Температуры уменьшается

При прохождении через образец постоянного тока в переменном магнитном поле и усреднении измеренного напряжения по двум направлениям тока неустранимой остается лишь ЭДС термогальванического эффекта, обусловленная градиентом температуры вследствие эффекта Пельтье.

Для схем с приводной турбиной с противодавлением к турбине может подводиться пар от отборов за промежуточным перегревателем, а отработавший пар отводиться в ПНД или проточную част > цилиндра низкого давления ( 6.22, б). Можно также отбирать нар на турбину из холодной нитки промежуточного перегрева и отводить выхлопной пар в ПВД ( 6.22, в). При такой схеме питательная вода нагревается в подогревателе, установленном непосредственно за насосом, отработавшим паром низкой температуры, вследствие чегс тепловая экономичность установки остается высокой [62].

На точность работы индуктивных преобразователей оказывают влияние изменения температуры, вследствие чего изменяются магнитная проницаемость и длина воздушных зазоров, колебания напряжения питания и частоты. Обычно погрешность индуктивных преобразователей составляет 0,1... 1,5 %.

Термисторы, или полупроводниковые терморезисторы,— устройства, сопротивление которых уменьшается с повышением температуры вследствие отрицательного температурного коэффициента сопротивления а, Это приводит к тому, что в начале при небольших токах /, меньших /мин ( 29), наблюдается почти прямая пропорциональность между напряжением U и током /, а затем при изменении тока / от значения /мин до величины /макс> когда происходит заметное повышение температуры термистора и сопротивление его уменьшается, наступает практическая стабилизация напряжения на зажимах термистора. Дальнейшее увеличение тока / сверх значения /макс вызывает повышение напряжения U, что нарушает стабилизацию напряжения.

На точность работы индуктивных преобразователей оказывают влияние изменения температуры, вследствие чего изменяются магнитная проницаемость и длина воздушных зазоров, колебания напряжения питания и частоты. Обычно погрешность индуктивных преобразователей составляет 0,1... 1,5 %.

* Для реализации такой температурной шкалы используют термометры, принцип действия которых основан на свойствах расширения различных веществ под воздействием измеряемой температуры. Вследствие того, что коэффициенты расширения термометрических веществ несколько меняются в зависимости от температуры, показания таких термометров совпадают лишь в реперных точках.

Возникающая при этом в дуге разность давлений обусловливает выброс потоков плазмы, исходящих из мест наибольшего сужения — оснований дуги. Кроме стягивающего эффекта, вызываемого электромагнитными усилиями, определенную роль в образовании потоков плазмы играют тепловые процессы в приэлектродных основаниях дуги. Сужение оснований дуги приводит к увеличению плотности тока в них, а следовательно, и к увеличению температуры, вследствие чего сгустки плазмы с более высокой температурой устремляются в область с меньшей температурой и более низким давлением. Кроме того, повышение температуры в основаниях дуги сопровождается более интенсивным испарением материала контактов и образованием за счет этого областей с повышенным давлением. Совокупность этих явлений и обусловливает образование и выброс потоков плазмы, оказывающих существенное влияние на процесс дугогашения и эрозию контактов [61. Для возникновения потоков плазмы должны соблюдаться определенные условия. Значение граничного тока, при котором возникают плазменные потоки, зависит от свойств контактного материала и дуго-

При относительно больших температурах (участок кривой за точкой 3) концентрация свободных электронов (носителей заряда) растет с увеличением температуры вследствие перехода электронов через запрещенную зону. Наклон этого участка кривой характеризует ширину запрещенной зоны АЭ полупроводника. Уровень Ферми при

Частота колебаний, генерируемых мультивибратором, нестабильна и меняется главным образом с изменением температуры (вследствие изменения тока /Кбо и напряжения «бэ, при котором происходит отпирание транзистора).

Для защиты воздушных линий и небольших трансформаторных подстанций, питаемых от них, применяют трубчатые разрядники. Такой разрядник представляет собой трубку из фибры или органического стекла, внутри которой имеется металлический стержень с воздушным искровым промежутком. Один конец стержня присоединяют к фазе высокого напряжения, а другой — к заземлению. При перенапряжении в искровом промежутке внутри трубки появляется электрическая дуга высокой температуры, вследствие чего стенки трубки выделяют газы, которые гасят дугу. Газы под давлением сильным потоком выходят через открытый конец трубки.

При повышенных концентрациях примесей и низких температурах основную роль играет рассеяние на ионизированных атомах примесей. Механизм рассеяния движущегося электрона неподвижным ионом поясняется на 1.10. Если температура низкая, то тепловая скорость электрона (1.6) мала. В результате притяжения электрон «падает» на ион (траектория /), превращая его на некоторое время в нейтральный атом, после чего в результате теплового возбуждения электрон отрывается от атома и начинает движение в случайном направлении, не связанном с первоначальным. Это соответствует «сильному» рассеянию. При большой температуре скорость электрона увеличивается. Он уже не «падает» на ион, хотя направление движения изменяется (траектория 2). При еще большей температуре вследствие большой скорости направление движения почти не изменяется (траектория 3), что соответствует слабому рассеянию. Таким образом, при рассеянии свободных носителей на ионизированных примесях подвижность увеличивается с ростом температуры вследствие уменьшения времени их взаимодействия с ионами. Средняя длина свободного пробега, как показывает анализ, /~tT4; тогда в соответствии с (1.14) и (1.6) имеем ц~Т3/2.

Отметим, что с ростом температуры уменьшается полоса пропускания ОУ и соответственно возрастает время установления и, кроме того, входное сопротивление.

При увеличении напряжения стабилизации свыше 7...10 В увеличивается толщина р — л-перехода и возрастает роль лавинного пробоя. В этом случае с ростом температуры уменьшается длина пробега свободных носителей заряда за счет увеличения числа соударений с решеткой кристалла полупроводника, поэтому возрастает величина напряжения пробоя.

В первом приближении можно считать, что нелинейность вольт-амперной характеристики варистора зависит от степени нагрева точечных контактов. В области этих контактов, имеющих малое сечение, проходят токи большой плотности, что приводит к их местному перегреву. С повышением температуры уменьшается сопротивление контакта и появляется нелинейность вольт-амперной характеристики ( 10.4). Типичной особенностью этой характеристики является ее симметричность. Дополнительная нелинейность характеристики имеет место из-за влияния эффекта лавинного пробоя областей объемного заряда на поверхности кристаллов.

В отличие от твердых веществ растворимость газов с повышением температуры уменьшается, так что кипячением можно удалить все растворенные в воде газы. С повышением давления растворимость газов увеличивается. Например, если в 100 мл воды при 0°С и нормальном давлении растворяется 0,335 г газообразного диоксида углерода, то при увеличении давления — 0,670 г.

При достаточно высокой температуре полупроводника энергия электрона в возбужденном состоянии может оказаться выше Wc, и тогда электрон в основное состояние «скатывается» вниз по кривой Wa безызлучательно с испусканием фононов. В силу этого люминесценция с повышением температуры уменьшается. Это явление называют температурным тушением люминесценции.

1. С ростом температуры уменьшается время релаксации т. Интенсивность теплового движения возрастает, увеличивается частота тепловых флуктуации, и это приводит к тому, что частицы вещества все чаще меняют положения равновесия. Процесс поляризации ускоряется, и в этом заключается положительное влияние повышения температуры. Зависимость времени релаксации от абсолютной температуры имеет вид [7]

где t — разность температур — заданной и исходной (за исходную принята температура 20° С; удельные сопротивления, приведенные в табл. 1.1, заданы для этой температуры) ; г — сопротивление, соответствующее исходной температуре; a — температурный коэффициент сопротивления. Для чистых металлов температурный коэффициент примерно одинаков и положителен: a « 0,004 1/°С. Разработаны специальные сплавы типа манганина (84% Си, 12% Ni, 4% Мп) и константана (60% Си, 40% Ni), имеющие значительно меньший температурный коэффициент a — 0,00004 1/°С. Такие сплавы применяются в электроприборостроении. Для электролитов и угля а имеет отрицательное значение, т. е. их сопротивление с ростом температуры уменьшается.

Приведенные формулы являются приближенными и могут давать ошибку порядка десятка процентов и более, а при повышенных температурах они вообще не пригодны. С повышением температуры уменьшается сопротивление перехода эмиттер-база закрытого транзистора, так как через него увеличивается ток неосновных носителей. Это сопротивление шунтирует сопротивление резистора RQ, изменяет постоянную времени перезаряда конденсатора и сокращает длительность импульса, изменяя тем самым частоту колебаний мультивибратора. Для уменьшения шунтирующего воздействия в схему мультивибратора вводят термокомпенсирующие цепи. Самым простым способом термостабилизации является уменьшение сопротивления резистора R&. Чем меньше сопротивление Rs по сравнению с обратным сопротивлением эмиттерного перехода, тем меньше изменение последнего сказывается на частоте колебаний. Однако уменьшение сопротивления Re требует для получения импульса заданной длительности такого же увеличения емкости конденсатора С, что приводит к увеличению постоянной времени заряда конденсатора и, следовательно, к затягиванию фронта отрицательного импульса. Для уменьшения фронта импульса следует уменьшить сопротивление резистора RK, что связано с увеличением тока насыщения /к. н и с ухудшением теплового режима транзистора. Для того чтобы не перегрузить транзистор и одновременно улучшить форму импульса, сопротивление резистора в цепи коллектора иногда разбивают на две части ( 119). Величину R'K выбирают таким образом, чтобы выполнялось условие /к. нас <С < /к. доп. Так как перезаряд конденсаторов происходит через малые сопротивления резисторов R"K, форма генерируемых импульсов значительно улучшается. Однако, следует учитывать, что значительное уменьшение сопротивлений R"K затрудняет самовозбуждение схемы.

Температурная компенсация может осуществляться с помощью термомагнитного шунта, выполненного из материала, магнитная проницаемость которого уменьшается с повышением температуры. Магнитный поток, ответвляе- — мый в шунт при повышении \У температуры, уменьшается, а индукция в воздушном зазоре С

ляется не только свойствами поверхности, способными повлиять на значение Д?, но и в значительной степени температурой. С ростом температуры селективность травителя оказывается выраженной меньше. Поэтому для выявления картины дефектов поверхности желательно работать в холодных трави-телях. Однако при снижении температуры уменьшается вязкость травителя и параллельное влияние на процесс начинает оказывать диффузионная стадия. Процесс переходит в диффузионно-кинетическую область, но обычно селективность травления поверхности оказывается выраженной сильнее.

Во многих случаях правильный выбор растворителя позволяет вести кристаллизацию при температуре на несколько сотен градусов ниже точки плавления соединения. Это, в свою очередь, позволяет снизить концентрацию химических и структурных дефектов в слоях по сравнению с выращенными из стехиометрического расплава, снижает опасность загрязнения побочными примесями, для большинства из которых коэффициент распределения уменьшается с понижением температуры. Уменьшается и концентрация тепловых вакансий.