Транзисторов интегральных

пассивные элементы с точностью ±0,1%. Разброс коэффициентов усиления у транзисторов достигает 50%. Такие широкие допуски не позволяют создавать прецизионные ИС. Особенно остро стоит вопрос о реализации линейных ИС, в которых используются активные элементы с идентичными характеристиками в широком температурном диапазоне (дифференциальные усилители, электронные ключи для цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей). Получение необходимой точности линейных ИС осуществляется путем компенсации производственных погрешностей активных и пассивных элементов. Наиболее прогрессивным методом компенсации производственных погрешностей, электрических параметров компонентов линейных ИС является функциональная подгонка (ФП). Суть ФП заключается в изменении параметров тех пленочных пассивных элементов, которые в наибольшей степени влияют на выходные параметры готового изделия. К ее достоинствам следует отнести исключение операций комплектования навесных активных элементов, индивидуальной подгонки пленочных пассивных элементов, компенсацию нестабильностей элементов вследствие воздействия температуры при монтаже, снижение требования к допускам элементов, совмещение в одном процессе контроля и регулировки.

В электрических схемах полупроводниковых аналоговых ИМС широко используются структуры планарно-эпитаксиальных транзисторов п — р — п- (реже р — п — р) типа. Граничная частота таких транзисторов достигает 150...200 МГц. В качестве диодов часто применяют структуры транзисторов, в которых используется только один р — п-переход — эмиттерный или коллекторный. Удельный вес активных элементов в полупроводниковых аналоговых (как и в логических) микросхемах значительно выше, чем в пленочных.

который у современных транзисторов достигает 0,95—0,99 и более. Поэтому /6 ж (0,05 -=- 0,01) /э и /„ = (0,95 -=-

Максимальный ток коллектора /ктах> который у мощных транзисторов достигает 12 а и выше.

МОП-транзистор с изолированным затвором может работать на частоте до 750 Мгц и выше. Входное сопротивление МОП-транзисторов достигает 1015 ом, крутизна характеристики доходит до 30 ма/в, рабочий ток в цепи стока составляет 5 -т- 30 ма, рабочее напряжение Uc ^ 12 в. Усиление по мощности достигает 20 дб на частоте 200 Мгц. В заключение следует отметить, что полевые транзисторы и особенно их разновидность — МОП-транзисторы имеют ряд существенных преимуществ перед обычными биполярными транзисторами с двумя «-/?-переходами.

который у современных транзисторов достигает 0,95 - 0,99 и более. Поэтому /б % (0,05 -=- 0,01)7, и /к * (0,95 -г- 0,99)/,. С учетом (3.4) и (3.5) связь между токами транзистора можно выразить соотношениями:

При планарной технологии можно создавать транзисторы с хорошими частотными свойствами. Это обусловлено тем, что в данном случае можно проводить селективную диффузию, т. е. вводить примеси только в небольшие ограниченные области, строго контролируя глубину диффузии. В то же время оптические методы, применяемые при фотолитографии, позволяют с большей точностью совмещать эти области. В результате возможно изготовление транзисторов с толщиной базы в доли микрометра и размерами выпрямляющих электрических переходов в единицы микрометров. Граничная частота коэффициента передачи тока биполярных транзисторов достигает 10 ГГц.

Регулировочная характеристика мостового преобразователя выглядит точно так же, как и характеристика пуш-пульной схемы. Однако максимальное напряжение между силовыми электродами транзисторов достигает одиночного уровня напряжения питания, да и первичную обмотку не нужно составлять из полуобмоток.

схема ПЧ, в котором АЙН выполнен на биполярных транзисторах с изолированным затвором. Здесь показаны только основные силовые элементы ПЧ, необходимые для процесса преобразования. Принципы инвертирования напряжения АЙН хорошо известны [56.1, 56.18, 56.22, 56.24, 56.25]. В каждой фазе АЙН всегда открыт один из двух ключевых элементов, и потенциал фазы на выходе АЙН всегда равен потенциалу положительной или отрицательной шины на входе АЙН. Таким образом, амплитуда линейного напряжения на выходе АЙН всегда равна входному напряжению U2m- Ud. Частота выходного напряжения однозначно определена частотой переключения транзисторов и для ЭЛ не имеет ограничения сверху, так как у мощных современных транзисторов достигает значения /П1ах = = 20 — 40 кГц, поэтому в ПЧ с АЙН для формирования выходного напряжения с заданными частотой /2 и амплитудой первой гармоники С/21/л исключи-

В схеме, показанной на 2.1, б, изменение добавочного сопротивления в роторных цепях осуществляется плавно, так как на стороне выпрямленного тока неуправляемого трехфазного выпрямителя, подключенного к контактным кольцам ротора, включено неизменяемое добавочное сопротивление /?доб, которое периодически шунтируется силовым полупроводниковым ключом К на тиристорах или транзисторах, выполняющим роль широтно-импульсного преобразователя (ШИП) [27, 54]. Частота коммутации ШИП (/к) не связана с частотой питающей сети и в рассматриваемой схеме особенно при применении транзисторов достигает 400... 600 Гц.

Шумы в усилительных устройствах в основном определяются шумами активных сопротивлений и усилительных элементов (транзисторов, интегральных микросхем), расположенных во входных цепях (или каскадов) усилителей. Наличие собственных источников шумов ограничивает возможность усиления слабых сигналов.

Эквивалентные схемы транзисторов, интегральных микросхем можно представить в виде эквивалентного шумящего четырехполюсника вида 5.3 и рассчитать по формулам (5.1) — (5.6) его соответствующие шумовые характеристики.

В справочнике содержатся сведения по электронике, необходимые при разработке, монтаже, проверке и обслуживании электронных устройств. Описаны пассивные и активные компоненты электронных цепей, особенности электронных схем. Представлены свойства биполярных и полевых транзисторов, интегральных схем. Приведены примеры использования электронных элементов в усилителях, стабилизаторах, таймерах. Таблицы параметров электронных компонентов дополнены аналогичными элементами отечественного производства.

Любые расчеты должны базироваться на обоснованном выборе современной элементной базы (резисторов, конденсаторов, диодов, стабилитронов, транзисторов, интегральных микросхем) и современных материалов (обмоточных и монтажных проводов, электротехнических сталей, изоляционных и контактных материалов). При выборе необходимо ссылаться на справочники, государственные стандарты и т. п.

В конкретных моделях цветных телевизоров принимались различные меры для повышения надежности и помехозащищенности канала цветовой синхронизации. Его построение зависит также от вида применяемых изделий электронной техники (ламп, транзисторов, интегральных схем).

По применяемому материалу различают германиевые и кремниевые транзисторы, а по технологии изготовления — сплавные, выращенные, диффузионные, эпитак-сиальные и планарные. В производстве дискретных транзисторов обычно применяется эпитаксиально-планар-ная и мезопланарная технологии, а в производстве транзисторов интегральных микросхем — эпитаксиально-планарная. Одна из распространенных конструкций маломощных транзисторов показана на 2.10.

Таким образом, перед началом разработки будущее устройство можно представить как «черный ящик», содержимое которого неизвестно, однако известны внешние условия его работы, возмож-, ные входные и выходные сигналы, а также необходимое его поведение при соответствующих изменениях входных сигналов (изменения выходных сигналов, устойчивость к перегрузкам и др.). Задачей проектирования является определение содержания этого «черного ящика», разрабатываемого УРЗ с тем, чтобы его можно было создать из имеющихся в распоряжении проектировщика элементов— транзисторов, интегральных схем, конденсаторов и др. Кроме того, как уже было сказано, проектировщик должен стремиться, чтобы разработанное УРЗ по возможности полнее вписалось в связанные с ним системы.

Рассмотренные элементы не позволяют создать функционально законченную микросборку: не хватает в основном активных приборов — диодов, транзисторов, интегральных микросхем. Поэтому в микросборках применяют активные приборы, выполненные по обычной технологии. По конструкции эти приборы можно подразделить на выполненные в корпусах и бескорпусные.

Уровень собственных шумов усилительных ламп, биполярных и полевых транзисторов, интегральных микросхем, туннельных диодов и т. д. определяется их конструкцией, качеством изготовления, режимом работы и температурой окружающей среды. При этом даже если все требования по уменьшению шумов электронного прибора выполнены, то при создании на его основе усилителя с минимальными шумами необходимо оптимальное согласование с источником сигнала. Определим коэффициент шума усилителя, считая его идеальным, а все создаваемые им шумы отнесем ко входу, представив их в виде эквивалентных генераторов шумового тока /ш и шумового напряжения ?/ш.

В XX в. начинается бурное развитие электроники — обширной области науки, техники и производства, охватывающей исследование и разработку электронных приборов и принципов их использования. В истории развития электроники можно выделить четыре основных этапа: электронных ламп, транзисторов, интегральных схем и функциональных устройств.

Наибольшее распространение получили электронные коммутаторы с применением полупроводниковых элементов (диодов, транзисторов, интегральных схем), состоящие из ключей и устройства управления.