Территориального размещения

Основные проблемы, возникающие при получении объемных монокристаллов полупроводников, связаны с сохранением чистоты исходного поликристаллического материала, получением монокристаллов оптимального диаметра и максимальной массы, обеспечивающих минимальную себестоимость готовой продукции, получением монокристаллов, обладающих максимально однородным распределением свойств по объему и с максимально совершенной структурой. Объемные монокристаллы должны обладать термостабильностью, обеспечивающей сохранение первоначальных их электрофизических свойств после термообработки изготовленных из нее подложек, которыми они будут подвергаться в процессах изготовления приборов. Для повышения выхода годных подложек, изготовляемых из объемных монокристаллов, последние должны иметь минимальный уровень термоупругих напряжений.

Дислокации в растущем монокристалле образуются под действием термоупругих напряжений (касательных напряжений в плоскости скольжения) т, возникающих в растущем монокристалле полупроводника в результате различия размеров отдельных его слоев, находящихся при различных температурах ( 4.38). В слое, расположенном перпендикулярно оси роста монокристалла и находящемся под действием осевого градиента температуры ( 4.38, а — в), для полного снятия напряжений необходимо устранить разность размеров диаметров верхней и нижний частей слоя AD. Для этого в него необходимо ввести определенное количество дислокаций п (ис. 4.38, б) :

/ — монокристалл; 2—фронт кристаллизации; 3 —схема действия термоупругих напряжений т, вызывающих появление дислокаций; 4 — краевая дислокация

Анализ уравнений (4.103) показывает, что плотность дислокаций в монокристаллах полупроводников определяется величиной как градиентов температуры, так и порождаемых ими термоупругих напряжений. Последние могут достигать значений, вызывающих даже растрескивание монокристаллов полупроводников большого диаметра при охлаждении их до комнатной температуры. Это часто встречается при выращивании монокристаллов разлигающихся полупроводниковых соединений, например арсенида и фосфида галлия, методом жидкостной герметизации (см. 4.1, г). В этом случае вследствие интенсивного отвода тепла от монокристалла окружающим его сжатым газом градиенты температуры в 4 — 5 раз больше, чем в случае выращивания монокристаллов в вакууме или при низком давлении инертного газа.

Интенсивная генерация дислокаций в растущем монокристалле происходит тогда, когда термоупругие напряжения в кристалле начинают по своей величине превосходить критическое сдвиговое напряжение образования дислокаций Ткр. Сопоставляя между собой расчетные значения термоупругих напряжений т в монокристалле полупроводника с экспериментально определенным для действующих температур критическим напряжением образования дислокаций ТКР, можно выделить в растущем монокристалле область наиболее интенсивной генерации дислокаций.

В качестве примера можно привести изотермы и топографию термоупругих напряжений в монокристалле арсенида галлия ( 4.39). Они показывают температурные диапазоны интенсивного образования дислокаций, которые

4.39. Распределение термоупругих напряжений т и изотерм по поперечному сечению монокристалла арсенида галлия диаметром 25 мм, выращиваемого методом Чохральского (заштрихованы области интенсивного образования дислокаций)

пределение определяются величиной и распределением термоупругих напряжений (см. 4.40). Если т «Тир, то размножения дислокаций не происходит и их количество и распределение определяются источниками гетерогенного зарождения и процессами, протекающими на фронте кристаллизации, например захватом твердых включений или газовых пузырьков, вокруг которых концентрируются напряжения. При т<ткр монокристалл в общем случае растет бездислокационным, а образование дислокаций происходит вследствие отмеченных выше процессов, протекающих на фронте кристаллизации.

Таким образом, основной способ понижения плотности дислокаций в монокристаллах полупроводников — уменьшение уровня термоупругих напряжений. Для этого необходимо уменьшить осевые и радиальные градиенты температуры в растущем монокристалле, что достигается усилением

Влияние подогрева боковой поверхности растущего монокристалла на величину возникающих в нем термоупругих напряжений может быть проиллюстрировано 4.41, на котором показано распределение температуры и термоупру-

4.41. Распределение температуры / и термоупругих напряжений т по длине монокристалла германия, выращенного без подогрева боковой поверхности (сплошные линии) и с подогревом (штриховые линии); / — расстояние от поверхности расплава

По особенностям территориального размещения и организации взаимодействия частей системы различают следующие типы

карьерных ЛЭП и повышается надежность электроснабжения. Схемы распределительных сетей карьера выбирают в зависимости от требуемой надежности электроснабжения, территориального размещения и величины расчетных нагрузок, технологии горных работ и других факторов. Сравнение намеченных вариантов производят по технико-экономическим пока-

Внутризаводское распределение электроэнергии проводится по радиальной, магистральной или смешанной схемам в зависимости от территориального размещения нагрузок, их значений, требований к надежности питания и др. При выборе конкретной схемы распределения электроэнергии необходимо учитывать конструктивное выполнение сетевых узлов и способы канализации электроэнергии по территории предприятия: кабельный или шинный. При различных вариантах схемы необходимо также учитывать токи КЗ.

Схемы управления подразделяются на развернутые (элементные), содержащие изображение всех элементов аппарата, расположенных независимо от их действительного территориального размещения в целях облегчения чтения схем, и совмещенные (монтажные) с изображением внешних соединений и соблюдением территориального размещения элементов аппаратов и их взаимного расположения. На монтажной схеме аппараты изображаются на панелях управления, в пультах, шкафах или внутри корпуса самого механизма.

Это требует принципиально нового подхода к планированию развития энергетики как в части типов источников энергии и их мощностей, так и в части территориального размещения их.

и Киева магистральные шоссе сменялись грунтовыми дорогами. По статистическим данным 1911 г. на десятки тысяч; километров почтовых трактов Сибири и Дальнего Востока не было ни одного километра усовершенствованных дорожных покрытий. В Средней Азии — по тем же данным — имелось лишь около 150 км шоссейных дорог. Неравномерность территориального размещения, характерная для русских железных дорог дореволюционного времени, оказывалась тем более характерной для дореволюционной шоссейной сети.

5. Энергетика обеспечивает эффективность общественного производства не только количественным и качественным ростом энерговооруженности труда, но и посредством более рационального территориального размещения производительных сил. Она объективно служит одним из главных районообразующих факторов как в локальном отношении (крупные энергетические объекты закономерно становятся центрами новых территориально-производственных комплексов), так и в освоении и ускоренном развитии крупнейших регионов — Сибири, Казахстана и Средней Азии — с соответствующим крупным перемещением и переквалификацией трудовых ресурсов.

Здание щитов управления, кроме сокращения его размеров и наиболее выгодного территориального размещения (с целью экономии силовых и контрольных кабелей), необходимо целиком возводить из сборных блоков.

Определение величины, состава и территориального размещения всех видов запасов топлива позволит в итоге обосновать структуру их хранилищ. Суммарные запасы топлива достигают своего наибольшего значения к началу осенне-зимнего периода. Поэтому их величина и качественный состав по видам топлива, найденные для расчетного года на этот момент времени, и определят структуру хранения топлива.

Для создания статистической базы по контролю и обоснованному планированию использования ВЭР на разных уровнях управления в СССР в 1974 г. введена система отчетности по вторичным энергоресурсам как приложение к ежегодной энергетической статистической отчетности по форме № 11-СН. Однако, несмотря на имеющиеся достижения, при существующем отраслевом принципе планирования в настоящее время еще недостаточно учитывается территориальный аспект планирования ВЭР. В связи с ограниченными возможностями транспортирования ВЭР (а также вырабатываемых на их базе энергоносителей) вопросы планирования их рационального .использования должны решаться главным образом на уровне промышленных узлов с учетом территориального размещения комплекса промышленных предприятий, относящихся к различным министерствам и ведомствам. В настоящее время- в планах министерств и ведомств не всегда осуществляется координация, имеющая целью полное использование ВЭР не только в отраслевом, но и в территориальном разрезе.

В зависимости от общей схемы электроснабжения, величины потребляемой мощности, территориального размещения нагрузок, требуемой степени бесперебойности на всех ступенях системы электроснабжения следует широко применять простейшие схемы соединений с минимальным количеством аппаратуры на стороне высокого напряжения, так называемые блочные схемы подстанций без сборных шин: