Транзистор находится

Задача 2.1. Определить режим транзистора по постоянному току для схемы, показанной на 2.1, в которой Еэ= — 2 В; RK = 4 кОм; R3=l кОм; Ек=\0 В. Транзистор имеет /1215 = 0.99. Обратным током коллектора можно пренебречь. Транзистор кремниевый.

Если транзистор кремниевый, напряжение на переходе С/БЭ вблизи границы насыщения примерно равно 0,8 В. Следовательно,

2Т144А — транзистор кремниевый, малой мощности, /гр не более 3 МГц, номер разработки 44, группа А.

цепи, т. е. при этом нагрузку можно включить как со стороны коллектора, так и со стороны эмиттера. В частном случае источник Есм и диод могут отсутствовать, особенно если транзистор кремниевый. Кремниевые транзисторы имеют малые обратные токи эмиттерного (/э. о) и коллекторного (/к. 0) переходов и, как следствие, высокую температурную стабильность и повышенный порог нечувствительности транзистора (U3-6 — 0,7 -f- 0,8 В).

По выходным статическим ВЛХ транзистора определяются t/K3 =5 В и /э=5 мА. Так как транзистор кремниевый, то С/БЭ = = 0,5 В. Сопротивления резисторов Ra рассчитываются по формулам (3.21) — (3.23):

Транзистор кремниевый

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарныи п-р-п универсальный высокочастотный маломощный.

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарныи п-р-п переключательный.

Транзистор кремниевый пленарный п-р-п переключательный высоковольтный.

Транзистор кремниевый эпи-таксиально-планарный р-п-р универсальный высокочастотный маломощный.

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный п-р-п СВЧ усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц.

Даже при газовом наполнении ток фотоэлементов в большинстве случаев недостаточен для приведения в действие исполнительных механизмов, поэтому фотоэлементы часто применяются с ламповыми или полупроводниковыми ( 11.11) усилителями. Пока фотоэлемент не освещен, транзистор находится в закрытом состоянии под действием ЭДС ЕВ в цепи базы. При освещении фотоэлемента база соединяется с положительным полюсом ЭДС ЕК, поэтому напряжение между базой и эмиттером становится положительным, транзистор открывается и ток коллектора возрастает до значения, достаточного для срабатывания исполнительного механизма ИМ.

Рассасывание заряда происходит вследствие ухода дырок из базы через коллекторный и эмиттерный переходы. До тех пор пока в процессе ра.ссасывания концентрации неосновных носителей около р — «-переходов не достигнут нуля, обратные токи через соответствующие р — n-переходы будут оставаться постоянными, т. е. токи эмиттера и коллектора будут неизменными, пока транзистор находится в режиме насыщения. В момент времени /рас избыточная концентрация неосновных носителей в базе около коллекторного р — «-перехода достигает нуля. С этого момента ток коллектора и ток эмиттера будут уменьшаться. Время рассасывания /рас определяется как интервал времени с момента выключения входного импульса и связанного с этим изменением направления тока базы до момента, когда концентрация дырок у коллекторного перехода уменьшится до нуля. Величина его зависит от конструкции эмиттера, величины его тока и длительности импульса /имж. Для уменьшения /рас на входе цепи в момент окончания действия импульса создают ток обратного направления /эа, что ускоряет рассасывание дырок в базе. По истечении времени tpac рабочая точка транзистора переходит на границу активной области и начинается спад выходного тока. Длительность спада /сп определяется как время, в течение которого ток уменьшается от 0,9 до 0,1 тока насыщения.

По истечении времени tBluI транзистор находится в режиме насыщения, токи /б и 'ж практически не меняются, а накопление заряда в базе продолжается. Процесс накопления зарядов в базе

Мощные варианты выходных каскадов часто используют режим класса В. В классе В /6o — О ( 3.30), т.е. в режиме покоя транзистор закрыт и не потребляет мощности от источников питания. Транзистор находится в открытом состоянии лишь в течение половины периода входного сигнала, т. е. фоте = 90°. Относительно небольшая потребляемая мощность позволяет получить в усилителях мощности, использующих режим класса В, повышенный г) «0,7. Класс В применяется в двухтактных устройствах, где прекращение протекания тока в одном транзисторе компенсируется появлением тока в другом (другом плече устройства). Существенным недостатком режима класса В является высокий уровень искажений (А"г<10%).

В исходном состоянии при ЕГ=—Е2 транзистор находится ( в режиме отсечки и коллекторный ток /к определяется начальным током транзистора /«во, который очень мал, так что можно принять /K(f0)a;0. 5.4

В исходном состоянии транзистор находится в режиме насыщения. Пренебрегая остаточным напряжением на электродах насыщенного транзистора, можно принять L'c-(0j»0. В момеат времени tl транзистор под действием входного нмпульса запирается и конденсатор С заряжается с постоянной времени тзар =

В схеме 2.28,а при отрицательном управляющем напряжении транзистор находится в режиме отсечки, что соответствует закрытому состоянию коммутатора. Для перевода коммутатора в открытое состояние необходимо подать управляющее напряжение, превышающее напряжение отсечки на //?. Протекание базового тока транзистора является недостатком данного вида коммутатора.

Поскольку запоминающая среда РПЗУ электрически изолирована, заряд, инжектированный в нее, оказывается «захваченным» и информация сохраняется даже после отключения напряжения питания. Заряд, накопленный в запоминающей среде, вызывает появление инверсного канала в МДП-транзисторе. Следовательно, транзистор находится в открытом состоянии. Поскольку запись информации производится электрическим путем, час-1Ь элементов накопителя МДП-транзисторов будут открыты, что соответствует записи «1», а часть — закрыты, что соответствует записи «О».

Даже при газовом наполнении ток фотоэлементов в большинстве случаев недостаточен для приведения в действие исполнительных механизмов, поэтому фотоэлементы часто применяются с ламповыми или полупроводниковыми ( 11.11) усилителями. Пока фотоэлемент не освещен, транзистор находится в закрытом состоянии под действием ЭДС ?Б в цепи базы. При освещении фотоэлемента база соединяется с положительным полюсом ЭДС ЕК, поэтому напряжение между базой и эмиттером становится положительным, транзистор открывается и ток коллектора возрастает до значения, достаточного для срабатывания исполнительного механизма ИМ.

Даже при газовом наполнении ток фотоэлементов в большинстве случаев недостаточен для приведения в действие исполнительных механизмов, поэтому фотоэлементы часто применяются с ламповыми или полупроводниковыми ( 11.11) усилителями. Пока фотоэлемент не освещен, транзистор находится в закрытом состоянии под действием ЭДС ЕЪ в цепи базы. При освещении фотоэлемента база соединяется с положительным полюсом ЭДС ЕК, поэтому напряжение между базой и эмиттером становится положительным, транзистор открывается и ток коллектора возрастает до значения, достаточного для срабатывания исполнительного механизма ИМ.

Если в схеме 10.5, a t/BX = UQ э > 0 и /б > /б н, то транзистор находится в режиме насыщения и 1/вых = икэп-° • ПРИ ^вх ^ ° тРанзистор переходит в режим отсечки и {/вых ~^к- Таким образом, переход транзистора из режима насыщения в режим отсечки обеспечивает инверсию входного сигнала.