Транзистор переходит

При отсутствии входного сигнала транзистор заперт отрицательным смещением на базу от источника ы„„2. При подаче на вход схемы положительного импульса (высокого уровня напряжения — логической «1») транзистор отпирается и на выходе появляется отрицательный импульс (низкий уровень напряжения — логический «О»).

we можно пренебречь), достигнет нуля (момент времени /), транзистор отпирается и появляются базовый и коллекторный токи. Приращение коллекторного тока вызывает в обмотке шк ЭДС самоиндукции е\, за счет чего в обмотке w& наводится ЭДС взаимоиндукции ег отрицательной относительно базы полярности. Процесс уменьшения напряжения на базе и соответствующего возрастания коллекторного и базового токов носит лавинообразный характер и заканчивается насыщением транзистора. В этот момент формируется фронт генерируемого импульса, а так как его длительность мала, то напряжение на конденсаторе практически не успевает измениться.

Схема, предназначенная для формирования импульсов, используемых для включения симметричного тиристора ( 63), выполнена на однопереходном транзисторе Т. При подаче напряжения питания С/В1Б2 конденсатор С1 заряжается через резистор R1. Когда напряжение на эмиттере достигает некоторого критического значения, определяемого характеристикой прибора, транзистор отпирается, и конденсатор С1 разряжается через сопротивление эмиттерного перехода транзистора и резистор R3. На резисторе R3 происходит падение напряжения, которое используется в качестве входного сигнала симметричного тиристора. По мере разряда конденсатора С1 напряжение на нем уменьшается до определенного значения, и транзистор запирается. Форма импульсов, формируемых схемой, близка к прямоугольной. С помощью резистора R1 можно регулировать момент включения нагрузки.

Заторможенный блокинг-генератор можно выполнить на транзисторе'( 83, а). При отсутствии сигналов запуска генератор заторможен, поскольку транзистор заперт напряжением Есм. Когда поступает импульс запуска ?/вх > ?ом, транзистор отпирается, начинает протекать ток и развивается блокинг-процесс, приводящий сначала к полному открыванию транзистора, затем к его полному запиранию, в котором он и остается до прихода следующего импульса запуска. Таким образом, воздействие импульса (практически любой формы) приводит к срабатыванию блокинг-генератора и появлению на его выходе импульса, форма и амплитуда которого не зависят от входного сигнала (при условии, что его амплитуда несколько больше Есм).

Более совершенна схема ключевого амплитудного выпрямителя ( 151, б). Амплитудное значение входного напряжения измеряется подключением запоминающего конденсатора С к источнику сигнала U (t) в момент достижения максимума во время положительного полупериода сигнала. Это обеспечивается дифференциальным усилителем-формирователем А, выход которого через диод VD соединен с МОП-транзистором VT с изолированным затвором, работающим в режиме обогащения, вследствие чего транзистор отпирается только при положительных напряжениях на затворе и заряжает конденсатор С до максимального напряжения U0.

В режиме записи на шине Y выбраного столбца устанавливается напряжение U1 или U°, а затем подается положительный импульс выборки на шину X. Транзистор отпирается, и на конденсаторе устанавливается то же напряжение, что и на шине Y. В остальных

После того как напряжение на базе Т2 перейдет нулевой уровень, транзистор отпирается, появляется коллекторный ток, создающий положительное приращение напряжения на R К2, которое через конденсатор CV передается на базу Tlt выводит этот транзистор из насыщения и вызывает его переход в активный режим. Коллекторный ток транзистора уменьшается, напряжение на коллекторе получает отрицательное приращение, которое с коллектора 7\ через конденсатор Ci

При перезаряд* конденсаторов напряжение на базе 7\ стремится к уровню -{-Е/2. Когда это напряжение превысит нулевой уровень ( 6.94), транзистор отпирается и начинается новый лавинный процесс включения транзисторов. Отсюда время разряда конденсатора, соответствующее паузе между выходными импульсами, tp = 0ф1п(1 + 2(/Стах/?). Используя найденные приближенные значения t/cmax ** ^> вф « 0,5/?(jC, получим /р = 0,5вф1пЗ .= == 0,55ЛбС. При /?б > ^к постоянная времени цепи разряда конденсатора вф намного превышает постоянную времени его заряда, которая согласно схеме

нагрузке мн » /кг RH практически равняется нулю. При ?/бэ = U9 транзистор отпирается и его базовый ток

1. Рассчитываем переключательную характеристику ключа ин — f («упр)-Напряжение на нагрузке нн = iK Кк-При напряжениях иупр ^ ?см + t/30T транзистор закрыт и ток коллектора /„ « /„г « 0, поэтому ын » 1ктКк ж «0. Когда ИуПр > ?см + Ua от> транзистор отпирается, токи базы и коллектора, определяемые выражениями

.тока диода на резисторе R1 оказывается достаточным для уменьшения потенциала базы транзистора до уровня, соответствующего закрытому состоянию транзистора. Для повышения помехоустойчивости схемы между входными диодами и базой транзистора включается диод смещения Дсм. Транзистор отпирается только тогда, когда одновременно запираются все входные диоды Д1, Д2, ДЗ.

шается, конденсатор начинает заряжаться. По мере его зарядки ток базы уменьшается, а ток коллектора не изменяется, поскольку транзистор продолжает оставаться в режиме насыщения. Когда ток зарядки уменьшится до значения, соответствующего границе насыщения, транзистор переходит в обычный усилительный режим. Благодаря положительной обратной связи происходит резкий переход транзистора в режим отсечки и конденсатор перезаряжается по цепи R\—С—/?2, стремясь зарядиться до напряжения источника питания. Как только потенциал базы

Если хотя бы на одном из входов действует сигнал «1», соответствующий транзистор переходит в режим насыщения и на выходе появляется «О».

изменяется по экспоненте ( 8.57, б): ис—Ек(\—е—'/("с>). По окончании входного импульса транзистор переходит в режим насыщения (ключ замкнут) и конденсатор быстро разряжается через промежуток коллектор — эмиттер ( 8.57, а). Используя начальный участок экспоненты, линейность которого достаточно высока, можно получить импульсы с малым коэффициентом нелинейности. Однако при этом отношение Um/EK мало, в чем и состоит основной недостаток данной схемы. Высококачественные ГЛИН создают на основе операционных усилителей. На 8.58, а при-

При t/кэ > 1 В напряжение между коллектором и базой становится положительным, коллекторный переход закрывается, транзистор переходит в активный режим (эмиттер инжектирует носители, коллектор их экстрагирует).

завершается за время tHac, транзистор переходит в стационарный режим работы.

где С/пор — положительное напряжение ибэ на переходе база—эмиттер транзистора, при котором транзистор переходит из режима отсечки в активный режим работы и считается открытым.

Барьерные емкости Сэб и С,.б (см. 5.1, а) составляют входную емкость транзистора Свх«Сэб + + Скб- После момента времени t0 входная емкость перезаряжается с постоянной времени IBK= (RT + + R6)CBK, а напряжение на ней UCB*=U53 изменяется по экспоненциальному закону с той же постоянной времени от значения UCBx(t0) = —E2, стремясь к значению С/свх(*-*оо) =Е1 ( 5.4). В момент времени *! напряжение С/Свх достигает значения Unop, открывается эмиттерный переход и транзистор переходит из режима отсечки в активную область работы.

Стадия формирования фронта коллекторного тока начинается с момента времени t1, когда транзистор переходит из режима отсечки в активный и базовый ток скачком возрастает до значения

где t/бэо — напряжение на открытом эмиттерном переходе. Для, кремниевых транзисторов, выполненных по интегральной технологии, принимают и5э0 = 0,1 В. Заряд в базе и ток коллектора за счет инерционных свойств транзистора изменяются по экспоненциальному закону с одинаковой постоянной времени тл = 'ср+ +CK5RH(B+lJ, стремясь от нуля к значениям соответственно /6ita и /615(тн — постоянная времени нарастания заряда в режиме насыщения). В момент времени t2 коллекторный ток достигает максимального значения /кн и ограничивается, транзистор переходит из активного в режим насыщения. Из 5.4 определим время фронта:

В момент времени t4 заряд в базе достигает значения 2бгр = ^бнтН' транзистор переходит в активный режим, когда его коллекторный переход закрывается. После момента времени t4 коллекторный ток уменьшается с постоянной времени тл, стремясь к значению —/62Й.

В момент времени /5 ток коллектора и заряд в базе транзистора уменьшаются до нулевого значения (/Кб0«0), эмиттерный переход закрывается и обратный ток базы /62 падает до 7кб0~0. Транзистор переходит в режим отсечки, и процесс выключения транзисторного ключа заканчивается. Из временных диаграмм Q5(t) и /к(?) можно определить: