Транзистора называется

датчика тока 4, 5, не в состоянии открыть стабилитроны и транзистор. При повышении тока якоря сверх допустимого сигнал с датчика тока достигает величины, достаточной для отпирания стабилитронов и транзистора. Напряжение на выходе преобразователя падает и привод останавливается.

Для надежной работы транзистора напряжение на его коллекторе и рассеиваемая на нем мощность должны составлять не более 70—80 % от максимально допустимых значений. Создаваемый тем самым второй эксплуатационный запас предотвращает превышение этими параметрами их максимально допустимых значений при колебаниях, например питающих напряжений, при переходных режимах, возникающих при включении ЭА, и др.

Основной схемой включения биполярного транзистора является схема с общим эмиттером (ОЭ). На 2.15 приведена схема ОЭ для нормального включения «-^-«-транзистора. Напряжение [7бэ смещает эмиттерный переход в прямом направлении. Поскольку напряжение ?/6э значительно меньше, чем напряжение икэ(и5э <0,7 В, а [/„ обычно составляет единицы или десятки вольт), то коллекторный переход оказывается смещенным в обратном направлении, т. е. имеется нормальное включение транзистора.

б) потенциометром R^ установить на коллекторе транзистора напряжение ?/кэ = t/K = 0 и в процессе снятия характеристики поддерживать его неизменным;

характеристик является область пробоя, которая в работе транзистора не используется. Если увеличить отрицательное напряжение на затворе, то канал обогатится дырками, его сопротивление уменьшится и соответствующая характеристика пройдет выше. Режим насыщения в этом случае наступит позднее.

Передаточные характеристики МОП-транзисторов имеют такой же вид, как аналогичные характеристики транзисторов с р—«-переходом. Приведенные на 60 передаточные характеристики имеют характерные точки. Для транзистора со встроенным каналом ( 60, а) — это начальный ток прибора /с.нач, т. е. ток при отсутствии напряжения на затворе (Um=0), и напряжение запирания [/зап — напряжение, которое необходимо подать на затвор для прекращения течения тока через транзистор.

Характерной точкой транзистора с индуцированным каналом ( 60, б) является пороговое напряжение ?/Порог, т. е. напряжение на затворе, при котором возникает ток, проходящий через прибор.

Напряжение отсечки [/зи ото — напряжение между затвором и истоком транзистора с р—«-переходом или изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока /с достигает заданного низкого значения; токопроводящий канал при этом оказывается перекрытым.

Пороговое напряжение {/порог — напряжение ?/зи транзистора с индуцированным каналом, при котором возникает ток, проходящий через прибор.

Время, в течение которого выходной ключ открыт, может быть резко увеличено добавлением в каждый выходной ключ еще одного транзистора и конденсатора. При этом током первого транзистора за время tK заряжается емкость в базовой цепи дополнительного транзистора. Напряжение с этой емкости через большое добавочное сопротивление в базе второго транзистора удерживает последний в открытом состоянии до следующего импульса от первого транзистора.

напряжение Ua. б составляет примерно 0,5 В, все остальное напряжение источника Е\ прикладывается между эмиттером и коллектором транзистора V3. Транзисторы V5 и V2 также находятся в активном режиме и, так как коллектор транзистора V2 соединен с базой этого же транзистора, напряжение UK. э мало и имеет величину примерно 0,5 В. Значит, основная часть напряжения источника Е2 прикладывается между коллектором и базой транзисторов V3 и V4. В соответствии с выработанными выше рекомендациями необходимо по возможности уменьшать ток баз этих транзисторов. При этом необходимо, чтобы сохранялся большой коэффициент усиления по току и параметры транзистора были стабильны. При современном уровне технологии возможен выбор номинального тока эмиттера, начиная с /Э0 = 5 мкА, что при использовании обычных транзисторов с коэффициентом усиления по току порядка (3 = 100 позволит иметь токи базы 50 нА, а при использовании транзисторов с (3=1000 (супербета транзисторы) входной ток базы уменьшится до 5 нА. Учитывая, что в настоящее время для современных пленарных транзисторов величина неуправляемого обратного-тока при комнатной температуре меньше 1 нА, названные величины токов базы близки к минимально допустимым при использовании биполярных транзисторов. При обсуждении параметров транзисторных каскадов в 4.8 и 4.9 рассматривались случаи использования транзисторов в обычных усилительных режимах, когда токи маломощных транзисторов выбираются близкими к 1 мА. В микротоковом режиме величина входного и выходного сопротивления значительно выше. Особенно быстро растет входное сопротивление /?вх = /'б+(1-ЬР)''э, где гэ = =<РТ//Э. Отсюда для обычного транзистора (3=100 при токе /э = 5 мкА и /?вх = 500 кОм, а для супербета транзисторов р = = 1000 при том же токе и #Вх = 5 мОм, т. е. входное сопротивление таких каскадов весьма велико и достаточно для построения усилителей, работающих от высокоомных источников сигнала. Важно отметить, что каскад при подаче входного сигнала к первому входу UBXI, не инвертирует выходного сигнала, а при подаче сигнала на второй вход инвертирует его. Это важное свойство особенно сильно проявляется при необходимости охвата усилителя в целом> положительными и отрицательными ОС. Расчет коэффициента усиления по напряжению [формула (4.89)] показывает, что можно получить коэффициент усиления каскада /С^^-1000 при использовании высокоом-ного сопротивления нагрузки, которая подключается параллельно выходному зажиму ивых.

Средний слой биполярного транзистора называется базой Б, один крайний слой — коллектором К, а другой крайний глой — эмиттером Э. Каждый слой имеет вывод, при помощи которого транзистор включается в цепь. В зависимости от полярности напряжения между выводами биполярного транзистора он работает в различных режимах.

В рассмотренном случае база является общим электродом входной и выходной цепей. Такая схема включения биполярного транзистора называется схемой с общей базой (ОБ) . Для усиления сигнала применяются также схемы включения биполярных транзисторов с общим коллектором (ОК) и общим эмиттером (ОЭ) . Последнюю рассмотрим более подробно, так как она наиболее распространена ( 10.16).

Кольцевой вариант униполярного транзистора называется ал-катраном ( 7.14, б). Затвор и сток у него выполнены в виде концентрических колец, окружающих сток, который имеет форму диска. Алкатрон в отличие от текнетрона имеет четвертый электрод, носящий название престриктора. Назначение этого электрода состоит в улучшении условий теплоотвода и предварительном сужении канала, чем обеспечивается фокусировка потока носителей. Преимущество алкатрона состоит в том, что его входная и выход-

Эмиттерный переход обычно смещается в прямом направлении, а коллекторный — в обратном (нормальное или прямое включение транзистора). Если эмиттерный переход смещен в обратном направлении, а коллекторный — в прямом, то такое включение биполярного транзистора называется инверсным или обратным.

Средний слой биполярного транзистора называется базой Б, один крайний слой - коллектором К, а другой крайний спой - эмиттером Э. Каждый слой имеет вывод, при помощи которого транзистор включается в цепь. В зависимости от полярности напряжения между выводами биполярного транзистора он работает в различных режимах.

В рассмотренном случае база является общим электродом входной и выходной цепей. Такая схема включения биполярного транзистора называется схемой с общей базой (ОБ). Для усиления сигнала применяются также схемы включения биполярных транзисторов с общим коллектором (ОК) и общим эмиттером (ОЭ). Последнюю рассмотрим более подробно, так как она наиболее распространена ( 10.16).

Средний слой биполярного транзистора называется базой Б, один крайний слой — коллектором К, а другой крайний глой — эмиттером Э. Каждый слой имеет вывод, при помощи которого транзистор включается в цепь. В зависимости от полярности напряжения между выводами биполярного транзистора он работает в различных режимах.

В рассмотренном случае база является общим электродом входной и выходной цепей. Такая схема включения биполярного транзистора называется схимой с общей базой (ОБ) . Для усиления сигнала применяются такэр<е схемы включения биполярных транзисторов с общим коллектором (ОК) и общим эмиттером (ОЭ) . Последнюю рассмотрим более подробно, так как она наиболее распространена ( 10.16).

Динамическая характеристика, построенная на выходных характер/л- ристиках транзистора, называется линией нагрузки.

Крутизной характеристики S полевого транзистора называется отношение изменения тока стока к вызвавшему его изменению напряжения на затворе при t/CH=const:

Коэффициентом усиления р полевого транзистора называется отношение изменения напряжения стока к вызвавшему его изменению напряжения на затворе при /c=const: