Транзисторов параметры

типичная простейшая схема ДУ, состоящая из двух транзисторов и трех резисторов. В частном случае напряжение входного сигнала может быть подано лишь на один вход (?BXi = 0 или ?вх2 — 0). Напряжение выходного сигнала снимается либо между коллекторами транзисторов (симметричный выход), либо с коллектора одного из транзисторов относительно общего провода (несимметричный выход).

Дифференциальный усилитель. Дифференциальный усилитель (ДУ), являющийся основой аналоговых интегральных микросхем (см. § 12.3), представляет собой балансный УПТ с источником стабильного тока в цепи эмиттера, значение которого определяется дополнительным источником питания и резистором в эмиттерной цепи. На 7.41, а показана простейшая схема ДУ, состоящая из двух транзисторов и трех резисторов. В частном случае напряжение входного сигнала может быть подано лишь на один вход (Emt = 0 или Ет2 = 0). Напряжение выходного сигнала снимается либо между коллекторами транзисторов (симметричный выход), либо с коллектора одного из транзисторов относительно общего провода (несимметричный выход).

о — на входе усилителя; б, s — на базах транзисторов; г —на коллекторах транзисторов относительно корпуса; д — на нагрузке

Так как обычно источники входных сигналов UBXI и ывх2 должны иметь общую с усилителем нулевую шину, то в схеме 10.19, а приходится использовать,два источника питания для обеспечения в начальном режиме положительных потенциалов баз транзисторов относительно их эмиттеров.

Емкость Ск gap в большинстве транзисторов относительно невелика (единицы ил-и десятки пикофарад), однако ее сопротивление (конечное на не слишком низких частотах) шунтирует высокоомное сопротивление коллекторного перехода и поэтому влияние емкости Ск бар может быть весьма существенным.

Емкость Ск gap в большинстве транзисторов относительно невелика (единицы ил-и десятки пикофарад), однако ее сопротивление (конечное на не слишком низких частотах) шунтирует высокоомное сопротивление коллекторного перехода и поэтому влияние емкости Ск бар может быть весьма существенным.

Основной недостаток МДП-транзисторов — относительно низкое значение произведения коэффициента усиления на ширину полосы пропускания. При существующем уровне технологии, который можно характеризовать достижимыми размерами структур, точностью контролирования концентрации введенных примесей и др.,

(управляющим является коллекторный переход). К базам и коллекторам ключей через трансформаторы поочередно подается напряжение прямоугольной формы от распределителя, т.е. ключи замыкаются (делаются проводящими) последовательно во времени, так как npit отрицательном потенциале на базах транзисторов относительно коллекторов ключ оказывается замкнутым и каждый из эмиттеров может проводить ток в любом направлении. Поскольку с одной стороны на ключи подается от. датчиков преобразуемое напряжение Ux\,...,Uxn, ас другой — эталонное напряжение (/эт, в зависимости от значения напряжений Ux, U3r ток через обмотку трансформатора 7"рвых может проходить от (/„ к Ux, т. е. от точки / к точке 2, либо наоборот. При этом изменяется фаза выходного сигнала, что позволяет определить моменты равенства напряжений Ux, ?Л,т и проанализировать знак управляющего напряжения компаратора, поступающего на усилитель.

* Размеры для справок. Расположение концов пластины Z в превелах контактных площавок не регламентируется. Допускается смещение Выводов транзисторов относительно их контактных площадок на 1/3 диаметров Выводов. Паять ЛОС-61 ГОСГП99-70. Пайка транзисторов 3 должна Выдерживать нагрузку 100 г 8 плоскости платы. Обозначение контактных площадок и элементов показано условно. На главном виде пластина Z условно заштрихована. Вариант установки транзисторов

На основе инверторов КМОП реализуются многие функциональные логические схемы. Для организации логических элементов вида И—НЕ (И) либо ИЛИ—НЕ (ИЛИ) транзисторы одного типа соединяются параллельно, а другого — последовательно. Особенностью логических элементов является наличие двух ярусов транзисторов относительно выходного вывода. Логическая функция, выполняемая всей схемой, определяется транзисторами нижнего яруса. Для реализации операции И—НЕ в положительной логике транзисторы с n-каналом включаются последовательно друг с другом, с р-каналом — параллельно, а для операции ИЛИ—НЕ — наоборот,

всех ключей соединены одинаково, так что напряжение с трансформатора Т2 (+ соответствует началу обмоток) всегда подается в выключающей полярности. На трансформаторе Т2 формируются короткие (1—2 мкс) однополярные импульсы, которые в контуре цепи управления транзистором суммируются с разнополярными импульсами ТУМ так, как показано на 4.9. Результирующие импульсы иу (К1, К4) и иу (К2, КЗ) подаются на силовой транзистор, при этом такой принцип форсированного выключения позволяет одновременно с форсированием выключающегося транзистора получить еще и задержку включения включающегося транзистора [9], чем исключаются сквозные токи в переключателях. Понятно, что длительность импульса» форсированного выключения должна быть равна сумме времен рассасывания силовых транзисторов и выключения. Однако современные силовые высоковольтные транзисторы, например К.Т812, имеют время рассасывания до 5 мкс, а КТ828 до 7 мкс. Модуляция тока коллектора па синусоидальному закону приведет к тому, что момент выключения транзисторов относительно импульса управления будет непрерывно изменяться в пределах времени рассасывания, что может являться причиной сквозных токов. Паузы в импульсах управления около 5—7 мкс приведут к неоправданно завышенной мощности ^СД-цепей, & зна-

Аналогичная схема замещения может быть применена для электронных ламп и полевых транзисторов, параметры которых имеют иные обозначения. Для электронных ламп

#12, Rz\ транзисторов, параметры ц, S, Ri электронно-вакуумных триодов и др. Различие параметров в статическом и динамическом режимах, которое раньше только отмечалось, теперь должно быть очевидным.

§ 17.9. Параметры биполярных транзисторов

Из статических выходных ВАХ биполярных транзисторов видно, что для обеспечения заданной точки покоя необходимо иметь соответствующий режим работы транзистора по постоянному току. Для схемы с общим эмиттером (ОЭ) следует поддерживать на определенном уровне параметры /Б, УБЭ, /к, ^кэ. Для других схем включения транзисторов параметры иные.

Выходная статическая ВАХ п-р-п транзистора, включенного по схеме с ОБ, имеет большое сходство с ВАХ ГСТ. Следовательно, транзистор, включенный по схеме с ОБ, может выполнять функцию ГСТ. Однако на практике в микросхемах для реализации ГСТ используют не один, а два и более транзисторов, параметры которых практически идентичны.

В отличие от обычных биполярных транзисторов параметры полевых транзисторов мало меняются с изменением частоты входного сигнала. Поэтому частотные зави:имости параметров каскада на них определяются,- как и для ламп, главным образом постоянными-времени .КС-цепей, образующихся на входе и выходе схемы. Входная емкость каскада н;з полевом транзисторе также определяется уравнением, аналогичным (6.19):

Подставляя типичные для маломощных (интегральных) МДП-транзисторов параметры структуры N = = 10-'в см-3, (/си =16 В, /с =1 мА, L=10 мкм, получаем гс=200 кОм.

1.2.8. Параметры биполярных транзисторов

Параметры предельных режимов. Предельно допустимые режимы работы транзисторов определяются максимально допустимыми напряжениями и токами, максимальной рассеиваемой мощностью и допустимой температурой корпуса прибора. Основными причинами, вызывающими выход транзистора из строя или нарушение нормальной работы схемы в результате изменения основных параметров транзисторов, могут быть: слишком высокое обратное напряжение на одном из переходов и перегрев прибора при увеличении тока через переходы.

2.78. Графики зависимости коэффициента усиления по току И21Э от коллекторного тока /к для группы транзисторов, параметры которых приведены в табл. 2.1 (по данным фирм-изготовителей). Возможен технологический разброс от изображенных типовых значений в пределах +100%, —50%.

Параметры п- и р-канальных транзисторов отечественного производства представлены в табл. 37.11. Приборы третьего и четвертого поколения фирмы Hitachi представлены для сравнения в табл. 37.12.