Температуры источника

На практике вместо допустимой температуры используют допустимый ток. Допустимый ток - это такой ток, при длительном протекании которого проводник нагревается до допустимой температуры. Значения допустимого тока указывается в ПУЭ и справочниках (см. табл. П. 2.3, П. 2.7 - П 2.10), К табличной величине допустимого тока вводят поправки, учитывающие ухудшение условий охлаждения из-за взаимного влияния кабелей друг на друга при прокладке их в траншее или в блоке, изменение условий теплоотдачи при отличии температуры окружающей среды от расчетной. Для КЛ до ]0 кВ температура может превышать табличное значение допустимого тока при авариях или в послеаварийньгх режимах, если наибольший ток предварительной нагрузки в нормальном режиме был не более 80% допустимого, т.е. при условии 0,8/^, >/„б.

Принцип действия терморезистивных преобразователей основан на свойстве проводников или полупроводников изменять свое электрическое сопротивление при изменении температуры. Для преобразований температуры используют материалы, обладающие высокой стабильностью ТКС, высокой воспроизводимостью электрического сопротивления для данной температуры, значительным удельным электрическим сопротивлением и высоким ТКС, стабильностью химических и физических свойств при нагревании, инертностью к воздействию исследуемой среды.

Смещение фиксированным напряжением те очень критично к замене транзисторов, но пригодно лишь для каскадов, работающих при мало меняющейся температуре. Чтобы поддерживать постоянным положение точки покоя в каскадах, работающих в режиме В при больших изменениях температуры, используют температурно-компенсированное смещение от делителя, для чего одно из сопротивлений делителя берут температурно-зависимым. Можно также заменить /?2 полупроводниковым диодом; сопротивление последнего будет падать при повышении температуры и расти при её понижении, автоматически изменяя напряжение смещения в нужную сторону для поддержания постоянства тока покоя.

Смещение фиксированным напряжением не очень критично к замене транзисторов, но пригодно лишь для каскадов, работающих при мало меняющейся температуре. Чтобы поддерживать постоянным положение точки покоя в каскадах, работающих в режиме В при больших изменениях температуры, используют температурно-компенсированное смещение от делителя, для чего одно из сопротивлений делителя берут температурно-зависимым. Например, можно взять в качестве ^2 полупроводниковый диод; его сопротивление будет падать при повышении температуры и расти при её понижении, автоматически изменяя напряжение смешения в нужную сторону для поддержания постоянства тока покоя.

Датчики технологических переменных. Датчики температуры. Выбор типа датчика температуры в основном определяется диапазоном изменения измеряемой температуры и условиями эксплуатации. Для измерения температуры используют термопары, термосопротивления, полупроводниковые датчики и пирометры.

свечения некоторых веществ при изменении температуры, используют для определения температурного режима радиоэлектронной аппаратуры и электротехнического оборудования в процессе ис-

В качестве силовых исполнительных элементов в микропроцессорных регуляторах температуры используют оптронные тиристоры и симисторы или тиристоры и еимисторы обычного исполнения, включаемые по схемам, приведенным на рис 60.69, а и б. Наряду с фазоимпульсным управлением ти-

Большинство отопительных установок для подогрева воды до нужной температуры используют котлы, топливом для которых служит газ или мазут. Для подачи воздуха в зону горения обычно используют вентиляторы, а для удаления продуктов горения — дымососы. Так как производительность отопительной установки меняется в широких пределах, то и количество воздуха, подаваемого вентилятором, и количество отработанных газов будет меняться. Для регулирования подачи вентилятора и дымососа в соответствии с потребностью обычно используют направляющие аппараты или шиберы, что не является энергетически эффективным (см. подразд. 4.2.4). Рассмотрим в связи с этим несколько примеров.

Зависимость сопротивления металлов от температуры используют в различных измерительных и автоматических устройствах. Наиболее

Для измерения перепадов температуры используют и дифференциальные термопары. В этом случае один из спаев электрически изолируется от образца ( VII. 1, V), коэффициент термоЭДС определяется из равенства

Практически ТВ камера в ЦТВ настраивается на формирование равных сигналов по белому объекту (например, листу белой бумаги, установленному перед объективом), поэтому ее равносигнальный цвет определяется цветностью источника освещения в студии. Применяемые для освещения лампы имеют цветовую температуру не более 3200 К, в то время как белый цвет в цветных кинескопах соответствует 7ц = 6500 К. Для преобразования спектра источника 3200 К в спектр источника D 6500 К используют светофильтры, устанавливаемые в камеру ЦТВ (при этом понижается ее чувствительность), либо путем линейного матрицирования (алгебраического сложения) сигналов основных цветов в ЦКМ совмещают две функции — коррекцию цветопередачи и цветовой температуры источника света.

тях подложек, имеющих температуру ниже температуры источника пара. Пленка при конденсации формируется из отдельных атомов или молекул пара вещества. Процесс термовакуумного напыления состоит из четырех этапов: 1) образование пара вещества; 2) перемещение частиц пара от источника к подложкам; 3) конденсация пара на подложках; 4) образование зародышей и рост пленки.

В зоне осаждения при температуре примерно на 50° ниже температуры источника идет синтез арсенида галлия, сопровождающийся освобождением воды-транспортера:

Эпитаксия SiC из газовой фазы. В основе метода лежит сублимационная перекристаллизация предварительно синтезированного SiC в инертной атмосфере или в вакууме. Пооцесс проводят в высокотемпературных печах, в графитовых контейнерах ( 4.22). При эпитаксии в аргоне температура реакционной зоны в среднем составляет 2000 —2200 °С, в вакууме процесс идет при более низкой температуре (1800 — 1900 °С). При этом материал источника 5 испаряется с частичным разложением, а пары материала поступают через газопроницаемую тонкую графитовую диафрагму, проникая в зону кристаллизации 7, где расположены подложки 3. Температура в этой зоне на 50 — 60 К ниже температуры источника. Создаваемое здесь незначительное пересыщение пара (3 — 4 %) достаточно для эпитаксиального роста SiC. Ввиду наличия наряду с радиальным значительного осевого градиента температуры в зоне кристаллизации эпитаксия на различных подложках происходит в различных условиях, что обусловливает политипную неоднородность растущих слоев.

Фосфаты аммония NH4H2PO4, (NHJzHPO^ гораздо менее чувствительны к влаге, чем Р2О5, но при их использовании для получения необходимых поверхностных концентраций фосфора требуются более высокие температуры источника (750 — 1200 К). При температурах диффузии фосфаты аммония разлагаются с образованием Р2О5. Процессы, происходящие на поверхности кремния, аналогичны процессам в случае использования в качестве источника Р2О5.

Борный ангидрид используют при диффузионных процессах в замкнутом объеме и в открытой трубе. При проведении диффузии в кремний за счет изменения температуры источника от 1000 до 1600 К удается менять поверхностную концентрацию бора в пределах от 1024 до 1027 м~3. Аппаратура при проведении процесса диффузии из В2О3 аналогична применяемой в случае диффузии из Р2О5. В проточных системах в качестве газа-носителя используют сухой азот.

Основной вклад в изменение величины поверхностной концентрации примеси N3 вносит изменение температуры источника диффузанта. Заметное влияние оказывает изменение расхода газов (носителя диффузанта и окислителя), что, очевидно, приводит к изменению концентрации диффузанта в потоке. Увеличение расхода газа-носителя приводит к уменьшению концентрации диффузанта в потоке, а увеличение расхода газа-окислителя — к ее увеличению. На величину параметра р преимущественное влияние оказывает изменение температуры диффузии, причем уменьшение температуры приводит к уменьшению величины р.

Общим недостатком твердых диффузантов является трудность регулирования давления паров и, как следствие, пониженная воспроизводимость результатов. Кроме того, они требуют высокой температуры источника, что усложняет и удорожает оборудование (двухзонные диффузионные печи). Широкое распространение получили жидкие диффузанты, обладающие высокой упругостью пара при невысоких температурах. Это позволило вынести источник из высокотемпературной зоны (кварцевой трубы печи) и применить более простые однозонные печи. Для транспортировки паров диффузанта в зону диффузии используют аргон, азот и другие газы, не взаимодействующие с кремнием и практически не диффундирующие .в него.

которое используется в качестве напряжения отрицательной обратной связи в режиме покоя. Любые одновременно возникающие нестабильности токов транзисторов (из-за влияния температуры, источника питания и др.) будут ослабляться за счет глубокой отрицательной обратной связи. Вместе с тем на резисторе Ra не создается напряжение обратной связи для составляющих токов A/si и А/Э2, вызванных действием полезного сигнала. Это объясняется тем, что токи эмиттеров обоих транзисторов под воздей-

Общим недостатком твердых диффузантов является трудность регулирования давления паров и, как следствие, пониженная воспроизводимость результатов. Кроме того, они требуют высокой температуры источника, что усложняет и удорожает оборудование (двухзонные диффузионные печи). Широкое распространение получили жидкие диффузанты, обладающие высокой упругостью пара при невысоких температурах. Это позволило вынести источник из высокотемпературной зоны (кварцевой трубы печи) и применить более простые однозонные печи. Для транспортировки паров диффузанта в зону диффузии используют аргон, азот и другие газы, не взаимодействующие с кремнием и практически не диффундирующие .в него.

Влияние технологических параметров на свойства пленок AIByi. Свойства и структурное совершенство пленок зависит от температуры подложки (ТП), которая определяет процессы зарождения и роста кристаллических зародышей; температуры источника (Тш), задающей скорость испарения материала; величины пересыщения в зоне конденсации; природы, ориентации и степени совершенства поверхности подложки; отклонения от стехиометрии состава паровой фазы вблизи подложки. Основными технологическими параметрами при этом являются Тп и 7"и, тесно связанные друг с другом. В работах [121, 122] найдены экспериментальные зависимости между Тп и Ги, обеспечивающие получение высокоориентированных пленок халькогенидов цинка и кадмия при термическом осаждении последних на мусковит. Как видно из 9.1, для всех соединений ¦кривые имеют максимум в области 300 ... 32(fC. Левые ветви зависимостей описываются уравнением

3. Удельное сопротивление с ростом температуры источника, определяющей скорость осаждения, как правило, уменьшается.