Транзисторы кремниевые

Полевые транзисторы изготовляют из кремния и в зависи-

слой р. Продольные участки исходного монокристалла, расположенные по обе стороны от эмиттера, являются верхней Б2 и нижней Б\ базами транзистора. При этом база 5i в сочетании с эмиттером и /о-и-переходом между ними выполняет функции диода, а база БЧ является плечом в делителе напряжения смещения ?/6б2, подводимого к наружным выводам баз. Однопереходные транзисторы изготовляют таким образом, что /i = /2/(4 —5), поэтому сопротивление нижней базы (подэмиттерного слоя базы) Б\ меньше сопротивления базы Б2.

Биполярные транзисторы изготовляют так, чтобы концентрация электронов в эмиттере значительно превышала концентрацию дырок в базе. В этом случае малым потоком дырок, инжектируемых из базы в эмиттер, можно пренебречь и считать, что при прямом смещении весь ток эмиттера определяется потоком инжектированных электронов:

Современные транзисторы изготовляют методами планарно-эпитак-сиальной технологии (см. § 8). На кремниевой пластине 1 л+-типа ( 43) с эпитаксиально выращенным на ней тонким (несколько микрометров) слоем 2 n-типа локальным диффузионным легированием с применением фотолитографии последовательно изготовляют области базы 4 р-типа и области эмиттера 5 /7+-типа. Для уменьшения емкости и повышения пробивного напряжения коллекторного р-п-перехода его изготовляют в слабо легированном слое 2 Сильное легирование пластин / необходимо для уменьшения сопротивления коллекторной области. Далее фотолитографией изготовляют контактные окна к областям эмиттера и базы в слое диоксида кремния 3, осаждают слой металлизации и фотолитографией получают рисунок металлизации, формируя электроды эмиттера 6 и базы 7. Затем пластину кремния разделяют на отдельные кристаллы. Металлизированный электрод коллектора 9 изготовляют обычно одновременно с монтажом кристалла пайкой в корпусе прибора.

Полевые транзисторы изготовляют из кремния и в зависимости от электропроводности исходного материала подразделяют на транзисторы с каналами р- и n-типа. Условные обозначения

Полевые транзисторы изготовляют двух типов: с затвором в виде р-п-пе-рехода и с изолированным затвором.

МДП-транзисторы изготовляют с использованием той же технологии. Однако число операций сокращается примерно в три раза, а площадь, занимаемая транзистором, - в 20 раз.

Пробой p-n-перехода обычно имеет лавинный характер, так как МДП-транзисторы изготовляют обычно на кремнии. При этом на пробивное напряжение ?/си проб может влиять напряжение на затворе: так как на сток и на затвор МДП-транзистора с индуцированным каналом подаются потенциалы одной полярности, то с увеличением напряжения на затворе будет увеличиваться (Л:и проб (см. 6.9, а).

Мощные транзисторы изготовляют в большинстве случаев методами сплавной технологии; при производстве высокочастотных транзисторов большой мощности используется планарная технология.

Мощные транзисторы изготовляют в большинстве случаев методами сплавной технологии; при производстве высокочастотных транзисторов большой мощности используется планарная технология.

Транзисторы кремниевые полевые:

Низкочастотные маломощные транзисторы. Кремниевые транзисторы имеют чаще всего эпитаксиально-планарную (см. 4.4) или пленарную структуру п-р-п-тппа. Планар-ные транзисторы создают в подложке л-типа без эпитакси-ального слоя.

Транзисторы кремниевые, п-р-п, 2Т319 (А, Б, В)

Транзисторы кремниевые планарные n-p-п универсальные низкочастотные маломощные.

Транзисторы кремниевые сплавные п-р-п усилительные низкочастотные с ненормированным (МП101, МП101Б, МП102, МП103, МШОЗА, МШИ, МП111Б, МП112, МП113, МППЗА) и нормированным (МП101А, МПША) коэффициентами шума на частоте 1 кГц.

Транзисторы кремниевые

Транзисторы кремниевые планарные п-р-п маломощные.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усилительные низкочастотные с ненормированным (2Т201 А, КТ201 А, 2Т201Б, КТ201Б, 2Т201В, КТ201В, 2Т201Г, КТ201Г) и нормированным (2Т201Д, КТ201Д) коэффициентами шума на частоте 1 кГц.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п маломощные.

Транзисторы кремниевые эпитак-сиально-планарные п-р-п маломощные универсальные.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п универсальные маломощные.