Температурного воздействия

Максимальный момент и номинальное скольжение электромагнитной муфты зависят от температуры якоря, возрастающей при подъеме по мере увеличения числа циклов. Особенно интенсивный рост температуры наблюдается при переходе к высшей передаче, когда значительно увеличивается длительность переходных процессов. Причиной снижения величины развиваемого момента является увеличение воздушного зазора вследствие температурного расширения якоря и индуктора. Увеличение величины скольжения связано также с увеличением сопротивления якоря при повышении температуры.

коэффициентом температурного расширения (К.ТР), близким к КТР осаждаемых пленок;

Дополнительный баланс, Н-м, от температурного расширения (в случае ai>O2)

В качестве армировочных цементирующих замазок для изоляторов напряжением до 10 кВ рекомендуется глето-глицериновая или портландцементная замазка. В случае переармировки изоляторов необходимо старую затвердевшую замазку удалить равномерным нагреванием фарфоровой части ввода, а затем фланца до 100—120 °С паяльной лампой или автогенной горелкой. Вследствие температурного расширения фланец отойдет от замазки и при легком ударе молотка по фланцу он отделится от фарфора.

мации различных деталей. Константановую (с малым коэффициентом температурного расширения) проволоку диаметром несколько десятков микрометров наклеивают на тонкую подложку, обычно из бумаги, которую, в свою очередь, приклеивают к исследуемой детали. Деформации детали передаются проволоке.

Коэффициент температурного расширения у цемента выше, чем

Конструкция стеклянных изоляторов аналогична рассмотренным. В связи с тем, что коэффициенты температурного расширения стекла, цемента и арматуры приблизительно одинаковы, в стеклянных изоляторах отсутствует битумная промазка.

из инвара - сплава с малым коэффициентом температурного расширения. На более высоких частотах распространены катушки с намоткой, полученной вжиганием металла в керамику. Используют также катушки с ребристыми каркасами, в которых резко уменьшается влияние изменения диэлектрической проницаемости материала на индуктивность. Если у обычных катушек TKLсоставляет (100 — 200)-10~6 1/°С, то при использовании указанных мер его удается уменьшить до (5 - 30) х хНГ6 1/°С.

На значения емкостей оказывают также влияние эффект температурного расширения электродов и их выводов, изменение диэлектрической проницаемости изоляторов и другие причины. Вследствие этого в горячей лампе изменяется главным образом емкость Сск. В усилительных триодах она на 30—50% больше емкости Сск в холодной лампе. «Горячие» емкости Сас и Сак мало отличаются от «холодных», так как распределение потенциала между сеткой и анодом без большой погрешности можно считать линейным.

Междуэлектродные емкости. Помимо емкостей Сек и Сдю о которых говорилось при выводе действующего напряжения в триоде (см. § 9.1), существует емкость между сеткой и анодом Сдс ( 9.3, а). Емкость Сек называют входной, Сдк;— выходной, САС — проходной. Эти емкости могут изменяться из-за наличия в междуэлектродном пространстве электронов, из-за температурного расширения элементов конструкции, изменения диэлектрической проницаемости изоляторов и других причин. Наибольшее изменение претерпевает емкость Сек (Д° 30—50 %).

На значения емкостей оказывают также влияние эффект температурного расширения электродов и их выводов, изменение диэлектрической проницаемости изоляторов и другие причины. Вследствие этого в горячей лампе изменяется главным образом емкость Сск. В усилительных триодах она на 30—50% больше емкости Сск в холодной лампе. «Горячие» емкости Сас и Сак мало отличаются от «холодных», так как распределение потенциала между сеткой и анодом без большой погрешности можно считать линейным.

Известные в промышленности электропроводящие клеи (типа ЭПК-68 на основе кремнийоргани-ческого компаунда с наполнением серебра) имеют удовлетворительную проводимость, однако в процессе старения рекристаллизуют-ся, чему способствует наличие в объеме большого числа мелкодисперсных металлических включений (наполнителя). Это приводит в ряде случаев к неуправляемому стеклованию клеевого шва. Такой способ применяют для крепления малогабаритных плат и в ряде случаев для коммутации выводов элементов с низкими допустимыми температурами. Клей позволяет успешно производить замену вышедшей из строя микросборки без заметного температурного воздействия на остальные элементы ГИФУ.

Если после прекращения температурного воздействия емкость возвращается к своему первоначальному значению, то такое изменение называют обратимым (цикличным). Обратимое изменение характеризуется температурным коэффициентом емкости

Если после окончания температурного воздействия индуктивность катушки возвращается к своему первоначальному значению, то такое изменение называют обратимым (цикличным).

Если значение индуктивности не возвращается к исходному после окончания температурного воздействия, то такое изменение называют необратимым. Необратимое изменение характеризуется коэффициентом температурной нестабильности индуктивности:

где L i — значение индуктивности катушки до испытаний; L г — значение индуктивности после окончания температурного воздействия.

Диффузия из неограниченного источника является реальным случаем в производстве ИС и представляет собой первый этап диффузии, задачей которого является введение в кристалл определенного количества примеси. Для уменьшения температурного воздействия (уменьшения фактора DI) поверхностную концентрацию выбирают максимально .возможной, т. е. соответствующей предельной растворимости примеси при выбранной температуре диффузии ( 1.13). Для фосфора при 1000° С она составляет Ю21 см~3, что соответствует 2% (атомным). В результате образуется тонкий приповерхностный слой, насыщенный примесью. В производстве этот этап нередко называют загонкой п р и м е с и.

3) уменьшением температурного воздействия на пластину в процессе пассивации.

При Е ж 108...1()9 В/м в полупроводнике возникает эффект Штарка — расщепление энергетических уровней, приводящее к уменьшению ширины запрещенной зоны. В связи с этим уменьшается энергия, необходимая электрону для перехода из валентной зоны в зону проводимости. Возрастает роль температурного воздействия на полупроводник: с увеличением температуры увеличивается количество свободных электронов, возрастает электропроводность.

Диффузия из неограниченного источника является реальным случаем в производстве ИС и представляет собой первый этап диффузии, задачей которого является введение в кристалл определенного количества примеси. Для уменьшения температурного воздействия (уменьшения фактора DI) поверхностную концентрацию выбирают максимально .возможной, т. е. соответствующей предельной растворимости примеси при выбранной температуре диффузии ( 1.13). Для фосфора при 1000° С она составляет Ю21 см~3, что соответствует 2% (атомным). В результате образуется тонкий приповерхностный слой, насыщенный примесью. В производстве этот этап нередко называют загонкой п р и м е с и.

3) уменьшением температурного воздействия на пластину в процессе пассивации.

костью самого преобразователя. В результате при некоторых обстоятельствах наблюдается значительное уменьшение чувствительности, а также дополнительные погрешности измерения за счет изменения емкости кабеля (например, в результате температурного воздействия или механического перемещения). Чтобы избежать этих явлений, по крайней мере первые элементы специфичной схемы (например, генератор) размещают или в самом датчике или же сразу за датчиком с помощью очень короткого кабеля.