Транзисторы называются

Транзисторы маломощные:

Промышленность выпускает германиевые и кремниевые биполярные транзисторы: маломощные — Ртах.^= 0,3 Вт; средней мощности — 0,3 < /'max < 1.5 Вт; мощные — Ятах до десятков ватт и силовые — ''max Д° сотен ватт, предназначенные для работы на низких частотах (frp < 30 МГц), высоких (30 МГц < /Vp < 300 МГц) и сверхвысоких (frp > 300 МГц), а также переключательные. Кроме того, выпускают транзисторные сборки и матрицы, содержащие от двух до четырех транзисторов.

Транзисторы: маломощные германиевые низкочастотные — от 1 до 100, маломощные кремниевые низкочастотные — от 101 до 200, мощные германиевые низкочастотные — от 201 до 300, мощные кремниевые низкочастотные — от 301 до 400.

Транзисторы маломощные низкочастотные

Транзисторы маломощные высокочастотные

Раздел третий. Транзисторы маломощные низкочастотные ..................... 36

Раздел четвертый. Транзисторы маломощные высокочастотные.................... 166

Раздел пятый. Транзисторы маломощные сверхвысокочастотные .................. 307

Раздел десятый. Транзисторы маломощные...... 812

1 — транзисторы маломощные (Рмакс ^ 0,3 Вт) низкочастотные (/< 3 МГц);

2 — транзисторы маломощные средней частоты (3
В сплавном транзисторе база однородна, поэтому механизм перемещения носителей имеет диффузионный характер и такие транзисторы называются диффузионными (бездрейфовыми). В рабочем режиме на переходы транзистора подают постоянные напряжения t/эв и UKB, которые создаются источниками э. д. с. Еэ и Ек. в эмит-терной и коллекторной цепях ( 6.3).

В ряде транзисторов, получаемых при изготовлении методом диффузии, концентрация нескомпенсированных примесей спадает.по направлению от эмиттера к коллектору и возникает поле, способствующее движению неосновных носителей от эмиттера к коллектору. Такие транзисторы называются дрейфовыми, и закон распределения носителей в базе отличается от уравнения (6.3). Это объясняется тем, что для бездрейфового транзистора величина концентрации носителей постоянна, а для дрейфового является функцией от х, что приводит к искажению линейного закона изменения рп (х) ( 6.4, б), так как градиент концентрации носителей вблизи эмиттера уменьшается.

Диффузионно-сплавные транзисторы. Такие транзисторы изготавливаются из германия га-типа, который является базовым слоем. В лунки, протравленные на этом слое, вводятся акцепторные и донорные примеси. При нагреве до 900° С сплавы переходят в жидкое состояние (как при сплавной технологии) и одновременно имеет место диффузия 'примесей в базовый, слой, поэтому транзисторы называются диффузионно-сплавными. Их конструкции в обычном и коаксиальном исполнении приведены на 7.1, а параметры —в ia4a 7,1. В отличие от сплавных транзисторов, кор-

Планарно-эпитаксиальные транзисторы. Процесс эпитаксиаль-ного наращивания подробно рассмотрен в § 3.3. Полученные таким способом транзисторы называются планарно-эпитаксиальными. Применение эпитаксиального метода позволяет значительно уменьшить сопротивление коллектора и в 3.. 10 раз уменьшить падение напряжения на нем. В результате улучшаются характеристики транзистора: увеличивается запас по напряжению и уменьшаются паразитные потери. При этом достигается частотный предел до сотен мегагерц при мощности рассеивания несколько ватт. Все это обеспечило преимущественное распространение планарно-эпитак-сиальных транзисторов.

ми контактами. Полевые транзисторы называются униполярными, так как в переносе тока у них участвуют только неосновные носители, в то время как обычные транзисторы называются биполярными, так как в переносе тока у них участвуют два типа носителей: основные и неосновные. Из-за отсутствия инжекции неосновных носителей и инерционного процесса их накопления униполярные транзисторы обладают повышенным быстродействием по сравнению с биполярными и низким уровнем шумов.

В униполярных транзисторах ток образуется носителями заряда одного знака, поток которых управляется электрическим полем. Поэтому наряду с термином «униполярный» такие транзисторы называются также полевыми.

Наиболее распространенные транзисторы имеют два р-п перехода. В них используются носители заряда обеих полярностей. Такие транзисторы называются биполярными. Особую группу -составляют полевые, или канальные, транзисторы, которые часто называют униполярными, а также однопереходные транзисторы (двухбазовые диоды).

Весьма перспективным направлением разработок логических ИМС на полевых транзисторах является использование МОП-транзисторов с каналами разного типа проводимости ( 11.17). Такие транзисторы называются комплементарными, а логические ИМС этого типа обозначаются КМОПТЛ. Поскольку открывание одного из этих транзисторов всегда сопровождается закрыванием другого, то такие схемы практически не потребляют мощности в статическом режиме. Общая закономерность построения схем КМОПТЛ состоит в том, что параллельное соединение одного типа транзисторов сопровождается последовательным соединением транзисторов другого типа.

Так как область коллектора р-тпа проводимости, то р">п и Yk^I, хотя всегда ук>1. Отметим, что при одинаковых соотношениях концентраций ук для р—п—р-транзистора больше, чем для п—р—п, так как обычно йп>йр. Если напряжение на коллекторе близко к значению напряжения пробоя коллекторного р—л-перехода, то ук следует умножить на коэффициент умножения М (1.44). В этом случае ук может быть много больше единицы. Такие транзисторы называются лавинными и будут рассмотрены в гл. 5.

мя переноса неосновных носителей через базу и увеличить быстродействие. Очевидно, что создав в базе транзистора градиент концентрации примесей и соответственно электрическое поле, ускоряющее движение неосновных носителей к коллектору, можно существенно улучшить частотные свойства транзисторов. Такие транзисторы называются дрейфовыми.