Технологии выращивания

Большой вклад в совершенствование технологии выполнения монтажных работ вносят монтажники-новаторы. Благодаря их творческой инициативе внедряются передовые методы монтажа и вносятся ценные рационализаторские предложения, которые способствуют дальнейшему совершенствованию монтажного производства.

описание технологии выполнения отдельных видов монтажных работ;

Таким образом, можно, используя высокоэффективные режимы работы выходных каскадов, получить малые нелинейные искажения за счет глубокой отрицательной ОС. При этом для сохранения заданного коэффициента усиления необходимо добавить каскады предварительного усиления по напряжению, что при современной интегральной технологии выполнения усилительных схем не вызывает дополнительных трудностей.

зазор между статором и ротором, число зубцов статора и ротора (исходя из условий получения минимальных добавочных потерь), а также ширина и высота щели паза статора (из условий технологии выполнения обмоточно-изолированных работ). Таким образом, эти параметры могут быть исключены из разряда независимых переменных.

тивлением, требует новой технологии выполнения обмоток. В настоящее время трансформаторы с алюминиевой обмоткой изготовляются на мощность до 6300 кВ-А.

После аппроксимации и после выбора функции, по которой будет произведен синтез цепи, необходимо приступить к реализации цепи. Как указывалось, и эта задача не имеет однозначного решения, и выбор наилучшего варианта схемы в значительной степени зависит от знания технологии выполнения схем, от опыта инженера, осуществляющего синтез цепи.

Число возможных вариантов исполнения логических элементов, таким образом, весьма велико. Однако в настоящее время применяют в основном логические элементы в интегральном полупроводниковом исполнении. При интегральной технологии выполнения логических элементов приходится учитывать особенности процессов изготовления: трудность получения больших емкостей конденсаторов и сопротивлений резисторов (размеры этих элементов растут по мере увеличения их даминала), невозможность исполнения индуктивных катушек и импульсных трансформаторов, стремление к использованию однотипных транзисторов в элементе. По этим причинам наибольшее распространение получили схемы ТТЛ на биполярных и МДП-транзисторах.

По технологии выполнения ЗУ можно разделить на следующие виды:

Микропроцессоры являются устройствами универсального использования и могут быть запрограммированы самим пользователем для выполнения его конкретных целей, например для синхронизации, генерирования, формирования, распределения импульсов управления и т. д. Для них необходимы специальные внешние устройства для согласования с сетью, потенциальной развязки, усиления импульсов и т. д. Обычно в число таких периферийных устройств входят оптронные развязывающие устройства, аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи, фильтры и выходные исполнительные устройства. Высокая помехоустойчивость может быть достигнута с помощью специальной технологии выполнения схем и применения программ, способных исправлять ошибки.

технологии выполнения отдельных видов наиболее сложных или трудоемких работ;

технологии выполнения отдельных видов наиболее сложных или трудоемких работ;

Все эти свойства обусловливают применение кристаллов сапфира как наиболее перспективного в качестве материала для диэлектрических подложек микросхем. Наиболее существенным недостатком сапфира является высокая стоимость, определяемая сложностью технологии выращивания совершенных кристаллов больших размеров.

Основной задачей, решаемой при разработке технологии выращивания монокристаллов полупроводников, является обеспечение устойчивости монокристаллического DOCT3 которая нарушается в большинстве случаев в результате появления в растущем монокристалле таких" дефектов структуры, как границы зерен и двойники. При выращивании монокристалла в заранее определенных оптимальных

Синтетические алмазы образуются при спекании углерода под высоким давлением и при значительной температуре. В зависимости от технологии выращивания кристаллы алмазов имеют различное строение; следовательно, различные физико-механические свойства и по твердости приближаются к природным монокристаллам алмаза. Температуростойкость алмазов невелика — примерно 650 °С. но она компенсируется их чрезвычайно высокой твердостью, износостойкостью и теплопроводностью. В процессе резания при перемещении режущего инструмента относительно заготовки ему приходится преодолевать силу сопротивления обрабатываемых материалов пластической деформации, силу сопротивления пластически деформированных слоев металла разрушению в местах возникновения новых (обработанных) поверхностей и силы трения стружки по передней поверхности инструмента и обработанной поверхности о его задние поверхности. Результирующая этих сил называется силой резания Р. Для удобства расчетов силу резания Р рассматривают в декартовой координатной системе XYZ с центром, совпадающим с вершиной разреза / ( 2.23), причем ось Y совпадает с геометрической осью державки резца, ось X параллельна оси вращения обрабатываемой заготовки, а ось Z совпадает с вектором скорости резания v и проходит через вершину резца — точку /. При этом опорная плоскость державки резца параллельна плоскости XY, а вектор скорости подачи у., проходит через вершину резца — точку /.

IV.2. Использование индукционной плавки в холодных тиглях в технологии выращивания монокристаллов окислов

Следует заметить, что в технологии выращивания монокристаллов экран может оказаться полезным также для снижения температурных градиентов по длине кристалла или для его термообработки.

IV.2. Использование индукционной плавки в холодных тиглях в технологии выращивания монокристаллов окислов (В. М. Ганю-ченко, Ю. Б. Петров) .................. 164

Контроль концентрации носителей в технологии полупроводников занимает такое же место, как и технология красителей в текстильной промышленности. Наиболее важным условием достижения чистоты цвета тканей является тщательное отбеливание свежесотканного полотна. Аналогично, предшествующая легированию очистка полупроводников от электрически активных примесей является важнейшим этапом технологии для управления типом и концентрацией носителей заряда. Вот почему разработка технологии выращивания и очистки кристаллов германия методом горизонтальной зонной плавки в 1952 г. послужила основой для создания первого транзистора. Точно также планар-ная технология кремниевых приборов зародилась на основе выращиваемых методами Чохральского и зонной плавки ультрачистых и совершенных монокристаллов кремния.

Контроль концентрации носителей в технологии полупроводников занимает такое же место, как и технология красителей в текстильной промышленности. Наиболее важным условием достижения чистоты цвета' тканей является тщательное отбеливание свежесотканного полотна. Аналогично, предшествующая легированию очистка полупроводников от электрически активных примесей является важнейшим этапом технологии для управления типом и концентрацией носителей заряда. Вот почему разработка технологии выращивания и очистки кристаллов германия методом горизонтальной зонной плавки в 1952 г. послужила основой для создания первого транзистора. Точно также планар-ная технология кремниевых приборов зародилась на основе выращиваемых методами Чохральского и зонной плавки ультрачистых и совершенных монокристаллов кремния.

В литературе можно встретить формулировку закона, которому следует процесс становления равновесной огранки - габитуса кристалла. Обычно он называется законом Кюри-Вульфа. Этот закон основывается на предположении, что кристаллы, как и жидкости, образуют поверхности с минимальной поверхностной энергией. В природе этот закон не выполняется и в технологии выращивания монокристаллов его применить нельзя.

Полупроводниковые сверхбольшие интегральные схемы (СБИС) в основном изготавливаются на основе кремния (Si), но в последние годы внимание разработчиков все больше привлекают полупроводники группы AIUBV (химические соединения и твердые растворы элементов III и V групп периодической таблицы). В частности, широкое распространение получили сверхбыстродействующие БИС на основе арсенида галлия (GaAs). Все эти полупроводники имеют монокристаллическую структуру. Теория идеальных монокристаллов практически полностью изложена и экспериментально подтверждена в многочисленных монографиях по физике твердого теля, появившихся в последнее время. Очень высокого уровня достигли технологии выращивания монокристаллов и изготовления полупроводниковых приборов. Например, для кремния разработаны технология выращивания бездислокационных (бескластерных) монокристаллов большого диаметра, основные технологические операции (окисление, диффузия), исключающие введение дефектов в формируемые структуры. Существует технология изготовления ЙС с очень высокой степенью интеграции.