализуется целый класс ИМС логики. Одноколлекторный транзистор выполняет логическую операцию НЕ ( 4.14). Инвертор с несколькими развязанными выходами р еализуется на многоколлекторном транзисторе.

Отличительным признаком элементов ТТЛ является многоэмит-терный транзистор (см. § 3.3), включенный во входной цепи. Схема простейшего элемента ТТЛ приведена на 7.7. Она содержит входной двухэмиттерный транзистор VT1, в базовой цепи которого включен резистор R1 , и выходной инвертор на транзисторе VT2, в коллекторной цепи которого включен резистор R2. Многоэмиттерный транзистор выполняет логическую операцию И над входными логическими переменными Л и В, а на выходе элемента реализуется функция И-НЕ: С = АВ. Простейшие элементы ТТЛ используют в БИС.

В зависимости от смещения, созданного на эмиттерном и кол-ликторном p-n-переходах, транзистор может работать в трех режимах. Егли один переход смешен в прямом направлении, а другой — в обратном, режим называют активным ( 17.4, а). Если в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный — в обратном, такое включение называют нормальным ( 17.4, б). Если смещение на p-n-переходах противоположное, включение называют инверсным ( 17.4, в). В последнем случае коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер — роль коллектора. Активный режим используется в усилительных схемах, в схемах генерирования, где транзистор выполняет функции активного элемента схемы. Если оба p-n-перехода смещены в обратном направлении, транзистор работает в режиме отсечки. Если оба p-n-перехода смещены в прямом направлении, транзистор работает в режиме насыщения. Режимы отсечки и насыщения используют в кпючевых режимах работы транзистора: режим отсечки соответствует состоянию «отключено», режим насыщения — «Включено». На 17.3 наки потенциалов выводов даны для активного режима.

ном, такое включение называют нормальным ( 1.28, б). Если смещение на р-п-переходах противоположное, включение называют инверсным ( 1.28, в). В последнем случае коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора. Активный режим используется в усилительных схемах, в схемах генерирования, где транзистор выполняет функции активного элемента схемы. Если оба p-n-перехода смещены в обратном направлении, транзистор работает в режиме отсечки -режим работы, когда оба перехода биполярного транзистора смещены s обратном направлении (соответствует состоянию "Выключено"). Если оба p-n-перехода смещены в прямом направлении, транзистор работает в режиме насыщения - режим работы, когда оба р-п-перехода биполярного транзистора смещены в прямом направлении {соответствует состоянию "Включено"). Режимы отсечки и насыщения используют в ключевых режимах работы транзистора: режим отсечки соответствует

литель постоянного тока даже с несимметричными (односторонними) входными сигналами. Для этого нужно один из его входов заземлить, а на другой подать сигнал ( 2.71). Можно ли исключить «неиспользуемый» транзистор из схемы? Нет. Дифференциальная схема обеспечивает компенсацию температурного дрейфа, и, даже когда один вход заземлен, транзистор выполняет некоторые функции: при изменении температуры напряжения UE3 изменяются на одинаковую величину, при этом не происходит никаких изменений на выходе и не нарушается балансировка схемы. Это значит, что изменение напряжения [7БЭ не усиливается с коэффициентом Клиф (его усиление определяется коэффициентом Ксинф, который можно уменьшить почти до нуля). Кроме того, взаимная компенсация напряжений 11БЭ приводит к тому, что на входе не нужно учитывать падения напряжения величиной 0,6 В. Качество такого усилителя постоянного тока ухудшается только из-за несогласованности напряжений UE3 или их температурных коэффициентов. Промышленность выпускает транзисторные пары и интегральные дифференциальные усилители с очень высокой степенью согласования (например, для стандартной согласованной монолитной пары п-р-и-транзисторов типа МАТ-01 дрейф напряжения Uh3 определяется величиной 0,15 мкВ/°С или 0,2 мкВ за месяц).

По своим характеристикам к ИТУТ близок биполярный транзистор, включенный по схеме с общей базой (ОБ) ( 1.7,в). Входным током здесь является ток эмиттера 1Э, а выходным — ток коллектора i'K.

образом, транзистор, включенный по схеме ОЭ, является хорошим усилителем тока.

транзистор, включенный определенным образом. При этом имеется возможность получать у интегральных диодов различные параметры.

а — общее изображение; 6 — транзистор, включенный по схеме с общей базой; в — эквивалентная схема транзистора с ОБ для системы г-параметров; г — четырехполюсник в схеме с ОБ для системы ^-параметров, д — четырехполюсник в схеме с ОБ для системы h-параметров; определение h-параметров по входным (е) и выходным (ж) характеристикам

Несмотря на то, что выходной ток /к несколько меньше входного /э, транзистор, включенный по схеме 30, а, усиливает напряжение и мощность. Предположим, что напряжение на эмиттере изменено на ДЦ,, что вызвало изменения токов эмиттера Д/э и коллектора Д/к, а также напряжения на коллекторе Д(УК. Коэффициент усиления по напряжению на малом сигнале Ки = Д1/К/Д?/Э = (Д/Э/-Э)/(Д/КЯК), где гэ = = kT/(ql^) — дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода (см. § 6). Подстановка лэ дает: Ки = [(Д/Э/(Д/К)] • (Як/э) -[(g/(kT)]; если, например, [(Д/Э/(Д/К)] = 0,98, то Ки = (0,98)- (5 кОм-1 мА) * х (1/25 мВ) = 196. Для коэффициента усиления мощности получаем: Кр = [(Д7к2Як]/[(Д/э)2лэ] = (0,98)2 -200=192.

Наконец, большая выдержка времени на единицу используемой •емкости получается в схемах с зарядом и перезарядом конденсатора от источника тока, в качестве которого может быть применен, •например, транзистор, включенный по схеме с общей базой.

8.79. Транзистор, включенный по схеме с общей базой, имеет следующие параметры: /гиб=50 Ом; Ai26=6,l-10-4; A2i6=—0,96; /122б=0,5 мкСм.

8.80. Транзистор, включенный в схему с общей базой, имеет следующие значения г-параметров: 2ц=700 Ом; z\y== =500 Ом; z2i=80 кОм; г22=ЮО кОм. Определить: а) собственные параметры транзистора в Т-образной схеме замещения (га, /"б, гк и а); б) У-параметры.

8.105. Транзистор, включенный в схему с общим эмиттером, имеет следующие параметры: Н\\ъ=1 кОм; h\^= —6-10~4; /i2i3—50; /г22э—25 мкСм. Определить /г-параметры этого транзистора, включенного в схему с общей базой.

8.140. Транзистор, включенный по схеме с общей базой, имеет следующие значения Я-параметров: /111б=18 Ом, /112б=8-10-4, /г21б=—0,98, /г22б=1,6-10-6 См. Определить коэффициент усиления каскада по мощности, если сопротивление резистора нагрузки в коллекторной цепи Rs= =15 кОм.

8.142. Транзистор, включенный в схему с общим коллектором, имеет следующие значения /г-параметров: /1цк— =22 кОм, Ai2K=l. fi2iK=—31, /г22к=23-10-6 См. Сопротивление резистора нагрузки в цепи эмиттера RB=\ кОм, внутреннее сопротивление источника сигнала /?Г=Ю кОм. Определить коэффициенты усиления по току Ki, по напряжению Ки и по мощности Кр, входное сопротивление RBX, выходное сопротивление /?Вых-