Термическом разложении

дами тонкопленочной или толстопленочной технологии. Более распространенная тонкопленочная технология включает методы термического вакуумного напыления, а также катодного и ионноплаз-менного распыления.

§ 2.1. Физические основы термического вакуумного напыления

Этим требованиям в достаточной мере удовлетворяет процесс термического вакуумного напыления.

§ 2.2. Техника термического вакуумного

Применительно к процессам термического вакуумного напыления, катодного распыления и другим процессам, связанным с обработкой микросхем в вакууме, вспомогательное время (помимо установки и снятия подложек) включает в себя время на откачку системы до рабочего вакуума.

Условия конденсации ионно-распыленных атомов. В отличие от термического вакуумного напыления поток атомов вещества на

§ 2.2. Техника термического вакуумного напыления . . 133

§ 2.1. Физические основы термического вакуумного напыления

Этим требованиям в достаточной мере удовлетворяет процесс термического вакуумного напыления.

§ 2.2. Техника термического вакуумного

Применительно к процессам термического вакуумного напыления, катодного распыления и другим процессам, связанным с обработкой микросхем в вакууме, вспомогательное время (помимо установки и снятия подложек) включает в себя время на откачку системы до рабочего вакуума.

Выхлопная предохранительная труба имеется на всех трансформаторах мощностью 1000 кВА и выше. Она предотвращает разрушение бака при резком повышении давления в трансформаторе в результате выделения газов при термическом разложении масла. Труба сообщается с баком трансформатора и расположена на его крышке несколько наклонно по отношению к горизонту. Верхний торец трубы плотно закрыт стеклянной пластинкой. При значительном увеличении давления внутри бака трансформатора масло и газы поднимаются вверх по трубе и разрушив стекло, выбрасываются наружу, в сторону и вниз.

Углерод попадает в элементарные полупроводники на различных стадиях технологического процеса их получения: из содержащих примесь углерода хлорида германия (IV) и хлорсиланов в процессе водородного восстановления и, наконец, в процессах выращивания монокристаллов. Здесь углерод попадает в расплав элементарных полупроводников в результате взаимодействия его с углерод-содержащими газами, находящимися в печном пространстве. Они представляют собой различные углеводороды, образующиеся при термическом разложении смазки штоков, и оксиды углерода, образующиеся при взаимодействии нагретых графитовых деталей теплового узла с остаточным кислородом и влагой в печной атмосфере.

16-16. Скорости роста окисла кремния при термическом разложении тетраэтоксисилана при различных температурах.

Уходящие газы обжиговых печей представляют собой смесь продуктов сгорания топлива и газов, выделяющихся из шихты в процессе обжига. При обжиге сырья выделяются влага сырья, химически связанная гидрат-ная вода и двуокись углерода, образующаяся при термическом разложении карбонатов (известняка, доломита, магнезита). Для современных обжиговых печей характерно образование газов в достаточно большом количестве, что позволяет осуществлять их утилизацию для выработки тепловой энергии.

.160. Шроф А. Осадки вольфрама, рения, ниобия и сплавов ниобия с вольфрамом, полученных при термическом разложении в паровой фазе.— «Прямое преобразование тепловой энергии в электрическую и топливные элементы», 1969, вып. 5 (85), с. 135.

Метод, основанный на термическом разложении механической смеси солей (сульфатов, нитратов, карбонатов, оксалатов и др.). По этому методу смесь солей или их кристаллогидратов сначала плавят, затем подвергают разложению. При расплавлении солей в кристаллизационной воде происходит их смешивание на молекулярном уровне. Оксиды, полученные в момент образования, обладают высокой степенью дефектности и повышенной реакционной способностью. Размер частиц составляет 0,01—0,1 мкм. Это обстоятельство позволяет вести синтез нужного соединения при пониженных температурах по сравнению с температурой синтеза из измельченных порошков соответствующих фаз. Этот метод применяют при синтезе, например, ферритов.

работы [162] пришли к выводу, что это довольно устойчивый SiH2. Остановимся несколько подробнее на анализе этого явления. Тонкодисперсный порошок образуется при термическом разложении моносилана уже при ~ 973 К. Визуальное наблюдение показывает, что на расстоянии ~ 0,005 м от поверхности стержня (в зависимости от режима это расстояние изменяется) образуется туман, который уносится тепловым потоком в верхнюю часть аппарата, а затем оседает на стенках и других частях установки. Такой же порошок можно получить при нагреве силана до 573 К в закрытых ампулах. Средний размер частиц порошка, определенный с помощью электронного микроскопа, находится в пределах 5- 25 нм [163].

При термическом разложении силана получают кремниевые стержни высокой чистоты.

Температура вспышки — это температура, при которой пары масла, нагреваемого в закрытом сосуде, образуют с воздухом смесь, вспыхивающую при поднесении к ней пламени. При нормальной работе трансформаторов температура вспышки постепенно возрастает из-за испарения легких фракций масла. При развитии дефекта в трансформаторе температура вспышки масла резко падает из-за растворения в масле газов, образующихся при его термическом разложении в месте дефекта. Снижение температуры вспышки более чем на 5 °С по сравнению с предыдущим определением указывает на наличие дефекта, и в этом случае требуется комплексное обследование трансформатора для выявления причины этого снижения.

По маслоуказателям и масломерным стеклам определяют уровень масла в баке трансформатора и в расширителе, а также обращают внимание на цвет масла (потемнение масла может свидетельствовать, например, о термическом разложении вследствие повышенного нагрева). Через смотровое стекло осматривают индикаторный силикагель в воздухоосушителях бака трансформатора и вводов. Изменение цвета силикагеля от голубого до розового свидетельствует об увлажнении сорбента и необходимости перезарядки воздухоосушителя.

SiHCb и БШгСЬ являются промежуточными продуктами реакции. Но поскольку они устойчивы в жидкой фазе при нормальной температуре, их используют в качестве сырья. Указанные выше реакции обратимы, поэтому при определенных условиях (при определенной температуре процесса) на подложку наращивается Si, а в других условиях (при более низкой или высокой температуре) скорость наращивания становится отрицательной величиной, т. е. происходит травление кремниевой подложки. Наращивание при термическом разложении силана производится при температуре 900—1100°С в результате реакции SiH4—^Si + 2H2.

Подобная ситуация наблюдается и при термическом разложении силана с использованием метода восстановления галогенидов. В этом случае процесс проходит при меньшей температуре, что позволяет уменьшить автодиффузию бора (для As этот эффект слабее). Следует отметить, что в последнее время эпитаксиальное наращивание проводится при низком давлении газа около 13-•104 Па независимо от температуры. Как показано в табл. 4.2, при низком давлении газа скорость эпитаксиального наращивания уменьшается. Автолегирование и эффект смещения рисунка снижаются тоже. По этой причине метод эпитаксии при низком давлении газа используется очень широко.