Технологию получения

Минимальный набор функциональных компонентов позволяет выполнять чип с одним уровнем маскирования, т. е. изготовлять активные компоненты чипа из пермаллоя в одном процессе литог,,афии с остальными аппликациями. В общем случае, с целью достижения лучших характеристик по временам поиска в накопителях ЗУ, в состав топологии чипа вводят дополнительные коммутирующие элементы: переключатели, репликаторы, дешифраторы и др. По ряду причин, в первую очередь вследствие плохой совместимости областей устойчивой работы отдельных компонентов чипа, выполнить чип в однослойном варианте часто становится затруднительным. В таких случаях применяют двухслойную технологию изготовления чипов, при которой на поверхность ЦМД-ма-териала первым наносят слой проводников, из которых формируют активные КОМПО- 8.11. Два варианта изготовления ненты чипа, а затем, через чипа (размеры указаны в мкм)

— можно изменить технологию изготовления, введя глубокое разделение труда, а также конвейерную сборку.

До сих пор мы рассматривали элементную базу ЭВМ как некоторый исходный базис, объединяемый в ЭВМ структурными и архитектурными решениями. С появлением СБИС процессор оказывается выполненным на одном кристалле СБИС, т. е. архитектура процессора входит в исходное задание на проектирование и технологию изготовления СБИС. Если две последние задачи решаются при помощи САПР, то при помощи САПР должна решаться и задача оптимальной увязки архитектуры процессора с проектированием кристалла СБИС. Но проектирование архитектуры — это интеллектуальный процесс. Как же быть с архитектурой кристалла, ведь в процессе оптимальной технологической подготовки производства кристалла она может быть изменена?

Эти требования практически определяют выбор материалов и технологию изготовления коммутационных плат.

К главным недостаткам сферического ИН следует отнести усложненную технологию изготовления.

Целесообразно задания на курсовое проектирование по спецпредметам привязывать к конкретному типу изделия, выпускаемого промышленностью. При этом учащиеся будут поэтапно решать комплекс взаимосвязанных вопросов, а именно: производить расчет элементов и анализировать или разрабатывать конструкцию сборочных единиц или всего изделия — при работе над курсовым проектом по предмету «Расчет и конструирование электрических аппаратов напряжением до 1000 В»; разрабатывать технологию изготовления деталей, сборочных единиц или изделия при работе над курсовым проектом по предмету «Технология и оборудование производства электрических аппаратов напряжением до 1000 В»; производить экономическое обоснование принятых конструктивных решений и технологических процессов при работе над курсовой работой по предмету «Экономика, организация и планирование производства».

При разработке ТП изготовления детали, исходя из объема производства, материала, идущего на изготовление ее, и требований, предъявляемых к детали, выбирается характер ТП (обработка на металлорежущих станках, литье под давлением, прессование, штамповка, комбинированный технологический процесс и т. п.). Далее описывается последовательность операций и выбирается необходимая технологическая оснастка, приводятся расчеты, обосновывающие применение выбранного оборудования. Если деталь изготавливается холодной штамповкой, то необходимо сделать наиболее экономичный раскрой материала с определением размеров перемычек (если они предусмотрены в раскрое) и ширины полосы или ленты, рассчитать норму расхода материала, коэффициент его использования, усилие прессования и выбрать пресс. Разрабатывая технологию изготовления пластмассовых деталей, следует рассчитать дозу материала, время выдержки, усилие прессования и выбрать соответствующий пресс. Кроме того, должны быть предусмотрены необходимые методы контроля, а также указаны нормы времени на все операции.

Недостатком же работы нагрузочного транзистора в крутой области является наличие дополнительного вывода для подключения ?з2, что усложняет технологию изготовления микросхемы.

и транзисторного усилителя, позволяет увеличить быстродействие, снизить потребляемую мощность и усовершенствовать технологию изготовления микросхемы.

Базовый элемент ТТЛ также выполняет логическую операцию И-НЕ. При низком уровне сигнала (логический нуль) хотя бы на одном из выходов многоэмиттерного транзистора VTl последний находится в состоянии насыщения, a VT2 закрыт. На выходе схемы существует высокий уровень напряжения (логическая единица). При высоком уровне сигнала на всех входах VTl работает в активном инверсном режиме, a VT2 находится в состоянии насыщения. Описанный здесь базовый элемент ТТЛ, несмотря на упрощенную технологию изготовления, не нашел широкого применения из-за низкой помехоустойчивости, малой нагрузочной способности и малого быстродействия при работе на емкостную нагрузку. Его целесообразно использовать лишь при разработке микросхем с открытым коллектором ( 5.17, б) для включения внешних элементов индикации, когда не требуется высокая помехоустойчивость и большая нагрузочная способность.

Для решения этой проблемы необходимо иметь технологические варианты производства коммутационных плат, содержащих несколько десятков уровней разводки с плотностью размещения проводников в одном уровне не менее 10 линий на 1 мм. Коммутационные платы должны содержать сотни переходных отверстий между уровнями, десятки контактных площадок для присоединения выводов СБИС на 1 см2 и допускать размещение проводников между ними. Возможность размещения одного или нескольких проводников между соседними контактными площадками и переходными отверстиями ( 2.2) позволяет повысить плотность монтажа, но одновременно усложняет технологию изготовления и требует автоматизации процесса конструирования коммутационной платы с многоуровневой разводкой. Конструктивные требования определяют оптимальную схему соединений для данной технологии монтажа. Максимальная длина соединений, приходящаяся на единицу площади поверхности многоуровневой коммутационной платы, равна числу сигнальных слоев, умноженному на число сигнальных проводников, которые можно расположить между двумя соседними отверстиями, и деленному на шаг выводов. Например, для двусторонней платы с шагом сетки 2,5 мм, двумя рядами проводников между отверстиями максимальная длина соединений равна 15,5 см на 1 см2 площади платы.

Рассмотрим подробнее технологию получения различных видов неподвижных соединений.

Таким образом, для уменьшения паразитной связи через подложку необходимо: совершенствовать технологию получения материала для полуизолирующих подложек с целью более точной компенсации примесей и уменьшения концентрации дефектов, приводящих к образованию отрицательных ионов в области 4 (см. 5.6); уменьшать амплитуду изменения напряжения на электродах элементов микросхемы, например, за счет снижения напряжения питания; использовать элементы, менее чувствительные к влиянию бокового затвора; выбирать достаточно большие расстояния между критическими электродами соседних элементов при проектировании топологии микросхемы.

Основным признаком, положенным в основу классификации процессов синтеза, является форма, в которой компоненты соединения находятся в используемых для синтеза исходных веществах. От того, находятся они в элементарной форме или в виде химических соединений, зависит не только характер химических реакций, протекающих в процессе синтеза, но и характер последующих процессов разделения. Форма исходных веществ определяет аппаратуру и режимы проведения процессов, т. е. технологию получения полупроводниковых соединений.

Третье условие общетиповой оценки технологичности — отказ от субтрактивной технологии всюду, где это возможно. Субтрактивной называют технологию получения проводящего рисунка путем избирательного удаления отдельных

Аддитивной называют технологию получения проводящего рисунка путем избирательного нанесения его на изоляционное (нефольгированное) основание. Полуаддитивной технологией называют различные варианты аддитивной технологии. Проводящий слой наносят и на поверхность отверстий, предназначенных для впаивания проволочных и штыревых выводов от ЭРЭ и соединителей, чего не может обеспечить субтрактивная технология. Металлизация отверстий создает условия для прочного механического и надежного электрического соединения [6].

После работ Муассана и Вильсона в 1892 г., разработавших технологию получения в шахтных электропечах карбида кальция, его производство начало быстро развиваться. В дальнейшем в шахтных ш> чах начали выплавлять и ферросплавы. Применение для этих целей трехфазных печей Хельфенштейна позволило значительно повысить производительность агрегатов и масштабы производства в целом. Сдерживающими факторами здесь являлись трудность механизации загрузки печей, большие потери в электродах и неумение конструировать рациональные короткие сети. Вследствие большой индуктивности то-коподводов в них терялась значительная часть подводимого напряжения и номиналь-

Стоимость высоконикелевых пермаллоев больше низконикелевых, в то же время они менее технологичны. Для улучшения свойств пермаллоев их легируют различными добавками. Легирование молибденом и хромом увеличивает удельное электрическое сопротивление и начальную проницаемость, позволяет упростить технологию получения, уменьшает чувствительность к механическим напряжениям и снижает индукцию насыщения. Медь благоприятно сказывается на температурной стабильности и стабильности магнитной проницаемости при изменении напряженности внешнего поля. Кремний и марганец увеличивают удельное сопротивление.

Коэффициент й„,м — характеризует качество продукции и технологию получения заготовок. Чем ближе коэффициент к единице, тем технологичнее конструкция изделия.

При всем многообразии размеров и форм пластин магнитопро-водов плоской шихтованной конструкции технологию получения их из рулонной стали можно свести к двум основным процессам: продольная резка исходных рулонов: на отдельные рулоны, по ширине равные изготавливаемым из них пластинам, и поперечная резка раскроенных рулонов на мерные по длине пластины. Технологию получения витых элементов из рулонной стали можно также свести к двум технологическим процессам: продольная резка (аналогично) и навивка из раскроенных рулонов витых элементов требуемой формы.

Что же надо сделать, чтобы открыть дорогу гелио-энергетике. Прежде всего разработать технологию получения дешевого сверхчистого кремния и некоторых других химических элементов, свойства которых позволяют их применять в фотоэлектрогенераторах.