Транзистора благодаря

В биполярных транзисторах очень существенным механизмом проводимости является движение нессновных носителей в теле базы, которое подчиняется законам диффузии. Несмотря на малую толщину базы, время диффузии неосновных носителей заряда в ней бывает заметным по сравнению с периодом колебаний часто даже не очень высокой частоты. Поэтому в схемах с биполярными транзисторами необходимо учитывать оба механизма влияния частоты: влияние емкостей и изменение свойств самого триода. Для описания второго механизма может быть использована приближенная эмпирическая

При выборе лаков или компаундов для заливки плат с МДП полевыми транзисторами необходимо учитывать влияние этих материалов на ток утечки затвора транзистора.

При работе с транзисторами необходимо применение мер защиты от статического электричества.

2. При работе с транзисторами необходимо принимать меры по их защите от статического электричества.

Примечание. При работе с транзисторами необходимо принимать меры защиты от статического электричества.

Примечание. При работе с транзисторами необходимо принимать меры защиты от статического электричества.

При работе с транзисторами необходимо учитывать возможность их самовозбуждения как высокочастотных элементов и принимать меры к его устранению, а также принимать меры защиты от статического электричества.

Примечание. При работе с транзисторами необходимо принимать меры защиты от статического электричества.

При работе с транзисторами необходимо принимать меры защиты от воздействия статического электричества.

При работе с транзисторами необходимо принимать меры защиты от воздействия статического электричества и учитывать возможность их самовозбуждения как высокочастотных элементов.

При работе с транзисторами необходимо принимать меры защиты от воздействия статического электричества и учитывать возможность их самовозбуждения как высокочастотных элементов.

С появлением транзистора благодаря его способности выполнять функции переключателя, малым габаритам и высокой надежности начали воплощаться в реальные устройства идеи и разработки по призводству ЭВМ. Создание сложных бортовых авиационных и космических электронных устройств стало возможным только на основе полупроводниковых приборов.

Предположим, что при подаче в первичную обмотку входного гармонического сигнала, начинающегося с положительной полуволны, во вторичной обмотке возникает напряжение с положительным потенциалом в базе второго транзистора и отрицательным потенциалом в базе первого транзистора. Благодаря отрицательному потенциалу в базе первого транзистора относительно эмиттера возникает базовый ток, который усиливается коллекторной цепью и усиленная полуволна тока протекает через эмиттер-коллекторную цепь первого транзистора и часть первичной обмотки выходного трансформатора, включенную в коллекторную цепь первого транзистора. При .поступлении на вход отрицательной полуволны откроется второй транзистор и усиленная полуволна тока будет протекать через вторую половину первичной обмотки выходного трансформатора. В первичной обмотке выходного трансформатора токи просуммируются и во вторичной обмотке на сопротивлении нагрузки появится напряжение, зависящее от величины протекающих токов и коэффициента трансформации. При идентичности транзисторов и достаточно большой величине входного сигнала схема вносит при усилении сравнительно небольшие искажения.

дах, в которых использование источника тока, включаемого в эмиттерные цепи транзисторов, наряду с повышением стабильности режима позволяет существенно повысить степень подавления синфазной помехи без снижения усиления полезного сигнала. Источник тока обычно строят на транзисторе, ток которого можно стабилизировать при помощи второй транзисторной структуры в диодном включении. В частности, в качестве такого источника стабилизированного тока можно использовать схему на 3.1, а. Разновидностью этой схемы является схема на 3.2, в которой путем включения резистора Кэ в эмиттер Т удается увеличить выходное сопротивление источника тока до значения сопротивления коллекторного перехода гк (за счет обратной связи по току). При этом, чтобы транзистор Т не работал в режиме очень малых токов, приходится включать небольшое сопротивление R3\ в эмиттер транзистора Т\, чтобы повысить потенциал базы Т и тем самым увеличить ток эмиттера этого транзистора. Благодаря введению глубокой обратной связи по току через резистор Яэ эта схема становится малочувстиительной к изменениям напряжения источника питания Е. В отличие от схем на 3.1, в которых ток /к меняется прямо пропорционально Е, в этой схеме ток /к меняется в значительно меньшей степени.

резистор Rm от коллекторного транзистора. Благодаря этому исключаются неоправданное увеличение коллекторного тока транзистора и изменение длительности выходного импульса, которое могло бы произойти при непосредственном подключении Rm к выводам коллекторной обмотки.

можно выполнить несколько миллионов элементов с помощью таких же простейших технологических операций по формированию p-n-переходов, как и одиночного планарного транзистора. Благодаря этому обеспечивается высокая идентичность параметров ИМС и существенно повышается их надежность по сравнению с аналогичными схемами на дискретных элементах. ИМС обладают рядом существенных преимуществ по сравнению с электронными схемами на дискретных элементах. К ним относятся: самостоятельное выполнение практически любых функций, не требующее соединения ряда элементов в схему; повышенная надежность за счет отсутствия паяных и сварных соединений; возможность резкого увеличения количества активных элементов в схеме без увеличения ее общей стоимости; идентичность смежных элементов схемы, сохраняющаяся и при изменении внешних факторов (температуры, давления, влажности и т. д.).

Насыщение транзистора приводит к увеличению продолжительности стадии подготовки, а следовательно, к уменьшению быстродействия триггера. Поэтому в быстродействующих схемах применяются ненасыщенные триггеры, в которых предотвращается насыщение открытого транзистора, благодаря чему сокращается продолжительность времени переброса триггера и соответственно повышается его быстродействие.

импульса анод диода Д оказывается связанным с корпусом через насыщенный транзистор Т; диод Д при этом заперт и отключает резистор Rm от коллектора транзистора. Благодаря этому исключаются неоправданное увеличение коллекторного тока транзистора и изменение длительности выходного импульса, которое могло бы произойти при непосредственном подключении Rm к выводам коллекторной обмотки, так как согласно (5.25) длительность импульса зависит от величины сопротивления, подключенного к указанным выводам.

В качестве примера на 8.35 приведена практическая схема преобразователя частоты с транзистором. Фильтр, образованный элементами Ьг и Сь предназначен для отделения сигналов зеркального канала. Напряжения сигналов и гетеродина поступают в цепь базы транзистора благодаря индуктивной связи между катушками LI, L3 и L3, Lg. В качестве нагрузки транзистора в его коллектэрной

Дальнейшее совершенствование диффузионно-планарнои технологии и использование методов двойной диффузии позволили получить многоканальные структуры мощных МДП-транзисторов ( 2.13). Активная область канала данных приборов формируется аналогично базе биполярного транзистора. Благодаря хорошей управляемости диффузионного процесса оказалось возможным изготовление рабочих каналов длиной менее 1 мкм с хорошей воспроизводимостью. Для транзисторов с относительно высокими пробивными напряжениями (более 100...300 В) используют ОМДП- и УМДП-структуры.

нагрузки первого каскада Rs включен в коллекторную цепь со стороны эмиттера транзистора, благодаря чему напряжение на нем совпадает по фазе с входным напряжением. Поэтому при случайном попадании напряжения с выхода второго каскада на вход первого, например, из-за паразитной связи между выходом и входом усилителя, самовозбуждение не возникает, так как наведенное напряжение оказывается в противоположной фазе к напряжению сигнала. Это равноценно отрицательной обратной связи, увеличивающей" стабильность усилителя. При непосредственной связи базы второго транзистора с'эмиттером первого оба каскада охватываются АРУ при подведении напряжения регулирования только к базе первого каскада.

Для уменьшения влияния импульсных помех в цепь базы транзистора включена цепь R1C2. Резистор У?4 необходим для того, чтобы большая входная емкость селектора не шунтировала нагрузку видеоусилителя. Кроме того, резисторы R^ Ri и i?2 составляют делитель, понижающий напряжение сигнала, приложенного к базе транзистора. Благодаря этому предотвращается пробой перехода база — эмиттер положительным напряжением, имеющимся на конденсаторе Ct, которое при отсутствии делителя может превысить допустимую величину. Цепи R^Ca и C^Rg, так же как и в схеме на 3-51, служат для разделения синхро-