Теоретическое рассмотрение

Теоретическое обоснование явления антиферромагнетизма впервые было дано Л. Д. Ландау (в 1933 г.). Л. Неель провел значительные исследования в этой области, поэтому теорию антиферромагнетизма и ферримагнетизма называют теорией Нееля. В дальнейшем эта

Измерения являются одним из основных способов познания природы, ее явлений и законов. Каждому новому открытию в области естественных и технических наук предшествует большое число различных измерений. Немецкий физик Г. Ом установил основной закон электрической цепи (закон Ома) в 1826 г. путем ряда точных экспериментов, а в 1827 г. дал ему теоретическое обоснование. П. Н. Лебедев, построив специальное измерительное устройство, в 1901 г. впервые обнаружил и измерил давление света на твердое тело. Такие примеры можно было бы продолжить.

В теоретическое обоснование работы автогенераторов большой вклад внесли советские ученые А. М. Ляпунов, Л. И. Мандельштам, Н. Д. Папалекси, А. А. Андронов, А. И. Берг, Ю. Б. Кобзарев и др.

При рассмотрении принципа действия преобразователя имелось в виду, что магнит находится под воздействием только поля с индукцией В, которая является либо измеряемой величиной, либо искусственно создается при измерении Мп,. В действительности же на преобразователь будет действовать окружающее поле, в том числе и поле Земли. Эти поля являются одним из наиболее серьезных источников погрешности нуля, тем более что они не остаются постоянными. Для уменьшения влияния посторонних магнитных полей прибегают к устройству астатической системы, состоящей из двух магнитов ( 7.27, б), которые имеют одинаковые магнитные моменты и расположены один над другим так, что их магнитные оси находятся в одной плоскости и параллельны, а полярности магнитов противоположны друг другу. Иначе говоря, результирующий магнитный момент такой системы должен быть равен нулю. Теоретическое обоснование работы такого преобразователя изложено в книге [23]. Если строго выполнено условие астатичности системы, то внешнее однородное магнитное поле в объеме, занимаемом системой, не вызывает ее отклонения. При работе с этим преобразователем взаимное расположение преобразователя и объекта измерения должно быть таким, чтобы поле, создаваемое измеряемым объектом, воздействовало в основном на нижний магнит.

измерения силы и излагает проблемы практического применения силоизмерительных установок. Теоретическое обоснование неизбежно вызывает известную абстрактность в изложении материала в гл. 1 и 2. Поэтому читателю, интересующемуся в основном вопросами технологии и конструкции, рекомендуется эти главы сначала лишь просмотреть, а изучать их более основательно после проработки гл. 3 и 4.

Все технические магнитоупругие способы измерения сил основаны на этом принципе, ввиду чего в технике пьезоэлектрических измерений нет никаких аналогичных способов. Для оптимального использования этого принципа обмотка должна питаться значительным током, поэтому линеаризованное рассмотрение не имеет практического значения, а теоретическое обоснование несравненно труднее, чем в случае с пьезоэлектриком. Наконец, магнитное поле в совмещенном упругочувствительном элементе обычно очень неоднородно, и его расчет практически .не доступен.

Для выращивания кристаллов методом бесконтактного формообразования теоретическое обоснование и оснастку разработали В.И. Добро-

Для советских исследователей было характерным стремление не только найти решение узкопрактических задач, но и установить глубокое теоретическое обоснование применявшихся расчетных методов. Начиная с 1У<Н г. успешно велись исследования с целью повышения мощности и дальности передач электрической энергии при помощи автоматического регулирования возбуждения синхронных машин.

В 1958 г. за это открытие и его последующее теоретическое обоснование П. А. Черепкову, И. Е. Тамму и И. М. Франку была присуждена Нобелевская премия по физике.

В 1927 г. К. Э. Циолковский наиболее полно и четко сформулировал принцип такого движения, дал его теоретическое обоснование и установил основные расчетные зависимости26. Но только с 50-х годов в Советском Союзе и за рубежом были предприняты серьезные попытки конструирования, постройки и испытаний опытных образцов этих во многом необычных машин наземного транспорта [2].

Методы измерения удельного сопротивления земли. Наилучшим методом измерения удельного сопротивления больших объемов земли без нарушения ее строения является метод четырех точек. Теоретическое обоснование этого

Теоретическое обоснование применимости вероятностного метода состоит в необходимости учета

Несмотря на достаточно большое количество различных конструкций и конфигураций магнитопроводов, теоретическое рассмотрение можно свести к двум основным случаям: 1) м. д. с. сосредоточена в начале магнитопровода; 2) м. д. с. распределена вдоль мягнитопровода.

и талевого каната возникают волновые процессы, моменты приводного электродвигателя или электротормозной машины при разгоне,и торможении меняются по сложным законам, а участие ротора электрической машины в упругих колебаниях, возникающих в элементах подъемной системы, вызывает дополнительные изменения в электромагнитном моменте, поэтому теоретическое рассмотрение переходных процессов с учетом влияния механических характеристик электродвигателя является исключительно сложной задачей. Несмотря на относительную быстроту протекания переходных процессов в электрических машинах, электромагнитные переходные явления в значительной мере обусловливают динамические усилия в элементах подъемного механизма.

Изложенное здесь теоретическое рассмотрение относится к компрессорам различной конструкции. Для простоты обратимся к поршневому компрессору. Он состоит в основном из цилиндра А с поршнем В, совершающим возвратно-поступательные движения.

•В действительности при коротком замыкании нагрев площадки носит неустановившийся характер. Теоретическое рассмотрение этого процесса, проведенное независимо друг от друга Р. Холь-мом и проф. Н. Е. Лысовым, показало, что ток, плавящий площадку радиусом а за время t, выражается через /n.w в виде

Из-за случайного характера процессов старения сроки службы внутренней изоляции являются случайными величинами, которые, КИК показывает теоретическое рассмотрение, подчиняются так называемым экстремальным распределениям.

Задача равномерного нагрева поверхности тела сложной формы может быть разделена на две части — тепловую и электрическую. Теоретическое рассмотрение этого вопроса было впервые произведено Г. А. Разореновым [36]. Мы остановимся главным образом на качественном разборе явлений.

ных металлах и сплавах приведены в табл. 20 — и многократное теоретическое рассмотрение [152—155], механизм образования решетки пор в настоящее время еще не понят. Более того, показана систематическая корреляция образования решетки пор с насыщением распухания, однако не установлено, является образование решетки пор причиной или следствием насыщения распухания с дозой, хотя чаще утверждается первое. В одном из первых объяснений этого явления предполагалось, что упорядочение происходит в результате взаимодействия пор через поля упругих напряжений [152]. Согласно этой модели образование решетки пор является следствием анизотропии упругих свойств матрицы. Однако то обстоятельство, что решетка пор наблюдалась в вольфраме [145], имеющем параметр анизотропии, близкий к нулю, в тантале [107, 147], имеющем отрицательный параметр анизотропии, а также отсутствие решетки пор в ванадии [147], имеющем большой положительный параметр анизотропии, свидетельствует о неспособности этой модели объяснить всю совокупность экспериментальных данных. При сегрегации примесей у поверхности пор силы упругого взаимодействия между порами растут. Этим объясняется наблюдаемое на опыте [149] содействие примесей внедрения образованию решетки пор. Предприняты попытки объяснить образование решетки пор анизотропией диффузии межузельных атомов [156], квантовыми флуктуациями зарядовой плотности на поверхности поры [153], возникновением силового момента при фононном переносе в негармоничном кристалле [158].

Окамото и др., базируясь на другой концепции неосновных носителей, присущей солнечным элементам на основе a-Si, вывели основные соотношения для эффективности собирания носителей, темновой и световой ВАХ в зависимости от приложенного напряжения смещения YU и от спектра падающего света [13]. Физическими параметрами в этих соотношениях являются: произведения подвижности на время жизни для электронов (Иптп) и дырок (МрТр); параметры эффективной поверхностной рекомбинации 3„ и Sp, определенные как скорости эффективных поверхностных рекомбинаций на рЦ (S'p/j)- и i\n (S,•/„)-границах раздела, деленные на подвижность электронов и дырок соответственно; внутреннее электрическое поле в пределах г-слоя Е(х). Такое теоретическое рассмотрение учитывает как диффузионную, так и дрейфовую компоненты потока заряда в процессе собирания носителей. В этом смысле такая теория является общей для свойств перехода и может быть применена не" только к солнечным элементам на основе a-Si, но с некоторым видоизменением и к солнечным элементам на основе кристаллического материала.

Окамото и др., базируясь на другой концепции неосновных носителей, присущей солнечным элементам на основе a-Si, вывели основные соотношения для эффективности собирания носителей, темновой и световой ВАХ в зависимости от приложенного напряжения смещения Уд и от спектра падающего света [13]. Физическими параметрами в этих соотношениях являются: произведения подвижности на время жизни для электронов (Иптп) и дырок (МрТр); параметры эффективной поверхностной рекомбинации Sn и Sp, определенные как скорости эффективных поверхностных рекомбинаций на рЦ (S'p/j)- и //« (5,•/„)-границах раздела, деленные на подвижность электронов и дырок соответственно; внутреннее электрическое поле в пределах /-слоя Е(х). Такое теоретическое рассмотрение учитывает как диффузионную, так и дрейфовую компоненты потока заряда в процессе собирания носителей. В этом смысле такая теория является общей для свойств перехода и может быть применена не" только к солнечным элементам на основе a-Si, но с некоторым видоизменением и к солнечным элементам на основе кристаллического материала.

Первое теоретическое рассмотрение дробового шума в диодах и транзисторах с р—n-переходами было предложено ван-дер-Зилом [22, 23] на основе аналогии с передающей RC-лини-ей с распределенными параметрами. Он рассмотрел «идеальный» диод, т. е. такой, у которого эффект генерации — рекомбинации носителей в обедненном слое и поверхностный эффект незначительны, и показал, что шум можно представить эквивалентным генератором тока, включенным параллельно переходу, у которого спектральная плотность шума зависит от выходного тока и проводимости перехода. Для больших прямых или обратных значений напряжения смещения и для низких частот выражение, полученное ван-дер-Зилом для спектральной плотности такого подключенного параллельно шумового генератора тока, сводится к обычному виду для дробового шума 2д7я, где ID — установившийся постоянный ток через диод, a q — заряд электрона; в случае нулевого смещения (/я = 0) оно переходит в формулу Найквиста для теплового шума в пассивном элементе с проводимостью, равной проводимости р—п-перехода.

В том случае, когда имеет место образование лавины, пары электрон — дырка образуются за счет ударной ионизации и неосновные носители сразу же попадают на затвор, тем самым приводя к увеличению тока затвора, тогда как основные носители перемещаются к стоку. Увеличение тока затвора наблюдал Риан [49]; об аналогичном явлении в /г-канальных МОП-транзисторах сообщили Накахара с сотр. [42]. Увеличение шумов, обусловленных этим механизмом, наблюдали в германиевых ПТ с р—/г-переходом Радека [45], а в кремниевых — Накахара с Кабаяси [43] и Клаассен с Робинсоном [35]. Краткое теоретическое рассмотрение данного явления проведено ван-дер-Зилом и Чанеттом [66].