Тонкопленочных интегральных

1. Как классифицируются интегральные микросхемы пс конструктивно-технологическому исполнению? 2. Из каких этапов состоит процесс изготовления гибридных интегральных схем? 3. Каковы разновидности методов изготовления тонкопленочных гибридных интегральных схем и их особенности? 4. Каковы особенности технологии изготовления толстопленочных гибрздных интегральных схем? 5. Какова последовательность операций сборки и герметизации интегральных схем, в чем их основное содержание? 6. Какие существуют разновидности больших интегральных схем, особенности их изготовления и использования в электронных измерительных приборах? 7. Каковы перепек- -ивные направления развития микроэлектроники, используемые при изготовление электронных измерительных приборов?

В тонкопленочных гибридных ИС ( 76) осаждение всех слоев выполняют различными методами вакуумного распыления. Для получения требуемого рисунка в слое распыление проводят через специальные металлические маски, имеющие окна нужной формы и прижатые к подложке (применяют также и фотолитографию).

Гибридные толстопленочные ИС изготовляют, используя в качестве пленкообразующих покрытий специальные пасты, содержащие диэлектрические (стеклянный порошок), проводящие и резистивные (золото, серебро, палладий, платина, их сплавы и оксиды) материалы. Пасту наносят на подложку через трафарет с нужным рисунком, а затем отжигают при 600—1000 С. При отжиге наполнители спекаются, образуя диэлектрическое, проводящее или резистивное покрытие. Активные компоненты монтируют так же, как в тонкопленочных гибридных ИС, применяя микросварку или микропайку.

Формирование пассивных элементов тонкопленочных гибридных микросхем. Наиболее производительно и экономично формирование рисунка пленочных элементов с помощью накладного металлического трафарета. Он представляет собой пластину толщиной 100 мкм из бе-риллиевой бронзы, покрытую тонким (10 ... 20 мкм) слоем никеля. Методом фотолитографии в нем формируют отверстия с требуемым рисунком, через которые осуществляют сквозное травление бронзы. Минимальный размер отверстий трафарета порядка 100 мкм, точность воспроизведения невысока (около 20 мкм). Трафарет рассчитан на многократное использование (до 100 циклов).

греве происходит их выщелачивание. Ситалл представляет .собой вид стекла, получаемый после формовки специальной термообработкой, приводящей к кристаллизации изделий. Он состоит из мелких кристаллических зерен, скрепленных стекловидной прослойкой. В большинстве случаев ситалл имеет более высокие электромеханические параметры, чем стекло. Он так же хорошо шлифуется, полируется и режется. Подложки из ситалла нашли самое широкое применение для тонкопленочных гибридных интегральных схем. Керамика на основе окиси алюминия обеспечивает практически все требования, предъявляемые к подложкам, кроме возможности получения малой шероховатости поверхности. Поэтому керамику широко применяют в качестве материала подложек для толстопленочных гибридных схем, для которых наличие микронеровностей улучшает адгезию пленок к подложке.

Тонкопленочные интегральные схемы в чистом виде применяют очень редко, так как методами тонкопленочной технологии можно изготовить только пассивные элементы ограниченных номиналов. Поэтому ниже будем рассматривать схему технологического процесса изготовления тонкопленочных гибридных интегральных схем. Примерная схема типового технологического процесса приведена на 3. На схеме показаны этапы изготовления пленочных микросхем масочным способом. Наряду с этим методом все большее применение находят методы получения рельефа микросхемы с помощью фотолитографии.

В настоящее время известно большое число""методов нанесения тонких пленок на подложку. Рассмотрим только^те'из них, которые получили широкое применение в технологии изготовления тонкопленочных гибридных микросхем: термическое испарение веществ в вакууме, распыление ионной бомбардировкой, химическое осаждение из газовой фазы.

Тахогенератор как элемент обратной связи по скорости. Большинство технологических процессов производства полупроводниковых и электровакуумных приборов, толсто- и тонкопленочных гибридных схем, осуществляемых в печах, требует строгого соблюдения заданных температурных режимов обработки. Автоматический

Общие сведения о материалах для тонкопленочных гибридных

Материалы для контактных площадок и системы внутренних соединений . . . 445 Диэлектрики для тонкопленочных гибридных интегральных схем..... 449

В табл. 20 приведены сравнительные технико-экономические характеристики процессов изготовления пассивной части тонкопленочных гибридных интегральных схем.

10-7. Технологические процессы фотолитографии в производстве тонкопленочных интегральных микросхем

• 10-7. Технологические процессы фотолитографии в производстве тонкопленочных интегральных микросхем . 194 10-8. Элионная технология в фотолитографических процессах ..............203

2.2. Схема технологического процесса изготовления тонкопленочных интегральных микросхем..................... 19

ГЛАВА 3. Оборудование для промышленного изготовления тонкопленочных интегральных микросхем............... 70

ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

2.1. СВЕДЕНИЯ О ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМАХ

Основной недостаток тонкопленочных интегральных микросхем — трудность изготовления активных элементов схемы по тонкопленочной технологии. Трудность изготовления активных элементов схем связана с трудностью получения монокристаллических полупроводниковых пленок на аморфных и полукристаллических' подложках, которые в основном применяются для тонкопленочных микросхем. Необходимость в монтаже активных элементов снижает надежность и увеличивает стоимость микросхем.

2.2. СХЕМА ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Тонкопленочные интегральные схемы в чистом виде применяют очень редко, так как методами тонкопленочной технологии можно изготовить только пассивные элементы ограниченных номиналов. Поэтому ниже будем рассматривать схему технологического процесса изготовления тонкопленочных гибридных интегральных схем. Примерная схема типового технологического процесса приведена на 3. На схеме показаны этапы изготовления пленочных микросхем масочным способом. Наряду с этим методом все большее применение находят методы получения рельефа микросхемы с помощью фотолитографии.

ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ПРОМЫШЛЕННОГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Для тонкопленочных интегральных схем характерны более широкий диапазон номиналов R- и С-элементов (порядка 0,02,5— 100 кОм и 20—1000 пФ) и меньший технологический разброс (порядка ±5—10%).