Транзисторы характеризуются

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные п-р-п универсальные низкочастотные маломощные.

Транзисторы германиевые сплавные п-р-п усилительные низкочастотные с ненормированным (МП10, МП10А, МШОБ, МП11, МП 11 А) и нормированным (МП9А) коэффициентами шума на частоте 1 кГц.

Транзисторы германиевые сплавные п-р-п низкочастотные усилительные маломощные.

Транзисторы германиевые сплавные n-p-п усилительные низкочастотные маломощные.,

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р универсальные низкочастотные маломощные.

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р универсальные низкочастотные маломощные.

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р универсальные низкочастотные маломощные.

Транзисторы германиевые сплавные p-n-р универсальные низкочастотные маломощные.

Транзисторы германиевые сплавные р-п-р универсальные низкочастотные маломощные.

Транзисторы германиевые сплавные р-п-р низкочастотные маломощные.

Транзисторы германиевые сплавные p-n-р переключательные низкочастотные маломощные.

МДП-транзисторы характеризуются следующими мало-сигнальными параметрами:

Кроме указанных, полевые транзисторы характеризуются также максимально допустимыми параметрами, которые определяют предельные эксплуатационные режимы работы прибора:

Кроме указанных, однопереходные транзисторы характеризуются рядом других максимально допустимых параметров, таких как / Э max, ?/Б1в2 шах, С/в2 Э max, [max, -Ртах, ОПреДбЛЯЮЩИХ

Эксплуатационные параметры транзисторов. Транзисторы характеризуются эксплуатационными параметрами, предельные значения которых указывают на возможности их практического применения. При работе в качестве усилительных приборов используются рабочие области характеристик биполярных и полевых транзисторов, показанные на 16.23 и 16.24 соответственно.

В некоторых аналоговых микросхемах используют полевые транзисторы с управляющим р-п переходом. Известно, что в отличие от биполярных полевые транзисторы характеризуются значительно большим входным сопротивлением и меньшим уровнем шумов, но уступают им по быстродействию и занимают большую площадь. Поэтому по-

Мощные сплавные транзисторы характеризуются некоторыми конструктивными отличиями. Эмиттер таких транзисторов получают вплавлением индия с примесью галлия, что позволяет увеличить коэффициент инжекции и получить токи эмиттера значительной величины. Для уменьшения сопротивления базы и увеличения площади: эмиттера с целью получения больших токов /э применяются эмиттерньш переходы в виде полос ( 12-27, а). Коллектор припаивается для улучшения теплоотвода к массивному основанию корпуса, которое иногда снабжается специальным радиатором (см. 9-1, в).

жения 20—30 В, так как при этом облегчается тепловой режим. Для обеспечения хорошего теплоотвода кристалл мощного транзистора устанавливается на массивное металлическое основание корпуса, которое в ряде случаев имеет специальный радиатор. Современные мощные транзисторы характеризуются следующими параметрами: допустимое коллекторное напряжение свыше 100 В, ток коллектора более 50 А, мощность, отдаваемая в нагрузку в диапазоне частот 1,5—30 МГц, равна 175—200 Вт.

Независимо от схемы включения транзисторы характеризуются дифференциальным коэффициентом прямой передачи тока, который представляет собой отношение выходного тока к вызвавшему его Приращению входного тока при постоянном напряжении в выходной цепи. С учетом (7.7) для схемы с общей базой таким коэффициентом может служить коэффициент передачи тока эмиттера

Кроме указанных, полевые транзисторы характеризуются рядом других максимально допустимых параметров, определяющих предельные режимы работы прибора.

Мощные сплавные транзисторы характеризуются некоторыми конструктивными отличиями. Эмиттер таких транзисторов получают вплавлением индия с примесью галлия, что позволяет увеличить коэффициент инжекции и получить токи эмиттера значительной величины. Для уменьшения сопротивления базы и увеличения площади: эмиттера с целью получения больших токов /э применяются эмиттерньш переходы в виде полос ( 12-27, а). Коллектор припаивается для улучшения теплоотвода к массивному основанию корпуса, которое иногда снабжается специальным радиатором (см. 9-1, в).

Эксплуатационные параметры транзисторов. Транзисторы характеризуются эксплуатационными параметрами, предельные значения которых указывают на возможности их практического применения. При работе в качестве усилительных приборов используются рабочие области характеристик биполярных и полевых транзисторов, показанные на 16.23 и 16.24 соответственно.

•где L — длина канала, Vd — скорость дрейфа носителей. Кроме того, при работе в режиме усиления транзисторы характеризуются предельной частотой отсечки /т: