Транзистора следующего

В зависимости от того, какой из электродов является общим для входной и выходной цепей транзистора, различают три схемы включения: с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ) и с общим коллектором (ОК). База всегда является одним из входных, а коллектор одним из выходных электродов.

По способу включения транзистора различают три схемы одно-каскадных усилителей: усилитесь с подключением транзистора с ОБ, ОЭ и ОК (рис- 5.16, а, б, в). В этих схемах усиливаемый сигнал представлен на входе усилителя в виде эквивалентного источника переменной ЭДС <ГЛХ, а на выходе в виде UBMX. Конден-

Различают три схемы включения транзистора: с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором. Общим называют электрод, относительно которого измеряют и задают напряжения. Ток в цепи общего электрода не определяют. Усилительные свойства транзистора проявляются, если в схеме с общей базой в качестве входной цепи использовать эмиттерную, а в качестве выходной — коллекторную. В схеме с общим эмиттером входной является цепь базы, а выходной — цепь коллектора. Для схемы с общим коллектором входной является цепь базы, а выходной — цепь эмиттера.

Устройство, схемы включения. Устройство полевого транзистора с управляющим р-п переходом показано на 13-1, а. Аналогично биполярному транзистору у полевого транзистора различают три схемы включения ( 13-2): с общим истоком (ОИ), с общим стоком (ОС) и с общим затвором (03). Наиболее употребительна схема ОИ.

В зависимости от выбора рабочей точки на проходной динамической характеристике транзистора различают три

В зависимости от полярности напряжений, приложенных к эмиттерному и коллекторному переходам транзистора, различают четыре режима его работы:

Устройство, схемы включения. Устройство полевого транзистора с управляющим р-п переходом показано на 13-1, а. Аналогично биполярному транзистору у полевого транзистора различают три схемы включения ( 13-2): с общим истоком (ОИ), с общим стоком (ОС) и с общим затвором (03). Наиболее употребительна схема ОИ.

Важнейшими характеристиками транзистора являются обратный ток коллектора, коэффициент усиления по току, частота и мощность рассеяния. Обратным током коллектора называется ток, проходящий по переходу коллектор — база при включении транзистора по схеме с общей базой. Коэффициент усиления по току выражается отношением приращения тока в цепи выходного электрода к приращению тока в цепи входного электрода транзистора. Различают коэффициент усиления по току для схемы с общим эмиттером (0) и коэффициент усиления по току для схемы с общей базой (а).

По способу включения транзистора различают три схемы одно-каскадных усилителей ( 5.14). В них усиливаемый сигнал на входе усилителя представлен в виде эквивалентного источника пе-

электрод базы располагается ближе к эмиттеру, а ширина базы зависит от частотного диапазона транзистора и с повышением частоты уменьшается. В зависимости от полярности напряжений, приложенных к электродам транзистора, различают следущие режимы его работы: линейный (усилительный), насыщения, отсечки и инверсный.

гдер — коэффициент передачи входного транзистора следующего ЛЭ. Это напряжение снижается с ростом числа нагрузок п, что ограничивает нагрузочную способность в состоянии i/BbIX — U1. Поскольку опорный транзистор открыт и в его коллекторной цепи протекает ток /к « /э = ({/„.п — 6/„п — ?/Бэ)/Яэ, то напряжение на прямом выходе

Одна из типичных схем приведена на 7.24. В схеме использована автотрансформаторная связь колебательного контура с цепью коллектора и трансформаторная связь с цепью базы транзистора следующего каскада. Нейтрализация обеспечивается цепочкой К„СН. В таких схемах при изменении в небольших пределах коэффициентов связи между колебательным контуром и цепями коллектора и базы коэффициент усиления каскада почти не изменяется. Однако увеличение коэффициентов связи резко повышает затухание контура и приводит к расширению полосы частот. В этом заключается одно из отличий транзисторного усилителя от лампового, где коэффициент усиления обратно пропорционален полосе частот.

Полосовые транзисторные усилители обычно содержат несколько каскадов либо с одиночными контурами, либо с системами связанных контуров. В узкополосных усилителях применяют неполное включение контура в обе цепи транзисторов, как показано на 7.24. При более широкой полосе используют полное включение контура в цепь коллектора и неполное включение в цепь базы транзистора следующего каскада.

тельного каскада в области нижних частот, когда коэффициент частотных искажений приближается к единице, необходимо иметь как можно большую постоянную времени цепи тн = С7?. С другой стороны, учитывая возможность появления значительных случайных помех на входе усилительного каскада, произведение RC не должно быть слишком большим, так как в этом случае разделительный конденсатор начнет разряжаться, что приведет к возникновению на затворе транзистора следующего каскада такого отрицательного потенциала, при котором ток стока этого транзистора будет равен нулю.

Из (4.180) следует, что улучшить АЧХ каскада на биполярном транзисторе в области нижних частот можно, увеличив произведение RC, как и в каскаде на полевом транзисторе. Однако если в каскаде на полевом транзисторе R достигает единиц мегаом, то в каскаде на биполярном транзисторе R, которое равно параллельному соединению резисторов делителя R\R% и входного сопротивления транзистора следующего каскада, составляет единицы или в лучшем случае десятки килоом. Поэтому разделительные конденсаторы в каскадах на биполярных транзисторах, чтобы обеспечить такую же

импульс напряжения, например равный напряжению источника питания ЕС то транзистор открыт и рабочая точка должна находиться в крутой области стоковой характеристики ( 5.15) так, чтобы выходное напряжение было достаточно низким, меньше порогового напряжения транзистора следующего каскада. Для этого необходимо ЕС/ /Re «С/с, где /с — ток стока в пологой области при ?/зи = — Ее- В цифровых схемах U° принимается за уровень логического нуля. Если на вход поступает напряжение, меньшее U „op, то транзистор закрыт и U3M=Ec, в цифровых схемах это уровень логической единицы.

В транзисторном реостатном каскаде •предварительного усиления звуковых частот сопротивление в цепи коллектора RK -выбирают, исходя из необходимого значения тока покоя коллектора рассчитываемого каскада / ко. Этот ток должен обеспечивать с достаточным запасом как по нелинейным искажениям, так и с точки зрения изменения положения точки покоя при колебаниях температуры окружающей среды и замене транзистора максимальную расчётную амплитуду переменной составляющей входного тока транзистора следующего каскада 1вхмсл- При наличии в каскаде стабилизации режима обычно достаточно иметь

При включении транзистора следующего каскада с общим эмиттером или общим коллектором характеристики рассчитываемого каскада в области верхних частот обычно определяются динамической ёмкостью эмиттерного перехода транзистора следующего каскада Сэа сл i его динамическим сопротивлением гаэ сл и выходным сопротивлением рассчитываемого каскада Явых с учётом цепей смещения и стабилизация следующего. Расчёт частотной характеристики и частотных искажений на iBepxanx частотах в этом случае можно производить по ф-лам (5.38), полагая в них С0=СадСл к Кэв —

ного трансформатора является входное сопротивление транзистора следующего каскада, практически активное в диапазоне звуковых частот.

Выбрав La так, чтобы резонанс .имел место там, где частотная характеристика реостатного каскада падает из-за влияния Со, можно сильно расширить полосу усиливаемых каскадом частот и даже получить подъём частотной характеристики на верхних частотах. В транзисторном усилителе параллельная высокочастотная коррекция действует точно так же; здесь ёмкость С0 практически равна входной динамической ёмкости транзистора следующего каскада.

*) Значение Y , дб определяется динамической входной ёмкостью транзистора следующего каскада. \