Транзисторов различных

Исследование этих емкостей необходимо для изучения свойств транзисторов, работающих на высоких и сверхвысоких частотах. При рассмотрении емкости р — «-перехода (см. § 4.8) было установлено, что она складывается из барьерной емкости Со, зависящей от объемного заряда в области р — «-перехода, и из диффузионной CD, зависящей от тока диффузии и времени жизни носителей. Выражения, выведенные для расчета емкости р — «-перехода диодов, могут быть использованы при рассмотрении транзисторов.

ческими трудностями, и с ухудшением других электрических параметров транзистора, в частности допустимых значений I/ и I/ g в результате эффекта модуляции толщины базы. Для мощных сплавных транзисторов, работающих при высоких уровнях напряжений,™ > 50-100 мкм, а/д < 100-200 кГц. В схеме с общим эмиттером предельная частота /д резко снижается:

Быстродействие логических интегральных схем ТТЛ ограничено в основном инерционностью выключения транзисторов, работающих в режиме насыщения. Одним из способов устранения насыщения является включение между коллектором и эмиттером транзистора диода Шоттки с малым прямым падением напряжения (около 0,4 В). По сравнению с ТТЛ логические элементы с диодами Шоттки отличаются в 2—3 раза большим быстродействием и называются элементами ТТЛШ.

8.208. Нарисуйте временные диаграммы переходных процессов в ключе с общим эмиттером. Какими мерами можно улучшить свойства транзисторов, работающих в импульсном режиме?

Окончательное уравновешивание цифрового моста всегда производится автоматически по командам со стороны управляющего устройства УУ и сравнивающего устройства СУ. Ключи в четвертом плече моста выполняются обычно с использованием кремниевых транзисторов, работающих в режиме отсечки, что соответствует разомкнутому состоянию ключа, или в режиме глубокого насыщения, что соответствует замкнутому состоянию ключа.

Разрабатывают ИМС коммутаторов в основном на базе МДП-транзисторов, работающих в режиме аналоговых управляемых ключей. Схема управления разрабатывается по принципу обеспечения управления как отдельными каналами, так и их группой. Управление осуществляется по коду, поступающему на входы схемы управления.

5.14. Т-образная эквивалентная счема транзистора (а); эквивалентные схемы транзисторов, работающих в качестве усилителя напряжения (б) и усилителя тока (в)

Быстродействие всех рассмотренных ранее логических элементов ограничено временными задержками, которые вызваны процессами накопления неосновных носителей в базах транзисторов, работающих в режиме насыщения. Существенно большее быстродействие имеют цифровые схемы транзисторной логики с эмиттерными связями (ТЛЭС), в которых транзисторы при работе не входя? и насыщение. Элементы ТЛЭС работают по прин-пипу переключения токов' при малых изменениях входных напряжений. Вследствие этого элементы ТЛЭС часто носят название логических схем с переключателями тока.

Быстродействие всех рассмотренных ранее логических элементов ограничено временными задержками, которые вызваны процессами накопления неосновных носителей в базах транзисторов, работающих в режиме насыщения. Существенно большее быстродействие имеют цифровые схемы транзисторной логики с эмиттерными связями (ТЛЭС), в которых транзисторы при работе не входя? а насыщение. Элементы ТЛЭС работают по принципу переключения токов при малых изменениях входных напряжений. Вследствие этого элементы ТЛЭС часто носят название логических схем с переключателями тока.

Быстродействие триггера определяет наиболь ее возможное число б'есперебойных переключений триггера в 1 с при неизменном интервале 7раз между запускающими импульсами и достигает значений порядка 100 МГц. Эффективность многих электронных устройств зависит от быстродействия триггеров. На быстродействие триггера влияет скорость переключения транзисторов, работающих в схеме в ключевом режиме. Дня повышения быстродействия используют высокочастотные транзисторы, ключи в ненасыщенном режиме (для устранения задержки выключения, которая связана с процессом рассасывания неосновных носителей в базе насыщенного транзистора). Кроме того, применяют специальные меры, уменьшающие время установления напряжения на коллекторах транзисторов и ускоряющих конденсаторах.

Известно, что для любого линейного четырехполюсника существует шесть возможных вариантов уравнений. При описании свойств, например, биполярных транзисторов, работающих в линейном режиме, используют только три вида уравнений для Z-, Y- и Я-параметров, а полевых транзисторов и электронных ламп два или один. Эти уравнения представляют собой линейные математические модели УЭ. Линейные уравнения, описывающие адекватно свойства УЭ, могут быть представлены графически в виде эквивалентных схем, графов, а также матриц.

дрейфовых транзисторах перенос неосновных носителей заряда через область базы осуществляется за счет диффузии. Такие транзисторы получают методом сплавления. В дрейфовых транзисторах перенос неосновных носителей заряда через область базы осуществляется за счет дрейфа, так как при определенном распределении примесей в области базы транзистора создается внутреннее электрическое поле. Конструктивное оформление транзисторов различных типов показано на 30.

Наличие четырех типов МДП-транзисторов дает большие возможности разработчикам при реализации различных задач, в том числе путем комбинации полевых транзисторов различных типов (см. § 4.2).

Применение транзисторов различных типов (р-п-р и п-р-п) позволяет построить параллельный триггер Шмитта, обладающий более высокими качественными показателями по сравнению с обычным. Одна из возможных схем таких триггеров приведена на 10.34. В исходном состоянии оба транзистора закрыты. Когда напряжение на входе превышает порог срабатывания, транзисторы открываются и переходят в режим насыщения. Поскольку в исходном состоянии оба транзистора закрыты, эта схема является достаточно экономичной.

Рассмотрим особенности транзисторов различных групп и основные методы, позволяющие получить требуемые параметры.

Значение коэффициента шума для транзисторов различных типов лежит в пределах 5—20 дБ.

В настоящее время отечественной промышленностью выпускается большое количество биполярных транзисторов различных типов и назначения. Классификация транзисторов проводится по их функциональному назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, по конструктивно-технологическим признакам и типу исходного полупроводникового материала. Транзисторы выпускаются на мощности от 20 мВт до сотен ватт с граничными частотами от 100 кГц до десяти гигагерц, с максимально допустимыми напряжениями от единиц до тысяч вольт и токами от 5 мА до сотен ампер, с уровнем собственных шумов от единиц до десятков децибел. Они могут выпускаться в различного вида корпусах (металлостеклянных, металло-керамических и пластмассовых), обладающих тепловым сопротивлением от долей до сотен °С/Вт, а также в бескорпусном исполнении для гибридных интегральных микросхем и транзисторных микросборок.

При изготовлении транзисторов по единой технологии в силу разброса электрофизических параметров исходных полупроводниковых материалов, разброса технологических режимов и наличия большого числа случайных факторов изготавливаемые транзисторы, как правило, имеют существенный разброс основных параметров. Поэтому транзисторы классифицируются (подразделяются на группы) по интервальным значениям параметров или их сочетанию. Параметры, по которым производится такое подразделение, называются классификационными. Система классификационных параметров может быть различной для транзисторов различных функциональных назначений. Наиболее часто в систему классификационных параметров входят: постоянное граничное напряжение коллектор — эмиттер ?/кэ ГР — аналог ил (см. §2.2.4) (или другие предельно допустимые напряжения), коэффициент передачи тока базы для большого /i2iэ и малого Л2Э сигналов, постоянный обратный ток коллектора /КБО при разомкнутой цепи база — эмиттер. В состав классификационных параметров могут входить граничная частота и коэффициент шума транзистора (для малошумящих транзисторов).

В табл. 1.1 показана полярность включения напряжения стока и смещения на затворе для транзисторов различных типов.

Рассмотрим особенности транзисторов различных групп и основные методы, позволяющие получить требуемые параметры.

Значение коэффициента шума для транзисторов различных типов лежит в пределах 5—20 дБ.

Наличие четырех типов МДП-транзисторов дает большие возможности разработчикам при реализации различных задач, в том числе путем комбинации полевых транзисторов различных типов (см. § 4.2).

Мартин с сотр. провели исследования взрывного шума тока базы у транзисторов различных типов (2N 2484, 2N 3707, 2N 2222, ВС 183) и нашли, что величина импульсов шума А/5 изменяется в зависимости от температуры и напряжения эмиттер — база УЕВ, согласно соотношению