Транзистора определяются

Время нарастания (фронта) выходного напряжения при запирании транзистора определяется обычно между уровнями 0,1 (?с-?/ост), 0,9(?С-С/ОСТ) и равно

Ч- 0,99) /э. С учетом уравнений (2.2) и (2.3) связь между токами транзистора определяется соотношениями

Коэффициенты Яп, Я12, Я21 и Я22 называются Н-параметрами и применяются при рассмотрении схем с транзисторами, так как режим транзистора определяется входным током /t и выходным напряжением С/2. Параметры Я12 и Я21 являются безразмерными, а параметры Яп и Я22 имеют размерность сопротивления и проводимости. Уравнения (9.5) называются уравнениями передачи в Н-параметрах.

базу за отправную точку, приходим к выводу, что тип проводимости эквивалентного транзистора определяется проводимостью маломощного транзистора. На схемах VIII. 17, в иг эквивалентный транзистор будет типа р — п — р, несмотря на то, что в одной схеме ТР имеет проводимость п — р — п, а в другой р — п — р. Пользуясь этим принципом, можно получить эквивалентный транзистор типа п — р — п при любом типе проводимости мощного транзистора.

При этом следует учитывать не длительно допустимую предельную мощность РК.ДОШ рассеиваемую на коллекторном переходе при наличии радиатора, а наибольшую кратковременно допустимую (импульсную) мощность рассеяния Рик.Л<т • Рик.цоп (не зависит от внешнего теплоотвода из-за большой постоянной времени корпуса мощного проходного транзистора) определяется теплоемкостью, теплопроводностью, удельным электрическим сопротивлением полупроводника,

источники тепла представлены в модели точечными источниками и температурная чувствительность отдельного элемента ИМС, например транзистора, определяется при температуре в заданной точке кристалла. Однако резисторы и мощные транзисторы могут занимать достаточно большую площадь, и их можно моделировать последовательным или параллельным соединением аналогичных приборов, расположенных на той же площади, но моделируемых, как обычно, точечными источниками тепла.

Коэффициент переноса к„ для бездрейфового транзистора определяется известным выражением:

С учетом всех эффектов предельная частота усиления транзистора определяется выражением

Канальный ток транзистора определяется также подвижностью носителей. За счет большей подвижности электронов по сравнению с дырками транзисторы с n-каналом характеризуются, как правило, более высокой крутизной проходных характеристик. С увеличением поперечного электрического поля начинает проявляться и механизм изменения крутизны характеристики транзистора, связанный с изменением подвижности носителей в канале. Кроуфордом получено эмпирическое соотношение, связывающее изменение подвижности с напряжением на затворе. В малых полях с напряженностью до 1,5 • 106 В/см подвижность, по Кроуфорду, не меняется; с возрастанием напряжения на затворе измеренное значение сопротивления стока отличается от расчетного на постоянную величину R:

тером второго транзистора определяется напряжением, существующим на зажимах первого транзистора. В этом случае при идентичных транзисторах VI и V2 будут выполняться следующие условия:

Граничная частота полевого транзистора определяется инерционностью фотодиода в области затвора и временем пролета носителей заряда через канал; это время находится в интервале 10"6—10~9 с. Граничная частота полевых фототранзисторов равна 10 — 100 мГц. Фоточувствительность полевых фототранзисторов значительно выше, чем у биполярных, и достигает значений до 10 А/лм. Фототранзисторы служат для приема, преобразования и усиления светового сигнала.

Непременным условием нормальной работы биполярного транзистора является достаточно малая ширина базы W; необходимо, чтобы было выполнено условие W
Частотные свойства биполярного транзистора определяются временем пролета неосновных носителей заряда через базу и временем перезаряда барьерных емкостей переходов. Относительная роль этих факторов зависит от конструкции и режима работы транзистора, а также от сопротивлений во внешних цепях. Для биполярных f транзисторов, предназначенных для работы в области низких и средних частот, основное влияние на частотные свойства оказывает время пролета носителей через базу v

Минимальные горизонтальные размеры областей транзистора определяются точностью изготовления и совмещения фотошаблонов, а также влиянием боковой диффузии. Последний эффект

Как следует из выражения (3.33), длительность фронта выключения уменьшается • с увеличением удельной крутизны нагрузочного транзистора. Поэтому при проектировании инвертора с нелинейной нагрузкой геометрические размеры нагрузочного транзистора определяются заданной длительностью фронта импульса. Быстродействие инвертора существенно повышается при работе нагрузочного транзистора в крутой области в. а. х., так как высокое напряжение на затворе ?см>?'„ .„ -+- Ump\ предотвращает запирание нагрузочного транзистора во время переходного процесса.

Импульсные параметры транзистора. Определяются при работе транзистора в режиме ключа. Для этого режима характерны закрытое и открытое состояния транзистора. Закрытому состоянию соответствует активный режим при малых токах коллектора и базы. При этом вводится условная величина—пороговый ток коллектора /к„ = 0,01 ч-0,03 /к (/к— рабочий ток открытого транзистора).

Токи на электродах транзистора определяются именно этими переменными:

Переходные характеристики ДК "биполярного транзистора определяются иер^одными процессами при ступенчатом изменении входного Сигнала ( 12.6, а). Умножая изображение е^(р) = Emp~* „a Ки(р) и деля его на

§ 15.30. ВАХ биполярного транзистора. Свойства каждого транзистора определяются двумя основными семействами его ВАХ. Первое семейство характеристик — зависимость тока выходной цепи от напряжения между электродами транзистора, включенными в выходную цепь, при каком-либо из остальных токов транзистора, взятом в качестве параметра. В качестве параметра может быть взята и любая другая величина, например напряжение между электродами транзистора, включенными в цепь управления. Это семейство описывает свойства транзистора по отношению к выходной цепи. Второе семейство характеристик — зависимость тока входной цепи (цепи управления) от напряжения между электродами транзистора, включенными во входную цепь, при напряжении между электродами, включенными в выходную цепь (или при токе выходной цепи), взятом в качестве параметра. Это семейство характеристик описывает свойства транзистора по отношению к цепи управления.

По выходным статическим ВЛХ транзистора определяются t/K3 =5 В и /э=5 мА. Так как транзистор кремниевый, то С/БЭ = = 0,5 В. Сопротивления резисторов Ra рассчитываются по формулам (3.21) — (3.23):

Эквивалентная схема транзистора, которая соответствует (4.6), изображена на 4.6. Она содержит два зависимых источника: один — источник напряжения, управляемый напряжением, другой — источник тока, управляемый током. Используя формальные преобразования, подобные уравнениям (4.2), можно исключить зависимый источник напряжения, что будет способствовать упрощению анализа. Однако на практике к такому преобразованию не прибегают, так как для звукового диапазона частот коэффициент обратной передачи напряжения Л12 транзистора — величина весьма незначительная и ею в первом приближении можно пренебречь. В результате получается упрощенная эквивалентная схема транзистора для ^-параметров с одним зависимым источником тока. Значения ft-параметров для разных схем включения транзистора будут, естественно, различными, Особенно это заметно в схемах включения транзистора с ОБ и с ОЭ, когда входные токи значительно отличаются друг от друга. Необходимые параметры транзистора определяются при сравнении соответствующих схем включения. Например, зная значения ft-параметров при включении транзистора по схеме с ОБ, можно их пересчитать для схемы включения с ОЭ или с ОК.

Основные характеристики транзистора определяются в первую очередь процессами, происходящими в базе. В зависимости от распределения примесей в базе может существовать или отсутствовать электрическое поле. Если при отсутствии тока в базе существует электрическое поле, которое способствует движению неосновных носителей заряда от эмиттера к коллектору, то тран