Температуры возрастают

Сопротивление металлических проводников при повышении температуры возрастает. Зависимость сопротивления от температуры выражается следующей формулой:

Таким образом, в данном случае, как и при $0 = 0, превышение температуры возрастает по экспоненциальному закону, стремясь к значению #тдх • Начальное превышение температуры изменяет лишь скорость изменения температуры, но не характер процесса ( 17.5) . 284

Различают два типа терморезисторов: тер-лшстор, сопротивление которого с ростом температуры падает, и позистор, у которого сопротивление с повышением температуры возрастает. Конструкции термисторов показаны на 1.8, а — в. Материалом для изготовления термисторов служат обычно полупроводники с электронной электропроводностью, как правило, оксиды металлов и смеси оксидов. Конструктивно термисторы оформляют в виде бусин, шайб, дисков. В ряде случаев термисторы помещают в стеклянные баллоны и подогревают током с помощью специальной обмотки. Такой термистор называют термистором косвенного подогрева.

При увеличении температуры возрастает мощность, рассеиваемая р—«-переходом. Для обеспечения нормальной работы р—«-перехода эта мощность не должна превышать максимально допустимого значения, определяемого из выражения

Величины всех параметров схемы замещения транзистора ( 6.5, а) зависят от температуры. Сопротивление эмиттера г, с увеличением температуры возрастает. Сопротивления гк и г? увеличиваются с ростом температуры до 20...25° С, а затем несколько уменьшаются: гк — за счет утечек и ударной ионизации; г'ь — за счет увеличения проводимости базы.

Таким образом, в данном случае, как и при i>0 =0, превышение температуры возрастает по экспоненциальному закону, стремясь к значению &№вх • Начальное превышение температуры изменяет лишь скорость изменения температуры, но не характер процесса ( 17.5) .

Таким образом, в данном случае, как и при $0 =0, превышение температуры возрастает по экспоненциальному закону, стремясь к значению "&п,ах . Начальное превышение температуры изменяет лишь скорость изменения температуры, но не характер процесса ( 17.5) .

На 2.1, а схематически показано, как происходит рассеяние движущихся носителей заряда на тепловых колебаниях решетки. С повышением температуры возрастает амплитуда тепловых колебаний узлов кристаллической решетки, более вероятными становятся столкновения носителей заряда с колеблющимися узлами решетки, что и определяет уменьшение подвижности с ростом температуры при высоких температурах.

На 3.12, а схематически показано, как происходит рассеяние движущихся носителей заряда на тепловых колебаниях решетки. С повышением температуры возрастает амплитуда тепловых колебаний узлов кристаллической решетки, более вероятными становятся столкновения носителей заряда с колеблющимися узлами решетки, что и определяет уменьшение подвижности с ростом температуры при высоких температурах.

Напротив, вязкость газов при повышении температуры возрастает, поскольку причиной возникновения касательного к слоям напряжения служит в этом случае диффузия молекул, которая сопровождается переносом количества движения из одного слоя в другой. С повышением температуры скорость движения молекул возрастает и, следовательно, увеличивается переносимое количество движения.

В-третьих, в отличие от чистых металлов электропроводность чистых полупроводников в большей степени зависит от температуры — с ростом температуры возрастает. Так, для большинства металлов температурный коэффициент сопротивления изменяется до + (0,4—0,6) % на ГС, а для полупроводников до —(5—6) % на Г С и более.

С ростом температуры возрастают как прямой, так и обратный ток. Вольт-амперная характеристика р-п-пе-. рехода при более высокой температуре показана на 1.6 пунктирной ^шнией.____ , ,

Зависимость электропроводности полупроводников от температуры обусловливает температурные изменения и других параметров транзистора. Коэффициент передачи тока эмиттера, сопротивление эмиттера и коэффициент обратной связи по напря^ жению с ростом температуры возрастают. Следует отметить, что параметры транзистора изменяются при колебаниях температуры ввиду изменения тока /Кбо. В связи с резким увеличением тока /Кбо и ухудшения выпрямительных свойств р—га-перет

Рассмотрим другой случай. При увеличении температуры возрастают ток УКБО и коэффициент р транзистора, в результате увеличивается ток коллектора (см. § 1.5) и снижается потенциал коллектора. На нагрузке возникает отрицательное приращение напряжения — сигнал дрейфа.

борах высоких классов точности (0,5; 0,2; 0,1). В такой схеме последовательно с уедной рамкой включается резистор из манганина R3. Эта цепь шунтируется резистором RI из материала с большим температурным коэффициентом (меди или кикеля) и через последовательно включенный манганиновый резистор R2 подключается к шунту Rm. При повышении температуры возрастают сопротивления ргмки и Rlm Однако, поскольку последовательно с рамкой включен резистор R3, имеющий практически нулевой температурный коэффициент, то по сравнению с цепью рамки увеличение сопротивления в цепи Rl будет больше. Поэтому изменится распределение токов /2 и /г таким образом, что в обмотку рамки будет ответвляться несколько большая часть общего тока, чем раньше. Так как сопротивление между точками а к с увеличивается, а ток 1Х не изменяется, напряжение Uac между этими точками несколько увеличится. Выбором сопротивлений можно добиться того, чтобы при изменении температуры ток в обмотке рамки менялся в пределах, определяемых допускаемым значением температурной погрешности,

с этим дипольный момент молекул и элементарных структур имеют дипольные и другие потери. Потери зависят от частоты и температуры, возрастают до больших значений, при которых возможен тепловой пробой и нарушение электрической прочности. Такие .диэлектрики не рекомендуются для применения на высокой частоте и в отличие от неполярных называются еще, по-применению, низкочастотными.

Последовательно-параллельная схема ( 57,6) широко используется в приборах высоких классов точности (0,5; 0,2; 0,1). В такой схеме последовательно с медным сопротивлением рамки включается сопротивление из манганина г3. Эта цепь шунтируется сопротивлением г± из материала с большим температурным коэффициентом (меди или никеля) и через последовательно включенное манганиновое сопротивление г2 подключается к шунту гш. При повышении температуры возрастают сопротивления рамки и г:. Однако поскольку последовательно с рамкой включено сопротивление г2, имеющее практически нулевой температурный коэффициент, то по сравнению с цепью рамки увеличение Сопротивления в цепи г1 будет больше. Поэтому изменится распределение

Превышение эксплуатационной температуры выше расчетной приводит к интенсификации диффузионных процессов, что сказывается на изменениях дислокационной структуры гибов и на характере развития разрушения. При одном и том же времени эксплуатации с ростом температуры возрастают размеры субзерен, более интенсивно протекают процессы рекристаллизации, т.е. ускоряются разупрочняющие процессы. При температуре 600 °С и выше рекристаллизация осуществляется не только на стадии образования зародышей внутри исходных зерен, но и путем миграции границ зерен. Такие изменения в структуре металла наблюдаются при приближении к границе между областями бив карты.

Периферийные твэлы. Периферийные твэлы находятся в иных гидродинамических условиях, чем центральные. Различия в геометриях ячеек приводят к перераспределению расхода теплоносителя, различию подогревов и к другим величинам неравномерностей температуры теплоотдающей поверхности твэла. Неравномерности температуры возрастают с увеличением зазора между стенкой кассеты и периферийными твэлами. Установка вытеснителей в периферийных ячейках, а также навивка на твэлы дистанционирующей проволоки приводят к снижению неравномерности.

Рассмотрим другой случай. При увеличении температуры возрастают ток /кбо и коэффициент (3 транзистора, в результате увеличивается ток коллектора (см. § 1.5) и снижается потенциал коллектора. На нагрузке возникает отрицательное приращение напряжения — сигнал дрейфа.

температуры возрастают, пропорционально Sils. Однако при увеличении Sf возрастает и вклад потерь тепла, обусловленных лучистым и конвективным теплообменом, поэтому в конечном итоге перепад температуры не превышает 60— 80 К в воздушной атмосфере и 100— 250 К в условиях космоса. Необходимые перепады температуры достигаются зеркальными концентраторами [38, 50, 51, 73] в виде параболоидов, отражателей Френеля или набора плоских зеркал ( X. 12).Оптимизация конструкции солнечного генератора [13, 14, 33, 58, 63, 75] производится путем выбора