Транзистор характеризуется

—, постоянная составляющая 108 Топология цепи 204 Точки особые импеданса 172 Транзистор биполярный 12, 104

Тиристор диодный (динистор) -ЕН- Транзистор биполярный: а) типа р-п-р размеры, мм D 12 14 А* 911 60°

Толщиномер ультразвуковой 295 Транзистор биполярный 28

Электронная лампа Транзистор : биполярный полевой оо 103-5 • 104 при M! < 0 50-500 500-5-104 оо 5-103-5-105 10-200 50-500 100-1000

— покоя 138 Транзистор биполярный 81

«окно» меньшего размера ( 16, в) и через него проводят диффузию фосфора, в результате чего получается эмиттер, обладающий п2-проводимостью; 4) образуют контакты — создают (и закрывают) необходимые «окна», напыляют алюминиевые контакты в области базы Б ( 16, г) и эмиттера Э, осаждают слой никеля на область коллектора /С. На одной исходной кремниевой пластине (диаметром до 60 мм и толщиной до 0,25 мм) обычно одновременно создается до 2 тыс. планарных транзисторов. Пластина разрезается и отдельные транзисторы (после проверки параметров) помещаются в герметические металлические, керамические или пластиковые корпуса. Биполярные транзисторы с 1978 г. маркируются семиэлементным кодом. Первый элемент — цифра или буква, указывающая (как и в случае диодов) на исходный полупроводниковый материал: второй элемент — буква «Т» (транзистор биполярный); третий элемент — число, указывающее частотные свойства и среднюю мощность: (1 — мощность до 1 Вт, частота до 30 МГц; 2 — мощность до 1 Вт, частота до 300 МГц; 4 — мощность до 1 Вт, частота более 300 МГц; 7 — мощность более 1 Вт, частота до 30 МГц; 8 — мощность более 1 Вт, частота до 300 МГц; 9 — мощность более 1 Вт; частота более 300 МГц). Четвертый, пятый и шестой элементы — трехзначное число, определяющее номер разработки; седьмой элемент — буква, определяющая классификационный параметр данного прибора в семействе приборов, изготовленных по единой технологии.

Топологическая карта 27 Тополо!ический чертеж 9 Топологическое проектирование 204 Топология 25, 35, 37, 40, 153, 368, 372, 410 Транзистор биполярный 32, 49, 51, 55, 58,

Ток уравнительный 218 Транзистор биполярный 21 Триггер 194

— —• — задержки 244 Тиристор 312 Транзистор биполярный «3

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор является распространенным активным элементом в современных интегральных микросхемах. Структура биполярного транзистора в интегральных микросхемах (интегрального транзистора) отличается от структуры дискретного транзистора изоляцией от подложки. Другая особенность связана с тем, что вывод от коллекторной области интегрального транзистора осуществляется на верхней поверхности кристалла. Поэтому для уменьшения объемного сопротивления области коллектора перед эпи-таксиальным наращиванием производится обычно подлегирование подложки в тех местах, где будут сформированы транзисторные структуры, т. е. создается скрытый п+-слой ( 7.5).

Задача 1.33. Транзистор характеризуется параметрами А11Б = 25 Ом; /г12Б = 2- 10~4; А21Б = 0,98; А22Б=1мкСм. Определить все физические параметры соответствующей схемы замещения.

8.78. Транзистор характеризуется следующими значениями собственных параметров: сопротивление эмиттера Г8= =30 Ом, сопротивление базы Гб=500 Ом, сопротивление коллектора г„=0,25 МОм, а=0,95. Найти значения z-napa-метров транзистора в схеме с общей базой.

8.90. Транзистор характеризуется следующими значениями собственных параметров: сопротивление эмиттера гэ= =15 Ом, сопротивление базы гб=500 Ом, сопротивление коллектора гк = 1 МОм, коэффициент передачи тока эмиттера а=0,96. Определить все четыре Л-параметра для схемы включения с общим эмиттером.

8.91. Транзистор характеризуется следующими значениями собственных параметров: сопротивление эмиттера га= = 15 Ом; сопротивление базы Гб=1500 Ом; сопротивление коллектора гк=1,8 МОм; коэффициент передачи тока эмиттера а=0,98. Определить все четыре Л-параметра для схемы включения с общим коллектором.

Кроме системы /г-параметров, транзистор характеризуется эксплуатационными параметрами, предельные значения которых указывают на возможности практического применения прибора. К числу таких параметров относятся следующие.

нов и дырок, создающих токи во внешних цепях. Обычно транзистор удобно рассматривать как четырехполюсник, т. е. как устройство, имеющее два входных и два выходных зажима, как показано на 2.10: В этом случае транзистор характеризуется четырьмя величинами: входным напряжением, приложенным между внешним зажимом эмиттера и базой: ?Л = t/вх; входным током в цепи эмиттера /э=/вх; выходным током в цепи коллектора /к=/вых; выходным напряжением, приложенным между внешним зажимом коллектора и базой: [А = 6Ux. Зависимость между перечисленными токами и напряжениями можно найти аналитически или определить экспериментально. Если эту зависимость найти для постоянных токов и напряжений и представить в графической форме, то можно получить семейство статических в.а.х. транзистора. Наиболее типичными являются коллекторные и эмиттерные в.а.х.

На 3.14 в качестве примера представлены транзисторы с вертикальной структурой, сформированные на полупроводниковой подложке р~-типа и изолированные р-п переходами. Нижний карман п-типа используется для создания р-п-р транзистора. Для уменьшения его коллекторного сопротивления формируется скрытый слой /7+-типа. На дополнительный контакт Кп к области л-типа подается положительное напряжение, что обеспечивает обратное включрние изолирующего р-п перехода р-п-р транзистора. Вертикальный р-п-р транзистор характеризуется более высокими коэффициентом передачи тока базы (30 ... 50) и граничной частотой (100 ... 500 МГц), а также максимально допустимым рабочим током коллектора.

Относительная доля выпуска транзисторов в дискретном исполнении постоянно сокращается. Прежде всего это касается маломощных транзисторов. Мощные транзисторы в силу ряда причин поддаются интегрализации с большим трудом. Тем не менее уже выпускаются мощные составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона, или транзисторы с предусилением), содержащие на одном кристалле два (или более) «элементарных» транзистора. С точки зрения изготовителя такой составной транзистор, который к тому же может иметь дополнительные интегральные элементы защиты — резисторы и диоды, является ИС малой степени интеграции. Однако такой составной транзистор характеризуется системой параметров, применяемой для одиночных транзисторов, и с точки зрения потребителя почти не «проявляет» своей сложной структуры (за исключением высокого коэффициента передачи тока базы, превосходящего 102—103).

В области насыщения транзистор характеризуется выходной характеристикой, представляющей собой зависимость выходного тока от выходного напряжения при заданном входном токе.

вакуумная лампа, полевой транзистор характеризуется следующими основными параметрами;

Транзистор характеризуется барьерной и диффузионной емкостями эмиттерного и коллекторного переходов. Барьерная емкость обусловлена наличием объемного заряда в p-n-переходах. Диффузионная емкость эмиттерного перехода обусловлена изменением заряда в базе при изменении потенциала эмиттера, а коллекторного перехода — при изменении потенциала коллектора.