Транзисторах включенных

мая в выходных каскадах на биполярных и полевых транзисторах, работающих на нагрузку, содержащую емкость ( 4.9).

К динамическим параметрам относятся диапазон частот ( в основном для аналоговых ИС) и быстродействие (для цифровых ИС). Эти параметры главным образом зависят от вида активных элементов, а также величин рабочих и паразитных емкостей. Например, предельные рабочие частоты у биполярных транзисторов достигают 1000 МГц, в то время как у полевых — только 100 МГц. Эти же различия во многом определяют быстродействие ИС, оцениваемое по времени задержки прохождения сигнала от входа к выходу. Для логических схем на биполярных транзисторах, работающих в ключевом режиме,

Наибольшее распространение в схемах бесконтактных УРЗ получили биполярные транзисторы типов р-п-р и п-р-п, состоящие из двух противоположно включенных р-я-переходов. Обычно они используются в ключевом режиме, поскольку коэффициент усиления каждого типа транзистора меняется от экземпляра к экземпляру и существенно зависит от его температуры, что очень усложняет построение схем на транзисторах, работающих в линейном режиме.

37. Диаграмма работы усилительного каскада, выполненного на активных элементах (биполярных и полевых транзисторах), работающих в режиме обогащения по схеме с общим эмиттером (истоком)

В настоящее время в большинстве случаев в преобразователях напряжения используются более прогрессивные бесконтактные переключающие устройства, выполненные на транзисторах [Л. 28]. Основными преимуществами преобразователей на транзисторах являются: высокий коэффициент полезного действия (порядка 60—85%), небольшие размеры сглаживающих фильтров и трансформаторов, отсутствие движущихся частей и, следовательно, большая надежность в работе. Повышенный к. п. д. этих преобразователей объясняется малыми потерями в транзисторах, работающих в режиме переключения при прямоугольной форме напряжения, удобной для работы последующих полупроводниковых выпрямителей.

Для описания процессов, которые протекают в биполярных транзисторах, работающих в линейном режиме, используют сравнительно много линейных моделей для каждого способа включения транзистора. Например, только для схемы с ОЭ можно записать три пары уравнений с 2 -, У- и Я-параметрами для двух случаев, когда емкости р-п переходов учитываются или принимаются равными нулю. Кроме того, на основе этих уравнений можно получить шесть эквивалентных схем, построить шесть сигнальных или унисторных графов, наконец, записать шесть матриц и т. д. Каждая из названных линейных моделей биполярного транзистора по-своему адекватно отображает его свойства.

1) прохождение через транзистор больших токов (точнее, токов с большой плотностью) часто сопровождается высоким уровнем инжекции. Практически в транзисторах, работающих в активном режиме, высокий уровень инжекции может наблюдаться только в базе. Действительно, эмиттер транзистора изготовляют из сильнолегированного материала, поэтому получить высокий уровень инжекции в нем довольно трудно. К тому же в общем токе эмиттера доля носителей заряда, инжектируемых из базы, невелика (см. § 4.2). В режиме насыщения высокий уровень инжекции возможен и в коллекторе;

Среднее значение тока в нагрузке можно регулировать изменением относительной длительности управляющего тока базы. Формирование импульсов тока базы и регулирование их относительной длительности производятся с помощью специальных схем, построенных на тех же транзисторах, работающих в релейном режиме.

Схемы усиления на транзисторах, работающих в режиме переключения, широко применяются в качестве силовых усилителей в различных системах автоматики, например для регулирования частоты вращения двигателей, напряжения генераторов, а также в силовых переключающих устройствах — в выключателях защиты сетей, пускателях и т. п.

и работают на низких частотах со, что накладывает ограничение на верхнюю частоту усиливаемого сигнала. Полупроводниковые диоды имеют плохую стабильность параметров. В настоящее время наиболее распространены модуляторы на транзисторах, работающих в ключевом режиме.

В быстродействующих переключательных транзисторах, работающих в режиме насыщения, заряд, накапливающийся в коллекторе в период прямой электропроводности, вызывает ток и в закрытом состоянии. Для уменьшения времени жизни неосновных носителей заряда и повышения скорости переключения, в коллектор вводят золото, которое создает дополнительные центры рекомбинации. С помощью диффузии золота можно устанавливать время жизни в широких пределах (от .наносекунд до микросекунд).

Цель работы. Изучение принципа работы и исследование характеристик простейших усилителей на биполярных, полевых и составных транзисторах, включенных по схемам ОЭ, ОК (ОИ, ОС).

Использование ДК на составных транзисторах, включенных по схеме Дарлингтона ( 7.3, в), обеспечивает увеличение входного сопротивления каскада до 20 МОм и уменьшение входных

Усилители мощности на транзисторах. Усилители мощности предназначены для отдачи максимальной мощности в заданную нагрузку при допустимых нелинейных и частотных искажениях. Они содержат один или несколько каскадов усиления. Выходной (оконечный) каскад работает в режиме больших сигналов и, следовательно, потребляет большую мощность от источников питания. Он должен иметь достаточно высокий КПД. Выходные каскады выполняются на специальных мощных транзисторах, включенных обычно по схеме с общим эмиттером или с общим коллектором. Выходной каскад отдает в нагрузку максимальную мощность при определенном сопротивлении нагрузки, называемом оптимальным (Л„.опт), часто отличающимся от заданного сопротивления RH. Обеспечить оптимальное сопротивление нагрузки позволяет использование трансформатора в выходном каскаде. Необходимое значение коэффициента трансформации рассчитывают по формуле

транзисторах, включенных по схеме с общим эмиттером, и целый ряд других усилительных устройств.

Схема двухкаскадного усилителя с У?С-связью на транзисторах, включенных с ОЭ, приведена на 6.39, а. Назначение всех элементов схемы ясно из изложенного ранее. Расчет элементов усилителя ведется из условия обеспечения им требуемого Ки, Kt, Rm., Rubix и коэффициента нелинейных искажений /Сг в заданной полосе частот усилителя от /н до*/в при заданных коэффициентах частотных искажений Мн и Мъ соответственно.

тель на биполярных транзисторах, включенных по схеме с общим эмиттером и целый ряд других усилительных устройств.

В этом случае условие генерации (^0Ро > 1) будет выполнено. Чаще всего в генераторах этого типа используются усилители с активными нагрузками, обладающие широкой полосой. Если в усилителе применяются каскады с общим катодом (общим эмиттером), то фазовый сдвиг в одном каскаде этого типа равен я, следовательно, в генераторе должно быть применено четное число таких каскадов. (Для достижения коэффициента усиления в три единицы достаточно двух.) На 9.11 приведена схема генератора с рассматриваемой цепью (называемой часто цепью Вина) на двух биполярных транзисторах, включенных по схеме с обидим эмиттером. Цепь Вина образована здесь конденсаторами Сг и С2, резистором R± и входным сопротивлением первого каскада (а не только резистором Rz). Каскады усиления на р — п — р-транзисторах, использованные в схеме, имеют стабилизирующие резисторы #4 и /?7 в цепях эмиттеров, не шунтированные конденсаторами, так как требуемый коэффициент усиления в три единицы легко достижим и при глубокой обратной связи, создаваемой этими резисторами.

на транзисторах, включенных по схемам

210. Схема генераторов с внешним возбуждением на лампах, включенных с общим катодом и с общей сеткой (а, б), и на транзисторах, включенных с общим эмиттером и с общей базой (в, г)

§ 44. Усилительные каскады на транзисторах, включенных по схемам

Усилители мощности на транзисторах. Усилители мощности предназначены для отдачи максимальной мощности в заданную нагрузку при допустимых нелинейных и частотных искажениях. Они содержат один или несколько каскадов усиления. Выходной (оконечный) каскад работает в режиме больших сигналов и, следовательно, потребляет большую мощность от источников питания. Он должен иметь достаточно высокий КПД. Выходные каскады выполняются на специальных мощных транзисторах, включенных обычно по схеме с общим эмиттером или с общим коллектором. Выходной каскад отдает в нагрузку максимальную мощность при определенном сопротивлении нагрузки, называемом оптимальным (/?нопт), часто отличающимся от заданного сопротивления Яя. Обеспечить оптимальное сопротивление нагрузки позволяет использование трансформатора в выходном каскаде. Необходимое значение коэффициента трансформации рассчитывают по формуле

Т^. Особенностью гетеродина является то, что он выполнен на двух транзисторах, включенных по схеме, подобной мультивибратору с эмиттерной связью. Однако благодаря стабилизирующей роли контура такой генератор генерирует не прямоугольные импульсы, а синусоидальное напряжение. Некоторое усложнение схемы гетеродина (два транзистора) полностью компенсируется упрощением коммутации контуров гетеродина. Транзистор Гд служит для стабилизации режима транзисторов гетеродина, а следовательно, и преобразователя. Транзистор Tt предназначен для работы в УВЧ с АРУ, для чего он получает питание от усилителя постоянного тока цепи АРУ, входящего в состав микросхемы УПЧ К2ЖА372). В приемниках высокого класса между УВЧ и преобразователем