Температурное изменение

На 1.21 даны схематическое изображение температурной зависимости намагниченности насыщения для подрешеток Л и б и результирующая кривая для феррита с точкой компенсации, представляющая собой разность (алгебраическую сумму) двух первых кривых.

Следовательно, уравнение температурной зависимости ЭДС при р — const имеет вид

т. е. зависит от свойств транзистора (разброса параметров и их температурной зависимости). Кроме того, в активном режиме на транзисторе рассеивается дополнительная мощность PK = IKUK3, снижающая КПД схемы.

Установление зависимости подвижности от температуры Т сводится к определению температурной зависимости параметров Я и v.

На 2.2 показаны кривые температурной зависимости подвижности ц (1/Т) при различных значениях концентрации легирующей примеси в невырожденном полупроводнике.

На 2.5 показады кривые температурной зависимости о/<т0 для кремния, содержащего различные количества примеси. Точка а соответствует температуре истощения приме-

максимального уменьшения паразитных входных емкостей. Узкая полоса пропускания снижает, кроме того, уровень шумов усилителя. ЭДС Холла регистрируется самописцем Сп. Применение двух-координатного самописца позволяет осуществить автоматическую регистрацию температурной зависимости ЭДС Хэлла, если, например, измерять температуру образца, находящеюся в криостате, с помощью термопары.

§ 2.3. Определение концентрации доноров и акцепторов по температурной зависимости концентрации носителей заряда

Анализ температурной зависимости концентрации носителей заряда, определенной по результатам холловских измерений, является одним из основных способов изучения примесей в полупроводниках. Цель такого анализа состоит в определении типа и числа примесей, имеющихся в полупроводниковом материале, их концентраций и энергий ионизации, вклада каждого из локальных уровней в общую концентрацию носителей заряда, спектра возбужденных состояний уровней и других характеристик. Основные причины, ограничивающие применение этого метода, связаны, например, с электропроводностью по примесным уровням в области низкой температуры и вырождением при больших концентрациях примесей.

В общем виде анализ температурной зависимости концентрации носителей заряда в полупроводнике представляет собой сложную задачу. Полупроводник может содержать несколько видов донор-ных и акцепторных примесей, что соответствует определенной степени его компенсации. Некоторые примеси могут отдавать или присоединять не один, а несколько электронов. Примесный атом может находиться не только в основном энергетическом состоянии, но и в возбужденном. Основное и возбужденное состояния характеризуются соответствующими факторами спинового вырождения. В некоторых полупроводниковых материалах валентная зона в центре зоны Бриллюэна оказывается вырожденной, что проявляется в увеличении фактора вырождения акцепторного состояния. Поэтому в каждом конкретном случае следует решить, чем можно пренебречь.

В настоящее время для анализа температурной зависимости концентрации носителей заряда используют ЭВМ. С помощью ЭВМ можно легко обрабатывать большое количество исходных данных, рассчитывать уравнения (2.14) любой степени сложности, анализировать сложные модели примесных уровней. В ряде работ, посвященных исследованию кремния, арсенида галлия, германия проанализированы экспериментальные данные с помощью модели, учитывающей возбужденные состояния и расщепление основного состояния примеси, с учетом влияния глубоких примесных уровней, многовалентных примесей и примесей двух различных типов.

где (A*j/Xj)raax — максимальное относительное температурное изменение параметра элемента (компонента), заданное в ТУ (или расчетное); АТтах— максимальный перепад температур относительно реальной, заданной в ТУ для ИМС (МСБ) или компонента.

Измерение сопротивления всегда связано с рассеиванием в нем некоторой мощности; поэтому при выборе средств и методов измерений следует заботиться о том, чтобы мощность, рассеиваемая в измеряемом сопротивлении, не превышала номинального для него значения, иначе могут иметь место перегрев и температурное изменение сопротивления. Это обстоятельство особенно важно учитывать при измерении сопри-тивлений, обладающих значительным температурным коэффициентом

Измерение сопротивления всегда связано с рассеиванием в нем некоторой мощности; поэтому при выборе средств и методов измерений следует заботиться о том, чтобы мощность, рассеиваемая в измеряемом сопротивлении, не превышала номинального для него значения, иначе могут иметь место перегрев и температурное изменение сопротивления. Это обстоятельство особенно важно учитывать при измерении сопрб*-тивлений, обладающих значительным температурным коэффициентом

Интересным и важным с точки зрения применения МДП-транзисторов является температурное изменение статических характеристик передачи. Эти изменения вызваны в основном двумя физическими процессами. Во-первых, с увеличением температуры в рабочем диапазоне температур уменьшается подвижность носителей заряда, что приводит к уменьшению тока стока. Во-вторых, происходит перераспределение носителей по энергиям и смещение уровня Ферми к середине запрещенной зоны (см. § 1.8). В связи с таким смещением уровня Ферми инверсный слой образуется у поверхности полупроводника при меньших напряженно-стях электрического поля (см. 1.21). Поэтому с увеличением температуры пороговое напряжение ?/3и пор уменьшается. В результате статические характеристики передачи для неизменного

Температурное изменение емко-

При монтаже винипластовых труб необходимо учитывать изменение их длины в зависимости от температуры. Температурное изменение длины 1 м трубы из винипласта составляет 0,08 мм на ±1° С.

Трубы из полиэтилена подвержены температурным деформациям: температурное изменение 1 м трубы составляет 0,22 мм на +1° С. Однако полиэтиленовые трубы более эластичны по сравнению с винипластовыми. Механические свойства полиэтиленовых труб зависят от температуры. Различают трубы из полиэтилена низкой плотности (ПНП) и высокой плотности (ПВП), последние отличаются от ПНП вдвое большей прочностью и более высокой температурой плавления (125—135°С против ПО—120°С). Оба вида полиэтилена обладают высокой морозоустойчивостью и химической стойкостью.

начинается сказываться разогрев структуры и, как следствие, температурное изменение параметров. На 5.6 представлена также зависимость коэффициента передачи по току в относительных единицах ?//&/„ ==/(/вх), где /г/0=/вых/ /вх—коэффициент передачи по току на линейном участке передаточной характеристики; кроме того, видно, что на краях рабочего диапазона (при /Вх = /вхтш и /Вх = /вхтах) коэффициент передачи по току ft/ уменьшается. При заданном диапазоне изменения входного тока нелинейность fe/ оптопары задается в процентах:

Обратимое температурное изменение емкости на один- градус характеризуются температурным коэффициентом емкости (ТКЕ):

Ток ICBO сам по себе мал (у маломощных германиевых транзисторов порядка 2—10 мкА), однако три повышении температуры перехода, например на 30°, он увеличивается в 8 раз и, будучи умножен на >(l+U2i), допустим на 100, достигает значения (1,6— 8) мА, а это уже очень много, учитывая, что исходный ток локоя может быть порядка 1—10 мА. Изменение h2\ в два-три раза при /B=const вызывает еще большую нестабильность тока. Несколько лучше Дело обстоит с кремниевыми транзисторами, у которых ICBO, по крайней мере, на 1—2 порядка меньше, однако температурное изменение и разброс параметра /г21 сказываются в такой же степени.

Стекло Температурное изменение показателя преломления Рабс«- М- Ю', К'*, среднее в пределах температур