Температуре превышающей

Температурное состояние турбины в процессе ее нагружения при скользящем давлении свежего пара и неизменной его температуре практически не меняется. Поэтому скорость нагружения блока в данном случае турбиной не ограничивается и целиком определяется возможностями котла.

Указанное разделение материалов не вполне строго и в значительной степени условно; многие материалы вообще не могут быть отнесены ни к одной из этих трех групп, обладая промежуточными свойствами. Необходимо также иметь в виду, что механические свойства многих материалов существенно зависят от температуры. При достаточно низкой температуре практически все материалы становятся хрупкими; так, при температуре жидкого воздуха каучук настолько хрупок, что при ударе разбивается на мелкие куски. Наоборот, при нагреве до достаточно высокой температуры стекло становится настолько пластичным, что из него можно формовать различные изделия.

ся свободным. При комнатной температуре практически все электроны фосфора, не образующие ковалентных связей с атомами кремния, становятся свободными и участвуют в электрической проводимости. Атом фосфора, потерявший один электрон, превращается в неподвижный положительно заряженный ион. Свободные электроны примеси добавляются к собственным электронам полупроводника, вызванным термогенерацией, поэтому проводимость полупроводника становится преимущественно электронной. Примеси, вызывающие в полупроводнике преобладание числа электронов над числом дырок, т. е. обусловливающие преимущественно электронную проводимость, называются донорными («отдающими» электроны). По отношению к германию и кремнию донорами помимо фосфора могут быть сурьма, мышьяк и некоторые другие элементы пятой группы таблицы Менделеева. Таким образом, в кремнии с примесью фосфора число свободных электронов всегда превышает число дырок и электрическая проводимость осуществляется за счет движения свободных электронов. В этих условиях электроны являются основными носителями заряда, а дырки — неосновными. Полупроводники, у которых основными носителями заряда являются электроны, называются полупроводниками типа п.

Изолированный кристалл л-типа электрически нейтрален, сумма положительных и отрицательных зарядов в нем равна нулю. Количество атомов, лишившихся одного электрона и превратившихся в положительные ионы, строго равно количеству оторвавшихся от атомов электронов. Чем выше температура, тем больше образуется свободных электронов. В частности, при комнатной температуре практически все «лишние» электроны донорной пятивалентной примеси отрываются от атомов и движутся хаотически. Положительные ионы находятся в узлах кристаллической решетки.

Рассмотрим картину образования p-n-перехода. При этом для простоты будем считать, что p-n-переход образован в результате соприкосновения двух полупроводников р- и и-типов и концентрации электронов в области n-типа и дырок в области р-типа равны. При комнатной температуре практически все атомы примесей полупроводника ионизированы: в полупроводнике р-типа концентрация отрицательных ионов акцепторов Na равна концентрации свободных дырок рр, а в области л-типа концентрация положительных ионов доноров Nd равна концентрации свободных электронов и„. Кроме того, в каждой области имеется небольшое количество неосновных носителей. При создании p-n-перехода (упрощенно — при соприкосновении областей р- и и-типов) равенство между количеством ионов и свободных носителей заряда нарушается. Так как между областями р- и и-типов существует значительная разница в концентрации дырок и электронов, происходит диффузия дырок в область и-типа и электронов — в область р-типа.

Энергетическая диаграмма сплавного р-п-р транзистора в отсутствие напряжений на электродах показана на 12-3, а. Вся система находится в состоянии равновесия и характеризуется единым уровнем Ферми. При комнатной температуре практически все примесные атомы ионизированы и поэтому уровень Ферми вне границ запирающих слоев лежит в р-полупроводниках выше

Энергетическая диаграмма сплавного р-п-р транзистора в отсутствие напряжений на электродах показана на 12-3, а. Вся система находится в состоянии равновесия и характеризуется единым уровнем Ферми. При комнатной температуре практически все примесные атомы ионизированы и поэтому уровень Ферми вне границ запирающих слоев лежит в р-полупроводниках выше

Рассмотрим картину образования p-n-лерехода. При этом для простоты будем считать, что p-n-переход образован в результате соприкосновения двух полупроводников р- и n-типов и концентрации электронов в области n-типа и дырок в области р-типа равны. При комнатной температуре практически все атомы примесей полупроводника ионизированы: в полупроводнике р-типа концентрация отрицательных ионов акцепторов Na равна концентрации свободных дырок рр, а в области n-типа концентрация положительных ионов доноров Nd равна концентрации свободных электронов пп. Кроме того, в каждой области имеется небольшое количество неосновных носителей. При создании p-n-перехода (упрощенно - при соприкосновении областей р- и п-токов) равенство между количеством ионов и свободных носителей заряда нарушается. Так как между областями р- и n-типов существует значительная разница в концентрации дырок и электронов, происходит диффузия дырок в область n-типа и электронов - в область р-типа.

при низкой температуре практически отсутствует. Поэто-

восстановительной способности восстановителя (т.е. при сдвиге потенциалов в направлении отрицательных значений) и окислительной способности окислителя (т.е. при возрастании электродного потенциала). Как видно из табл. 2.1, потенциалы восстановителей для ТЭ относительно мало отличаются друг от друга. В то же время теоретические удельные расходы в ТЭ с кислородными электродами изменяются в широких пределах (примерно на порядок). Приведенные в табл. 2.1 восстановители и продукты их окисления находятся либо в газообразном, либо в жидком состоянии, поэтому легко могут быть подведены к ТЭ, а продукты реакции - выведены из ТЭ (ТЭ с кислородными электродами). Исключение составляют уголь и другие твердые виды природного топлива, подвод которых в ТЭ, и особенно распределение по многим ТЭ, представляют собой очень сложные технические задачи. Природные виды твердого топлива содержат большое количество примесей и по этой причине также не могут подаваться непосредственно в ТЭ. Кроме того, электрохимическое окисление углерода при обычной температуре практически не происходит. Все эти обстоятельства не позволяют использовать уголь и другие твердые виды природного топлива непосредственно в ТЭ. Их применение в ЭЭУ возможно лишь после предварительной переработки в реагенты, удобные для использования в ТЭ.

Решение. Для нахождения параметров сердечника при температуре, превышающей 20°С, вводим температурный коэффициент в % :

Индекс К указывает, что значения соответствующих величин относятся к температуре, превышающей точку магнитных превра-

Отжиг радиационных нарушений в GaAs и в большинстве других соединений АП1ВУ происходит в интервале температур 500 —700 °С в зависимости от дозы облучения. Электрическая активация примесей идет только после отжига при температуре, превышающей 500 °С. Это объясняется распадом радиационных кластеров на точечные дефекты, играющие роль компенсирующей примеси в полупроводниках АШВУ.

В тепловой трубе кроме пара теплоносителя не должно быть другого, неконденсирующегося газа. Присутствие постороннего газа приводит к блокированию части поверхности в зоне конденсации, так как пар увлекает этот газ при своем интенсивном перемещении. Существуют физические и химические причины возникновения в тепловой трубе неконденсирующегося газа. Физической причиной является десорбция газа с поверхности стенок корпуса трубы и фитиля, а также выделение газа, растворенного в теплоносителе. Физическая причина устраняется тщательным обез-гаживанием корпуса и фитиля путем нагрева в вакууме при температуре, превышающей максимальную возможную при эксплуатации. Для удаления воздуха из дистиллированной воды ее кипятят два часа.

где /в0 — значение тока /„ при температуре +25°С; Ist — значение тока /8 при температуре, превышающей +25°С. Поэтому для германиевых диодов в области максимальных значений температуры окружающей среды ток /s может быть больше той составляющей тока, которая протекает через #обр; следовательно, влиянием /?обр можно пренебречь. Эквивалентная схема запертого диода сведется к генератору тока /„. Для кремниевых диодов ток /s очень мал, и хотя его температурные изменения даже более существенны, чем у германиевых диодов, ток Ist также остается малым. Статическая эквивалентная схема в этом случае упрощается и сводится к сопротивлению Яобр.

Кремнийорганические жидкости обладают большой стойкостью против окисления. Жидкости группы ПМСЖ слабо окисляются даже при 205° С. Некоторое применение находят сейчас разные фторсодержащие жидкости: фторугле-водороды и фторхлоруглеводороды. Они отличаются очень высокой стоимостью, что сильно ограничивает их применение. Ниже приведены некоторые свойства фторхлоругле-водородной жидкости: диэлектрическая проницаемость 2,5— 3,0; tg 8 0,0025 при 1000 Гц; р » Ю12 Ом-м. Фторированные жидкости отличаются большой стабильностью и не токсичны. Фторхлоруглеводороды при температуре, превышающей 250° С, разлагаются с образованием токсичных продуктов. Разложение под действием электрической дуги также приводит к появлению ряда токсичных соединений.

Укажем также, что для некоторых процессов, например возгонки цинка, желательно держать уплотнение при температуре, превышающей температуру конденсации продукта. В этом случае можно выполнить затвор с электрообогревом и в качестве уплотняющей жидкости применить, например, расплавленный свинец. Конструкция уплотнения при этом сходна с описанной, однако вся система размещается ниже щек электрододержателя.

Из 9-9 видно, что быстрый рост потерь на испарение имеет место при температуре, превышающей ту, при которой потери на испарение равны потерям на излучение. Однако реально достижимые

Оказывается, когда кристаллическое тело находится в жидком состоянии, то при любой температуре, превышающей точку плавления Тпл, его свободная энергия меньше, чем если бы оно при той же температуре находилось в твердом, т. е. кристаллическом, состоянии. Однако когда его температура окажется ниже точки плавления, то более низкий запас свободной энергии будет у твердого состояния.

В полях напряженностью g>5-102 В/см электронно-дырочный газ как бы нагревается, частицы становятся «горячими», так как их средняя энергия соответствует температуре, превышающей температуру кристаллической решетки. В этих условиях дрейфовая скорость, приближаясь к средней тепловой скорости

В полях напряженностью g>5-102 В/см электронно-дырочный газ как бы нагревается, частицы становятся «горячими», так как их средняя энергия соответствует температуре, превышающей температуру кристаллической решетки. В этих условиях дрейфовая скорость, приближаясь к средней тепловой скорости