Транзистора протекает

Решение. При разомкнутой цепи коллектора результирующий ток коллектора /к равен нулю. На графике выходной ВАХ ( 1.10, б) для /э = 7 мА находим точку с координатой /к = 0. Ей соответствует напряжение на коллекторном переходе С/к=— 0,7В. Это режим насыщения, при котором через оба перехода транзистора происходит инжекция носителей заряда, причем ток инжекции в коллекторном переходе равен по значению и противоположен по направлению току экстракции коллекторного перехода а/э (иначе результирующий ток кол-

Несмотря на то что после момента времени 12 коллекторный ток остается постоянным, заряд в базе продолжает нарастать, но уже с постоянной времени тн, определяемой как среднее время жизни неосновных носителей в базовом и коллекторном слоях транзистора, работающего в режиме насыщения. В базе транзистора происходит накопление неосновных носителей заряда (в данном случае электронов).

Рассматривая основные усилительные схемы на транзисторах, исходят из предположений, что работа транзистора происходит на линейных участках его характеристик, что соответствует малым входным сигналам, иччто при расчете коэффициентов усиления транзисторно-резисторных усилительных схем при работе на средних частотах влиянием входных, переходных и выходных емкостей пренебрегают.

При этом выходное напряжение и»» находится в фазе с входным напряжением и.„. Рассматривая основные усилительные схемы включения, исходят из того, что работа транзистора происходит на линейных участках его характеристик, что соответствует малым входным сигналам, и при расчете коэффициентов усиления транзисторно-резисторных усилителей схемы, учитывая условия работы на средних частотах, влиянием входных, Переходных и выходных емкостей пренебрегают. Основными характеристиками транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, являются статическая входная характеристика 1л(и6) при (Л= const ( 6.1.5) и статическая выходная характеристика /к(С/к) при /e= const ( 6.1.6). В схеме транзистора с Од к эмиттерному переходу транзистора приложено прямое напряжение Unf, поэтому при напряжении на коллекторе L/K = 0 входная характе-

(предположить, что работа транзистора происходит в активном режиме при напряжении коллектор — база ^КБ = = -10 В).

чем (/кэопроб, соответствующее /Б = 0. В этих условиях пробой транзистора происходит при напряжениях, больших i/кэопроб, но не превышающих ?/КБОпроб.

Так же как в ПЗС других конструкций, при статическом режиме работы поверхностно-зарядового транзистора происходит накопление паразитного заряда в пустой потенциальной яме из-за тепловой генерации носителей заряда, т. е. в статическом режиме такой прибор работать не может, ззо

тот же характер, что и в отдельном р-/г-переходе. С ростом температуры из-за увеличения обратных токов транзистора происходит его разогрев и может развиться тепловой пробой коллекторного перехода. Поэтому верхняя допустимая температура коллекторного перехода для германиевых транзисторов ограничена 80-f-100°C, для кремниевых 150-=-200°С.

На третьем этапе переходного процесса п-р-п транзистор работает в области отсечки, вследствие чего его коллекторный ток, поступавший ранее в n-базу, равен нулю. Поэтому в я-базе р-п-р транзистора происходит уменьшение заряда из-за рекомбинации и ухода основных носителей через эмиттерный переход П1, чему соответствует медленный спад анодного тока после момента (2 на 3.72.

ние облучения ПТ протонами на изменение крутизны и максимального тока стока сильно проявляется при Ф„р>1013 част/см2. Если в канале транзистора происходит насыщение скорости дрейфа носителей (идр= = и„ас), то влияние радиации на указанные параметры заметно меньше, чем при vдр<Удр.нас. Это объясняется тем, что при vtf — Чдр.иас скорость дрейфа определяется в первую очередь процессами взаимодействия носителей с кристаллической решеткой и в меньшей степени изменением концентрации объемных дефектов смещения. К наиболее важным характеристикам ПТ относятся коэффициенты усиления ?у и шума km. Повышенное изменение йу и km при малых токах стока для напряжений затвора U3~U^a объясняется существенным уменьшением крутизны прибора с ростом потока нейтронов.

— наименьшее значение тока коллектора (когда все М — 3 входных диодов каждого из N логических элементов проводят). Столь заметное уменьшение времени рассасывания имеет место лишь в том случае, когда транзисторные структуры, используемые в качестве диодов смещения, включаются по схемам, обеспечивающим большее время рассасывания. В противном случае диод смещения быстро запирается, поэтому рассасывание носителей из базы транзистора происходит под действием тока /оа = — ^ем/Яз сравнительно малой величины (см. пример 10). Одновременно рассасываются носители из области базы входных диодов, относящихся к III группе логических элементов. Поэтому эти диоды, как и подобные диоды / группы логических элементов, запираются до выхода транзистора из области насыщения. После запирания транзистора потенциал его коллектора с постоянной времени отсечки

В режиме считывания эмиттерные переходы 2, 3, 4 и 5 транзисторов закрыты (на адресных шинах Х{ и YI логические единицы), ток открытого транзистора протекает по разрядной шине, подключенной к эмиттеру 6 на вход усилителя считывания У4, формируя на его выходе F^ сигнал логической единицы. При этом на выходе F0 усилителя У3 будем иметь логический нуль.

Поступающий на вход х схемы инвертора сигнал 1 открывает транзистор. Ток в цепи открытого транзистора протекает по цепи: корпус, транзистор Т, резистор RK, —UK. Значение тока ограничено в основном сопротивлением резистора RH, на котором произойдет основное падение напряжения. На сопротивлении •открытого транзистора произойдет небольшое падение напряжения. Потенциал коллектора становится близким к потенциалу эмиттера, и напряжение на выходе схемы ?-& будет близким к нулю (у = 0).

На 4.13, в показана распространенная схема каскада с разделенными нагрузками. С помощью резисторов RQI, RUI задается постоянное напряжение на базу транзистора. Ток транзистора протекает через резисторы R3 и RK. Выходное напряжение С/вых! снимается с коллектора транзистора и относительно него каскад является схемой с ОЭ с глубокой отрицательной ОС по току, снимаемой с сопротивления R3. Выходное напряжение ?/вых2, снимаемое с эмиттера, является сигналом эмиттер-ного повторителя, у которого напряжение питания меньше исходного на величину падения напряжения на сопротивлении

При t/BX -- U1 > t/nol.a активный транзистор открыт, его стоковая характеристика (кривая /са) пересекается с характеристикой пассивного транзистора в точке О, определяющей напряжение низкого уровня U°. В этом состоянии во входной цепи активного транзистора протекает ток /сп, задаваемый пассивным транзистором предыдущего инвертора. Этот ток создает падение напряжения на сопротивлении /?„ активного транзистора, поэтому для его стоковой характеристики ^выхо = /сп/?„ > 0 при /с = 0.

Рассмотрим режим покоя. Через канал транзистора протекает ток lc.n — ^и.п, вызывающий падение напряжения на /?!! (Уи. и = /и, п/?;!. Напряжение t/з;; = — t/и.п, т. е. полевой транзистор работает в режиме обеднения при небольшом отрицательном напряжении на затворе. В режиме покоя на стоке имеется напряжение Uc.n, поэтому для обеспе-чения мпьп< — 0 в схему вводится источник компенсирующего напряжения UKOHn = Uc.n (схемные варианты создания UKov.n рассмотрены в § 2.5).

Рассмотрим исходное состояние схемы ( 6.112). Резистор Кб, служащий для ограничения базового тока, имеет небольшое сопротивление. Активное сопротивление базовой обмотки близко к нулю. По постоянному току в отсутствие входных импульсов база транзистора Т соединена с эмиттером через резистор RQ. Транзистор Т заперт. Через коллекторную обмотку запертого транзистора протекает малый ток 1„ = к/к0 .

При отсутствии внешних импульсов (стробов) транзистор Т{ насыщен. В цепи его базы от источника питания Е протекает прямой отпирающий ток /61 —EIR^. Ток коллектора этого транзистора протекает через диод Д и резистор R также от источника питания Е. Коллекторный ток

В каскодном усилителе на биполярных транзисторах г(см. 4.43) транзисторы VT1 и VT2 и резистор /?з с источником питания соединены последовательно. В результате через оба транзистора протекает один и тот же ток. Если подобное соединение двух биполярных транзисторов рассматривать как своеобразный составной транзистор, то его коэффициент передачи тока незначительно отличается от коэффициента передачи тока транзистора VT1. Это следует из очевидных соотношений

4.11. Через последовательное соединение резистора /?н и транзистора протекает ток стока

торную обмотку запертого транзистора протекает ток iK==kIKO малой величины *.

зистор Г 2 использован в схеме эмиттерного повторителя. Выход эмиттерного повторителя является выходом источника напряжения компенсирующей э. д. с. едоп и одновременно выходом всего устройства. Источником напряжения Е служит заряженный конденсатор С0. При отсутствии внешних импульсов (стробов) транзистор 7\ насыщен. В цепи его б.азы от источника питания Е протекает прямой отпирающий ток Ifll = E/K6. Ток коллектора этого транзистора протекает через диод Д и резистор ./? также от источника питания Е. Коллекторный ток