Транзисторных структурах

шкалы. Такие полупроводниковые шкалы могут быть использованы в качестве индикаторов настройки транзисторных приемников, для записи аналоговой информации на фотопленку, в качестве шкалы различных измерительных приборов и для других целей.

Н-фильтр обладает такими же характеристиками, как и трансфильтр. Их избирательные свойства невысоки. Поэтому для обеспечения сравнительно узкой полосы пропускания и хорошей избирательности в УПЧ транзисторных приемников их применяют в нескольких каскадах.

Прибор представляет собой микроамперметр магнитоэлектрической системы с непосредственным отсчетом и предназначен для использования в качестве индикатора настройки транзисторных приемников, комбинированных устройств.

2-11. Типовые схемы транзисторных приемников ...................126

диоде или транзисторе) можно считать: 30—60 мВ для транзисторных приемников III—IV класса, 0,15—0,3 В для транзисторных приемников классов от II до высшего и 1—3 В для ламповых приемников.

Сущность ОСЧ заключается в том, что к управляющему элементу устройства АПЧГ, кроме постоянного напряжения, значение которого пропорционально расстройке приемника по отношению к сигналу, с выхода частотного детектора подводится напряжение Звуковой частоты в такой фазе, что система АПЧГ уменьшает девиацию частоты в тракте УПЧ до ширины его полосы пропускания. Полоса пропускания УПЧ не должна быть ^же удвоенного значения наивысшей частоты модуляции, которая подлежит воспроизведению. Совмещение трактов ПЧ, ЧМ и AM ограничивает полосу пропускания при ЧМ до значения полосы пропускания при AM (4—5 кГц), что значительно упрощает схему приемника в диапазоне УКВ по сравнению с «классической» схемой с двумя различными для диапазонов с ЧМ и AM значениями ПЧ, поэтому она может быть рекомендована для портативных .переносных транзисторных приемников. -

Апериодические УВЧ. В большинстве транзисторных приемников прямого усиления, где единственным селективным элементом является резонансный контур ферритовой антенны, применяют апериодический УВЧ. Благодаря большой, крутизне характеристики современных транзисторов (35—40 мА/В при токе коллектора 1 мА) такой усилитель обладает значительным коэффициентом усиления, прост в изготовлении и налаживании. При работе на диодный детектор один каскад по схеме с ОЭ обеспечивает усиление в 100—300 раз в диапазонах СВ и ДВ. При работе на входное сопротивление следующего такого же каскада усиление составляет 15—50 раз в зависимости от выбранного режима и коэффициента усиления по току транзисторов.

Тракты усиления промежуточной частоты транзисторных приемников AM и ЧМ обычно выполняют с резонансными межкаскадными контурами, но учитывая, что проходная емкость транзистора в схеме ОБ в несколько раз меньше, чем

Детекторные каскады транзисторных приемников, как правило, работают при малых подводимых напряжениях ВЧ (30—300 мВ) и с малым сопротивлением нагрузки (2—15 кОм). Это необходимо для согласования выхода деч текторного каскада со входом транзисторного УНЧ, входное сопротивление которого обычно лежит в указанных пределах, и для того, чтобы получить максимальную чувствительность приемника при минимальном усилении в тракте. При малом уровне входных сигналов коэффициент гармоник существенно зависит от правильности согласования детектора с выходом УПЧ и от режима диода детектора по постоянному току. Обычно с выхода детекторного каскада снимается напряжение постоянного тока для АРУ. В транзисторном приемнике это приводит к необходимости подачи на диод смещения из цепи питания базы транзистора соответствующего каскада УПЧ. Протекающий при этом через диод ток в значительной мере определяет коэффициент передачи детектора и его зависимость от уровня входного сигнала. В свою очередь от значения коэффициента передачи детектора зависит его входное сопротивление

2-11. ТИПОВЫЕ СХЕМЫ ТРАНЗИСТОРНЫХ ПРИЕМНИКОВ

Типовые схемы транзисторных приемников

В транзисторных структурах изоляция осуществляется с помощью диффузии, проводимой одновременно с диффузией базы. К изолирующему р-слою и эпитаксиаль-ному n-слою прикладывается такое обратное напряжение, при котором область пространственного заряда p-n-перехода распространяется через эпитаксиальный слой к подложке. Для изготовления структуры требуется четыре операции фотолитографии.

4. Валиев К. А., Орликовский А. А. Полупроводниковые интегральные схемы памяти на биполярных транзисторных структурах.— М.: Советское радио, 1979.

ПРИМЕСНЫХ РАСПРЕДЕЛЕНИИ В ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУРАХ

3) микроминиатюрность элементов (при количестве элементов 1010—10" объем мозга человека составляет 1,5 дм3; современное устройство на транзисторных структурах с таким же числом элементов заняло бы объем в несколько десятков кубических метров);

в транзисторных структурах ............. 42

9. Валиев К. А., Орликовский А. А. Полупроводниковые интегральные схемы памяти на биполярных транзисторных структурах.— М.: Сов. радио, \Ю79.—• 296 с.

Величина т/ч определяется средней скоростью носителей, поэтому она способна характеризовать только фазовые сдвиги или временную задержку выходного импульса. При помощи т-п нельзя определять ни «расплывание» коротких импульсов, ни искажения фронта импульса, которые обусловлены диффузией. В транзисторных структурах даже при наличии встроенного электрического поля диффузия играет существенную роль, поэтому неизбежно имеют место отклонения от среднего времени пролета через данную область. Эти отклонения удобно характеризовать дисперсией, т. е. в данном случае средним значением квадрата отклонения времени пролета от его среднего значения. Дисперсия времени пролета носителей определяется следующим выражением:

Для расчета параметров, характеризующих процессы в транзисторных структурах, необходимо знать закон распределения электростатического потенциала в рассматриваемой области. Как известно, электростатический потенциал определяется решением уравнения Пуассона. В общем случае решение этого уравнения связано с серьезными затруднениями. Поэтому используют приближенные методы определения напряженности поля и электростатического потенциала. В равновесном состоянии напряженность встроенного электрического поля выражается формулой

6.2. ДИОДНЫЕ КЛЮЧИ НА ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУРАХ

В ИМС обычно применяют ключевые элементы на МДП-транзисторах. При этом они строятся на двух последовательно включенных транзисторных структурах, одна из которых выполняет функции ключевого элемента, а другая используется вместо резистора на выходе ключа. В ключевых элементах наиболее часто применяют МДП-транзисторы с индуцированным каналом, так как это позволяет сравнительно просто согласовывать выходные потенциалы предыдущих элементов со входными потенциалами последующих в цепочке ключевых элементов на транзисторах с каналами одной проводимости. МДП-транзисторы со встроенным каналом обычно встречаются в ключевых схемах как нагрузочный элемент.

7.17. Микросхема МДТЛ на транзисторных структурах с разомкнутым эмиттером