Транзисторных логических

Функциональный элемент ЭТ-Ф01 осуществляет гальваническое разделение входных цепей, согласование входов и выходов различных датчиков и транзисторных элементов. Функциональный элемент ЭТ-Ф02 обладает релейной характеристикой и подобно триггеру Шмитта преобразует плавно изменяющееся входное напряжение в дискретный выходной сигнал. Функциональный элемент ЭТ-ФОЗ, называемый нуль-органом, производит сравнение двух напряжений постоянного тока и дает на выходе последовательность импульсов в случае превышения одного из сравниваемых напряжений над другим более чем на 50 мв.

Реле с реагирующим органом в виде трехкаскадного транзисторного усилителя. Схема реле дана на 6.3. В качестве линейного прео0разователя входного тока /вх в напряжение здесь применен трансреактор Т [2]. Регулировка уставки реле осуществляется потенциометром R1. В реле использованы стандартные для функциональных и логических транзисторных элементов уровни напряжения —Е'х, —Ек и +?См, а также уровень — Е"*, который получается при подключении между шинками 0 и —12 В двух последовательно со-

pa из двух и трех транзисторных элементов), семь nf и семь р"'"-диффузионных перемычек, показан на 2.25. Рисунок электрических связей формируется с помощью одного заказного фотошаблона. Сигнальные проводники трассируются с заранее определенным шагом в областях перемычек.

Сердечники с узкой и средней петлей гистерезиса обычно применяются при построении переключающих (магнитно-диодных, магнитно-транзисторных) элементов, а сердечники с широкой петлей гистерезиса — при построении магнитных накопителей запоминающих устройств и бездиодных схем. Ферритовые сердечники с ППГ имеют коэрцитивную силу 0,1—3 А/см и сравнительно небольшую остаточную индукцию (10—20 сТ). У пермаллоевых ленточных сердечников Hf = 0,05 -г 0,4 А/см и Вг — 40 -s- 60 сТ.

сов. На 3-17 приведена схема, обеспечивающая формирование двухтактной последовательности импульсов тока /t и /2. Она обычно используется в импульсных устройствах, выполненных с применением магнитно-диодных либо ферро-транзисторных элементов. Схема содержит блокинг-генератор на транзисторе ТЗ и два формирователя импульсов тока на транзисторах Т1 и Т2, осуществляющих формирование импульсов тока первого и второго такта соответственно. Формирователи содержат трансформаторы на сердечниках с ППГ. Обмотка записи w3 формирователя Ф2 включена в выходную

В настоящее время промышленностью выпускается серия бесконтактных логических и функциональных транзисторных элементов типа Т, широко применяемых и в устройствах защиты и автоматики. На 9.31 приведена схема входящего в эту серию элемента типа Т-101, в котором конструктивно объединены два унифицированных логических элемента ИЛИ—НЕ, выполненных по схеме диодно-триодного инвертора. Для питания элементов

Изменение состояния в релейно-контактных схемах производится замыканием или размыканием контактов в их цепях, в бесконтактных — за счет изменения сопротивления нелинейных элементов (например, открытия или закрытия транзисторных элементов). Бесконтактное исполнение, как имеющее ряд преимуществ, начинает использоваться и для токовых защит. Следует, однако, отметить, что в последние годы достигнуты большие успехи в производстве герметизированных магнитоуправляемых контактов (герконов) и реле с их использованием. Логические части защит с герконами оказываются более совершенными, чем обычные контактные, -и герконы начинают, в частности, использоваться в различном сочетании с бесконтактными логическими элементами в бесконтактных, в^ целом, схемах.

наличие гальванической связи между цепями защиты и общей аккумуляторной батареей станции, подстанции может приводить к повреждению транзисторных элементов, ложным срабатываниям [Л. 1081. Например, при случайном попадании «земли» на коллектор триода ( 2-69) в связи с наличием устройства контроля изоляции, имеющего заземлен-

Блок питания. Здесь формируются стабилизированные и нестабилизированные напряжения, необходимые для нормальной работы возбудителя. Все напряжения образуют несколько групп. . 1. Группа питания функциональных транзисторных элементов со стабилитронами. Напряжения +6 и —12 В, снимаемые с выхода этой группы питания, стабилизированы, а напряжение —24 В не стабилизировано.

на переменном оперативном токе с реле прямого действия. Находят применение также схемы релейной защиты с использованием полупроводниковых и транзисторных элементов, однако эти схемы и устройства в настоящем справочнике не приводятся, так как их промышленное производство еще не освоено. Несмотря на простоту отдельных устройств защиты и автоматики, в сетях промпредприятий значительные трудности при их проектировании вызывает большое разнообразие требований, предъявляемых различными технологическими установками к режимам работы электроустановок и питающих сетей.

Управление распределителями на магнитных элементах с ППГ можно осуществить по схеме, приведенной на фиг. 97, а, состоящей из транзисторного мультивибратора и двух феррит-транзисторных элементов (<2>i и Ф2), которые также усиливают импульсы, получаемые от мультивибратора. Феррит-транзисторные элементы выдают в два канала импульсы, разделенные по времени (фиг. 97, б) для управления двухтактными распределителями.

Быстродействие элемента оценивается временем задержки ^3 дискретного изменения сигнала на выходе при изменении входного сигнала. У современных транзисторных логических элементов t3 составляет единицы или десятые доли микросекунд. Применительно к УРЗ, где, как правило, выполняется последовательно не более 4—5 логических операций, суммарное время действия логической части, состоящей из этих элементов, на несколько порядков меньше времени срабатывания измерительных органов. Поэтому данный параметр для УРЗ несуществен.

Принципы построении статических ИМС на МДП-транзисторах р-типа во многом соответствуют принципам построения транзисторных логических схем с непосредственными связями. Так, для построения многовходовой схемы ИЛИ — НЕ к одному нагрузочному МДП-транзистору подключают стоком т логических транзисторов, истоки которых заземляют. На 6.17, а приве-

Коэффициент разветвления по выходу показывает, на сколько логических входов может быть одновременно нагружен выход данного логического элемента. Для транзисторных логических элементов фактором, ограничивающим коэффициент разветвления, является коэффициент усиления по току выходных транзисторов. Поэтому для повышения коэффициента разветвления выходные цепи логических элементов содержат несколько транзисторов.

— поиск новых прогрессивных методов создания интегральных компонентов (транзисторно-транзисторных логических элементов с диодами Шоттки, элементов, инжекционной логики, МДП-структур);

Коэффициент разветвления по выходу показывает, на сколько логических входов может быть одновременно нагружен выход данного логического элемента. Для транзисторных логических элементов фактором, ограничивающим коэффициент разветвления, является коэффициент усиления по току выходных транзисторов. Поэтому для повышения коэффициента разветвления выходные цепи логических элементов содержат несколько транзисторов.

Логические элементы на транзисторах используют схемы транзисторных ключей, которые могут находиться в одном из двух состояний. Одно состояние соответствует работе транзистора в режиме насыщения, в другом состоянии ключа транзистор закрыт. Используются также эмиттерные повторители, инверторы и схемы с непосредственными связями. На 11.9 приведен один из транзисторных вариантов логической схемы И. В ней, как и в других транзисторных логических схемах, транзисторы работают в ключевом режиме. При отсутствии сигналов на входах оба транзистора заперты положительным смещением на базы от источника Е6. Выходной сигнал (отрицательный импульс) появляется на выходе (эмиттерном резисторе R3) только в случае, когда на оба входа одновременно подаются отрицательные отпирающие импульсы. Конденсаторы Свх во входных цепях уменьшают длительность фронта выходного импульса. В такой схеме можно включать до пяти транзисторов, т. е. иметь до пяти входов.

Принципы построения статических ИМС на МДП-транзисторах р-типа во многом соответствуют принципам построения транзисторных логических схем с непосредственными связями. Так, для

23-10. Внешний вид транзисторных логических элементов серии «Логика-Т»

Основные принципы построения статических микросхем на МДП-транзисторах р-типа во многом соответствуют принципам построения транзисторных логических схем с непосредственными связями. Так, для построения многовходной схемы ИЛИ—НЕ к одному нагрузочному МДП-травзиетору подключаются стоком m логических транзисторов, истоки которых заземляются. На 6.8а приведена логическая схема ИЛИ—НЕ на два входа, содер-

С™ при я = 4, /и = 2; на фиг. 84, в — декомбинаторный блок того же типа, построенный на магнитных элементах с ППГ, а на фиг. 84, г — декомбинаторный блок на транзисторных логических элементах типа НЕ ИЛИ. Как видно из фиг. 84, а, в релейной схеме декомбина-торного блока не происходит ложных операций в случае появления или исчезновения избирающего элемента в кодовом слове. Работа декомбинаторного блока на магнитных элементах с ППГ (фиг. 84, в) при передаче сигнала № 1 (фиг. 84,6) происходит следующим образом: входные импульсы, соответствующие двум избирающим элементам кодового слова (1 и 2), переводят ферриты 2 — 6 в положение 1. После завершения передачи в первоначальном положении 0 остается только феррит 1, соответствующий сигналу № 1. После приема кодового слова посылается импульс исполнения /и, общий для всех ферритов декомбинаторного блока, который переводит в положение 1 только феррит /. Этот импульс используется для возбуждения исполнительного элемента. После исполнения в цепь посылается общий импульс сброса противоположного направления, который возвращает все ферриты в исходное состояние 0, подготавливая их к приему новой информации. Этот тип декомби-наторных блоков защищен только от появления допол« нительных избирающих элементов в кодовом слове. В этом случае при появлении исполнительного импульса все ферриты декомбинаторного блока уже подготовлены и искаженная информация не будет принята. В случае исчезновения избирающего элемента из кодового слова при появлении исполнительного импульса /и будет производиться одновременное переключение нескольких