Температура кристалла

марки БЗ с низшей теплотой сгорания QJJ = 13 997 кДж/кг. Определить экономию топлива в процентах, получаемую за счет предварительного подогрева конденсата, идущего на питание котлоагрегатов в регенеративных подогревателях, если известны температура топлива при входе в топку tT = 20 °С, теплоемкость рабочей массы топлива с? = 2,1 кДж/(кг-К), к. п. д. котлоагрегата (брутто) т]кра = 91,5 %, давление перегретого пара /?ц.п = 4 МПа, температура перегретого пара /п.п = 430 °С, температура конденсата tK — 32 °С, температура питательной воды после регенеративного подогревателя ^п в == 130 °С и величина непрерывной продувки Р = 3 %.

где ?д — температура воды в Д; Уб — водяной объем питательного бака; От„— поток дренажей подогревателя высокого давления (ПВД); ?>кД — поток конденсата из подогревателя низкого давления (ПНД) в Д; гдр —температура дренажа ПВД, сливаемого в Д; рв— плотность воды; -с —время; ^пнд — температура конденсата, поступающего в Д из ПНД. Иначе записываем:

устанавливаемых после конденсаторов. По условием работы фильтров БОУ температура конденсата перед БОУ не должна превышать 40 — 45°С. При работе блока Т-250/300-240 в конденсационных режимах очистка конденсата осуществляется так же, как и на конденсационных блоках 300 МВт и не вызывает затруднений. Однако в теплофикационных режимах основные потоки пара идут на сетевые подогреватели СП1 и СП2 (до 165 кг/с). Температура конденсата греющего пара сетевых подогревателей в зависимости от графика теплосети может достигать 100 — 110°С. Поэтому для охлаждения конденсата применяются специальные схемы с установкой охладителей ( 4-22) , в отличе от расчетной схемы, показанной на 4-21. В охладителе I ступени OKI конденсат сетевых подогревателей охлаждается основным конденсатом после БОУ, охладителя эжекторов ПЭ и сальникового охладителя СХ. В охладителе II ступени ОК2 для охлаждения используется циркуляционная вода.

Подогрев основного конденсата в охладителе эжекторов и сальниковом охладителе, а следовательно, температура конденсата перед OKI определяются с учетом уравнения

Расчетная температура перед БОУ (за ОК2) принимается равной 40 — 45°С; температурный перепад на выходе теплоносителей из OKI и ОК2 Д^=15-н-20°С. Температура конденсата после конденсатора определяется с учетом теплового баланса конденсатора и условий его работы по давлению в конденсаторе.

1 Несмотря на уменьшение D , потери в конденсаторе возрастают, так как при этом уменьшается температура конденсата.

где TI — температура питательной воды, К; Т^ — Т — температура воды на выходе из соответствующего подогревателя, К; Т — температура конденсата на входе в подогреватель последнего отбора, К [21].

15. В примере 85 рассчитайте, какой расход охлаждающей воды нужен для того, чтобы температура конденсата была равна СО°С, если температура охлаждающе!! полы 40 СС, а ni3 = 23 м'/мин?

Вследствие этого производительность конденсатоотводчиков, измеренная по холодной воде, не соответствует производительности по горячему конденсату. Таким образом, при определении производительности конденсатоотводчика по горячему конденсату необходимо указанную в таблицах производительность по холодной воде уменьшить. Чем ниже температура конденсата и выше давление, тем больше производительность конденсатоотводчика по конденсату приближается к производительности по холодной воде.

При расчете производительности конденсатооотводчика необходимо учитывать уменьшение перепада, вводя поправочный коэффициент, учитывающий увеличение противодавления за конденсатоотводчиком. При отношении температур tKltB < 0,85 пропускная способность равна пропускной способности по холодному конденсату. (Здесь tK — температура конденсата; tH — температура насыщения.) При отношении tK/tH = 0,85-^-1 пропускная способность по конденсату с температурой насыщения составляет 0,5 — 0,6 от пропускной способности по конденсату с tK = 20° С.

Предназначены для установки на трубопроводах конденсата давлением от 0,5 до 3,6 МПа, подаваемого в гидроприводы обратных клапанов. Рабочая температура конденсата до 100° С, температура окружающей среды до 60° С. Клапаны устанавливаются ;;а горизонтальном трубопроводе электромагнитным приводом вертикально вверх. Клапаны вакуумно-плотные по отношению к внешней среде. Рабочая среда подается на золотник. Герметичность запорного органа обеспечивается давлением рабочей среды. В исходном положении (электро

Температура кристалла, рассеивающая мощность которого 0,5 Вт, в пластмассовом корпусе на 25° С выше температуры окружающего воздуха только из-за применения кор-

где Д?„ — энергия, затрачиваемая на образование вакансии; k — постоянная Больцмана; Т— температура кристалла.

Миниатюризация неизбежно ведет к усложнению проблемы отвода тепла. Первичным источником тепла в РЭА являются ИС, расположенные внутри модулей. Хотя каждая ИС может быть малым источником тепла, в сумме теп-лонагруженность стойки или шкафа достигает 5 кВт/м3 для РЭА 3-го поколения и 50 кВт/м3 для РЭА 4-го и 5-го поколения. При любой теплонагруженности температура кристалла ИС не должна быть выше 70 °С, так как температу-

так и непрямые межзонные переходы ( 9-9, б и в). Для прямых переходов вниз наиболее вероятно выделение энергии в виде фотонов (излучательная рекомбинация). В случае непрямых переходов энергия выделяется, как правило, в виде фононов и воспринимается кристаллической решеткой. Температура кристалла при этом повышается относительно окружающей среды и происходит равновесное тепловое излучение. При непрямых переходах помимо фонона может выделиться также и квант лучистой энергии — фотон.

так и непрямые межзонные переходы ( 9-9, б и в). Для прямых переходов вниз наиболее вероятно выделение энергии в виде фотонов (излучательная рекомбинация). В случае непрямых переходов энергия выделяется, как правило, в виде фононов и воспринимается кристаллической решеткой. Температура кристалла при этом повышается относительно окружающей среды и происходит равновесное тепловое излучение. При непрямых переходах помимо фонона может выделиться также и квант лучистой энергии — фотон.

тов необходимо повышать рассеиваемую мощность. Однако ори использовании в аппаратуре 'микросхем с большей рассеиваемой мощностью требуется увеличивать габариты источников питания, сечение токопроводов, усложнять систему теплоотвода. Но наибольшим ограничением является снижение надежности микросхемы, так как при этом возрастает температура кристалла.

с законом Больцмана число таких атомов прямо пропорционально ехр (— UlkT), где V — энергия образования дефекта; Т — абсолютная температура кристалла. Для дефектов по Френкелю число их в кристалле, содержащем N узлов, равно

где 7',1.маКс=150оС — максимально допустимая температура кристалла диода, ^п.к. — тепловое сопротивление переход-корпус диода (приводится в справочных данных на диод), Гкмакс — максимально допустимая температура корпуса диода. Диоды с барьером Шотки. Для выпрямления малых напряжений высокой частоты широко используются диоды с барьером Шотки (ДШ). В этих диодах вместо /i-л-перехода используется контакт металлической поверхности с полупроводником. В месте контакта возникают обедненные носителями заряда слои полупроводника, которые называются запорными. Диоды с барьером Шотки отличаются от диодов с />-и-переходом по следующим параметрам:

Температура р-n перехода («температура кристалла») вычисляет-из выражения:

Как следует из 5.32, в нормальном режиме работы ключ Кл1 замкнут, Кл2 — разомкнут. Если температура кристалла транзистора превысит установленный предел (165 °С), сработает температурный датчик, который установит триггерную схему в новое положение — отключит Кл1 и замкнет Кл2. Таким образом, транзистор потеряет управление и закроется. То же самое произойдет, если ток через сило-

где RJC — знакомое нам тепловое сопротивление «кристалл-корпус»; tj — температура кристалла; ta — температура окружающей среды.