Термической диссоциации

стыкуемой части корпуса) и съемного ( 2.65). Несъемные контактные элементы изготовляют из тонкой листовой меди или латуни с соответствующими покрытиями, а также из листового биметалла А1 — Си. Промежуточный контактный элемент во всех случаях выполняют из тонкой листовой термически обработанной бериллиевой бронзы. Контактный элемент имеет по всему периметру упругодеформируемые зубцы, разведенные в разные стороны. При стыковке блока зубцы деформируются и в местах их вдавливания в несъемные промежуточные контактные элементы создается прерывистый электрический контакт по всему периметру стыка. Для обеспечения электрогерметичности на длительное время промежуточный контактный элемент покрывают кадмием, никелем или подвергают горячему лужению. Для защиты элементов внутри корпуса от перепадов давления и влаги используют уплотняющие элементы из крем-нийорганической резины, устанавливаемые в каждой части стыкуемого корпуса.

Наиболее перспективной и наименее трудоемкой является сборка сердечников из листов электротехнической стали, термически обработанной и имеющей электроизоляционное покрытие. В этом случае при высоком качестве штамповки на листоштампо-вочных установках и отсутствии заусенцев листы, подобранные по шихтовочному знаку и массе, поступают на сборку.

Такой процесс наиболее прогрессивен, требует наименьших производственных площадей, затрат и оборудования. К сожалению, сейчас невозможно обеспечить все электромашиностроительные заводы электротехнической сталью, термически обработанной и с покрытием. Поэтому при сборке появляются дополнительные операции термической обработки и изолировки листов. Рассмотрим некоторые случаи.

Солнечные элементы на основе a-Si: Н, изготовленные на термически обработанной полиимидной пленке, стабильны и их можно сгибать при практическом использовании.

Как представлено на 5.5.2, a-Si: Н-солнечные элементы на подложке из термически обработанной полиимидной пленки могут быть согнуты вплоть до радиуса кривизны R = 1,5 мм без потери фотоэлектрических свойств. По данным, приведенным на рисунке, можно сравнить влияние изгиба на свойства элементов, изготовленных на отожженных подложках и подложках в состоянии поставки. Кроме того, выдерживание непассивированных элементов в течение 150 сут при 25 °С и относительной влажности 40—80 % не вызвало снижения их свойств.

5.5.2. Влияние изгиба a-Si: Н солнечных элементов на их свойства: 1 - элементы изготовлены на термически обработанной пленке; 2 - элементы изготовлены на пленке в состоянии поставки, значения нормализованы на свойства пленок элементов, не подвергавшихся изгибу (Оканива X. и др.)

Структуры распыленных слоев нержавеющей стали на термически обработанной полиимвдной пленке и на стекле очень схожи. Они более однородно ориентированы, более мелкокристаллические и имеют меньшие микронапряжения, чем слои на необработанной подложке. Кроме того, как наблюдалось в сканирующем микроскопе, слои нержавеющей стали на обработанной пленке имеют более мелкий поверхностный рельеф, чем на необработанной подложке.

2. На термически обработанной полиимидной пленке с напыленным слоем нержавеющей стали Voc = 0,87 В, Jsc = 10,1 мА/см2, КЗ - 0,56 и к.п.д. = 5,33 %. Эти значения были получены при освещении в условиях АМ-1 (Pjn = 92,5 мВт/см2) на активной площади 3X3 мм2.

К.п.д. солнечных элементов на основе a-Si: Н с р-/-и/0Ж)-гетерограни-цей на полиимидной пленочной подложке несколько ниже к.п.д. элементов, сформированных на зеркально-полированной пластине нержавеющей стали. С целью выяснения причин этого снижения к.п.д., оценки вклада собственно полиимидной пленочной подложки, а также напыленной на ней пленки нержавеющей стали одновременно были изготовлены солнечные элементы на основе p-i-n/ОИО на подложках из термически обработанной полиимидной пленки с напыленным слоем нержавеющей стали, зеркально-отполированной пластины нержавеющей стали с напыленным слоем нержавеющей стали и зеркально-отполированной пластины нержавеющей стали.

Значения V и КЗ не зависят от вида подложки, а /$с элементов на термически обработанной полиимидной пленке с напыленным слоем нержавеющей стали и на зеркально-отполированной нержавеющей стали с напыленным слоем нержавеющей стали соответственно на 7 и 4 % ниже, чем у элементов на зеркально-отполированной пластине нержавею-

С помощью сканирующей электронной микроскопии (СЭМ) исследована морфология поверхности каждого слоя: собственно подложки, слоя р-типа на подложке и слоя /'-типа, нанесенного на р-слой. Согласно данным СЭМ поверхность термически обработанной полиимид-ной пленки является относительно грубой, а поверхность зеркально-отполированной пластины нержавеющей стали гладкая.

Термическая диссоциация вещества, а также химические реакции, протекающие в расплаве, могут приводить к нарушению его стехиометрического состава, что способствует возникновению в монокристалле многочисленных дефектов. Так, плавление оксида алюминия при нормальном давлении сопровождается диссоциацией с образованием ионов А1О~, А12Оз, A1OF, А13+, О2-. В силу относительно высокой упругости паров продуктов термической диссоциации расплав насыщается газовыми включениями, скапливающимися на фронте кристаллизации и существенно влияющими на кинетику роста монокристаллов и их качество.

Ослабить интенсивность термической диссоциации можно, используя ее зависимость от внешнего давления, температуры и времени пребывания вещества в расплавленном состоянии. Повышение давления сопряжено с техническими трудностями, поэтому стремятся подобрать условия, позволяющие проводить кристаллизацию в вакууме или при нормальном давлении. Для этого экспериментально подбирают максимально допустимый перегрев расплава, при котором интенсивность термической диссоциации еще незначительна, и добиваются минимального времени пребывания вещества в расплавленном состоянии.

При получении эпитаксиальных слоев арсенида галлия наибольшее применение нашел триметилгаллий (ТМГ) (СНзЬОа, имеющий более низкую температуру кипения 1ЬЬ,7°С) по сравнению с температурой кипения своего аналога триэтилгаллия (ТЭГ) CH3Ga, температура кипения которого 143 °С. Интенсивная термическая диссоциация ТМГ происходит при 500—550 °С. Одновременно добавление ТМГ к арсину существенно понижает температуру его термической диссоциации, по-видимому, вследствие каталитического действия образующихся радикалов или арсе-

При автоэпитаксии дефектность структуры эпитаксиального слоя определяется структурным совершенством подложки и качеством ее поверхности. С увеличением шероховатости поверхности подложки плотность дислокаций в эпитаксиальном слое возрастает. Качество поверхности подложек из разлагающихся полупроводниковых соединений ухудшается в результате термической диссоциации, происходящей при нагреве подложки до высоких температур. Образующиеся вследствие этого на поверхности подложки ямки, заполненные легкоплавким компонентом, вызывают появление дефектов упаковки и дислокаций. Тем не менее при автоэпитаксии плотность дислокаций в эпитаксиальном слое примерно соответствует ее плотности в подложке. Поэтому получение эпитаксиальных слоев с совершенной структурой требует использования подложек с такой же структурой.

духе, почти не образует ионов, поэтому водородное пламя имеет очеяь большое сопротивление (1012-г 10й Ом). Если вместе с водородом в преобразователь поступает исследуемый горючий газ, то в результате горения и термической диссоциации происходит ионизация молекул органических соединений и сопротивление между электродами / и 2 преобразователя резко падает. Вследствие этого увеличиваются ток и падение напряжения на резисторе R, которое через усилитель 3 подается на регистрирующий прибор 4. Метод позволяет обнаружить микроконцентрации органических соединений, поступающие в преобразователь со скоростью 10'~12~-10~м г/с.

Термическое испарение в вакууме позволяет получать наиболее чистые пленки. Степень их загрязнения контролируется давлением в камере остаточных газов. Для понижения давления нет принципиальных ограничений. Однако термическим испарением можно получать лишь пленки сравнительно простых по химическому составу веществ. Высокая степень термической диссоциации или большое различие в парциальных давлениях отдельных компонентов сложных соединений создает серьезные трудности для воспроизведения в пленке химического состава таких соединений.

Испарение целого ряда тугоплавких окислов из резистивного испарителя оказывается невозможным из-за реакции окисла с материалом испарителя при высокой температуре и термической диссоциации. Для испарения таких тугоплавких материалов как SiO2, A12O3) MgO и др. применяют элек-тронный луч. Однако, несмотря на высокую 20 30 US скорость осаждения (до 2400 нм/мин для 4.16. Вольт-ампер- Si°2)> ПРИ напылении все же возможна дис-ные характеристики кон- социация испаряющегося материала. Регу-денсаторов на основе лируя скорость осаждения и температуру моноокиси кремния, на- подложки, можно получать конденсаторы

Термическая диссоциация N2O4. Кинетика термической диссоциации N2C>4 в газовой фазе

В случае термической диссоциации N264 значения предэкспоненты и характеристического давления в одинаковой мере превышают аналогичные величины «нормальных» мономолекулярных процессов. Поэтому можно предположить, что аномальное значение давления, при котором имеет место переход к реакции 1-го порядка, обусловлено высоким значением предэкспоненциального фактора, которое в свою очередь может быть связано с ангармоничностью внутримолекулярных колебаний [40].

где &2 • — константа скорости термической диссоциации N02, определенная при PNO^^NO^ , а Кс2 — константа равновесия обратимой реакции

Путь, который дает основной вклад в области высоких температур, очевидно, соответствует термической диссоциации NO2 по реакции 2-го порядка, изученной Россе-ром и Вайсом [47]. На это указывает, в частности, совпадение значений ?ыч и k*Mn в области температур 7">бОО°К. Принятое предположение позволяет заключить, что величины, вычисленные по соотношению (1.80), можно рассматривать в качестве эффективных констант скорости высокотемпературного реакционного пути &в-т>. т. е.