Температурные зависимости

и хуже. Температурные погрешности приборов компенсируются с помощью специальных схем.

Следует отметить, что в случае, когда ТКС отдельных резисторов различны или резисторы находятся в неодинаковых температурных условиях, могут возникать значительные температурные погрешности. С целью уменьшения погрешностей необходимо подбирать резисторы с одинаковыми ТКС и обеспечивать такие условия, при которых температуры обоих резисторов были бы одинаковыми. Наилучшим образом эти условия удовлетворяются в печатных резистивных делителях, погрешность которых может быть сведена до 0,0005%.

Примечание. Так как установка нагревается симметрично, то температурные погрешности в ней отсутствуют. Погрешность в измерении &.у, связанная с радиальным магнитным тяжением при возможном относительном эксцентриситете зазора 0,25 не превышает ±'2 мкм.

Температурные погрешности ТГ обусловлены изменением активных сопротивлений ротора и обмотки статора в зависимости от температуры. Для снижения их до минимума роторы выполняются из материалов, сопротивление которых мало зависит от температуры. Кроме того, применяют термосопротивления, стабилизирующие активное сопротивление цепи возбуждения, или автоматически поддерживают температуру обмоток постоянной с помощью регулируемых нагревательных элементов.

Магнитоэлектрические приборы относятся к числу наиболее точных. Они изготовляются вплоть до класса точности 0,1. Высокая точность этих приборов объясняется рядом причин. Наличие равномерной шкалы уменьшает погрешности градуировки и отсчета. Благодаря сильному собственному магнитному полю влияние посторонних полей на показания приборов весьма незначительно. Внешние электрические поля на работу приборов практически не влияют. Температурные погрешности могут быть скомпенсированы с помощью специальных схем.

Если температурные коэффициенты даны, то легко найти соответствующие температурные погрешности для линеаризованной характеристики:

Следует обратить внимание на то, что у датчиков, главным образом с селекторами, размеры которых выбраны неоптимальным образом, могут наблюдаться повышенные температурные погрешности. Это всегда бывает в том случае, когда из-за различных коэффициентов линейного расширения частей датчика в нем возникают силы, которые через селектор вводятся в преобразователь.

Температурные погрешности возникают из-за температурной зависимости модуля упругости, а также процессов температурного расширения. Электрическая компенсация практически неосуществима. Поэтому погрешности должны сводиться к минимуму путем тщательного выбора материала и отработанной технологии.

Температурные погрешности возникают из-за температурной зависимости модуля упругости и свойств резистора, а также из-за процессов температурного расширения во всех деталях конструкции. Путем соответствующего подбора материала эти погрешности заранее сводятся к минимуму, но они могут быть скомпенсированы также и чисто электрическим путем ( 3.40).

Температурные погрешности возникают в результате температурной зависимости модуля упругости и свойств натянутой проволоки, а также в результате процессов температурного расширения деталей конструкции. Электрическая компенсация этих эффектов осуществляется так же, как у тензорезисторных датчиков (см. под-разд. 3.2.1.4.3).

Температурные погрешности, помимо явлений в упругом элементе и в остальных деталях конструкции, возникают также из-за температурных эффектов в ферромагнитных деталях и обмотках. Получающиеся в результате этого погрешности нуля сводятся к минимуму обычно путем выбора соответствующего материала или использования биметаллических деталей. Компенсация электрическими средствами До сих пор почти не использовалась. То же самое относится к температурной погрешности чувствительности. Но погрешности, возникающие при изменении модуля упругости и омического сопротивления обмоток, компенсируются лишь частично.

Рассмотрим, например, температурные зависимости намагниченности насыщения ферро- н ферримагнетиков. Наиболее характерным для ферромагнетиков является существование точки Кюри. Для некоторых ферримагнетикоь с повышением температуры интенсивность насыщения постепенно уменьшается, доходит до нуля, начинает возрастать, а потом снова падает до нуля. При дальнейшем нагреве фер-римагнетик остается парамагнитным. Температуру вторичного обращения интенсивности насыщения в нуль называют точкой Н е -е л я, а температуру первичного обращения в нуль — точкой компенсации.

Интерес представляют зависимости тангенса угла потерь и проницаемости от частоты и от амплитуды переменного поля, а также зависимость обратимой проницаемости от напряженности подмагничивающего поля и различного рода температурные зависимости.

З.4. Температурные зависимости коэффициента диффузии О различных примесей в германии (а) и в кремнии, (б).

щего через единичную площадку за единицу времени. Температурные зависимости коэффициента D для различных диффузантоз приведены на 3.4. В качестве диффузантов использованы элементы III и V группы периодической системы Д. И. Менделеева (Pb, Zn, In, Ga, Bi, Sb Au, As).

Температурные зависимости Nd и Na, определенные по уравнению Брукса — Херринга для образцов а, Ь, с, представлены на 2.12. Как видно из 2.12, значения Nd и Na уменьшаются при снижении температуры до минимальных значений, которые

2.12. Температурные зависимости концентрации доноров Nd (сплотишь кривые), акцепторов Na (пунктирные кривые), определеннее с помощью уравнения Бру<са — Херринга для образцов а Ь, с

Основные физические свойства германия приведены в табл. 3.1. Температурные зависимости удельного сопротивления германия при различном содержании примесей представлены на 3.23. Германий, применяемый в полупроводниковых приборах, обладает р от миллионных долей омметра до значений, близких к р собственного германия, т. е. (при комнатной температуре) дор = 0,47 Ом-м.

3.23. Температурные зависимости удельного сопротивления германия при различном содержании донорной примеси

3.24. Температурные зависимости концентрации.(а), подвижности дырок (б) и удельной проводимости (в): 1 - в чистом селене; 2 - в селене с примесью 0,3% кислорода; 3 - в селене с примесью 0,7% йода

4.16. Температурные зависимости Е и tg 5 полярны: диэлектриков на разных частотах

Температурные характеристики терморезисторов выражают зависимость их сопротивления от температуры. Температурные зависимости терморезисторов приведены на 9.2, б.