Технологии позволяет

Магнитодиэлектрики, как и ферриты, обладая высоким удельным электрическим сопротивлением, являются высокочастотными магнитными материалами. Они имеют некоторые преимущества перед ферритами, прежде всего более высокую стабильность свойств. Кроме того, особенности технологии производства магнитодиэлектриков соответствующей технологии пластмасс, позволяют получить изделия значительно более высоких классов точности и чистоты, чем при керамической технологии получения ферритов. По ряду электромагнитных параметров магнитодиэлектрики уступают ферритам.

нахождения состава и возможностей технологии получения заданного материала.

Настоящая книга состоит из четырех глав, в которых рассматриваются некоторые перспективные для производства изделий электронной техники полупроводниковые, магнитные, диэлектрические и лазерные материалы. В каждой главе описаны физические процессы, происходящие в конкретных материалах, свойства, основные методы получения и области применения. Особое внимание уделено зависимости свойств материалов от их состава, структуры и технологии получения.

Монокристаллы со структурой типа перовскита выращивают методом Чохральского, однако технология пока не доведена до уровня технологии получения кристаллов со структурой типа граната.

нужна паста со своим составом. Кроме того, при создании толстопленочных схем возможно коробление и растрескивание подложек большого размера. Поэтому толщина подложек размером до 60 X 48 мм составляет 0,8—1,5 мм, а более — от 2 до 4 мм. Однако и в этом случае процент выхода плат размером около 100 х 100 мм еще недостаточно высок, так как в отличие от технологии получения многослойной керамики, особенно МПП — ПМ, каждый слой после его изготовления (хотя бы промежуточного) отбрасывать невозможно без удаления в брак низлежащих годных слоев и подложки. При этом уменьшение процента выхода годных плат с увеличением числа слоев коммутации подчиняется степенному закону.

Недостатком полевых транзисторов до недавнего времени являлась сложность технологии получения каналов с малой площадью поперечного сечения и значительный разброс параметров.

Время жизни неравновесных носителей заряда определяется процессами излучательной и безызлучательной рекомбинации и как параметр полупроводникового материала характеризуется наибольшей чувствительностью к примесям и дефектам структуры, а также к особенностям технологии получения и термообработки полупроводникового материала. Для различных полупроводниковых материалов время жизни изменяется в широких пределах .(от 10~8 до 10~3 с) и зависит от температуры.

Необходимо иметь в виду, что электроизоляционные, механические, тепловые, влажностные и другие свойства диэлектриков заметно изменяются в зависимости от технологии получения и обработки материалов, наличия примесей, условий испытания и т.п. Поэтому численные значения параметров материалов во многих случаях следует рассматривать лишь как ориентировочные.

1) производят анализ технического задания с учетом особенностей и возможностей пленочной технологии: получения пленочных элементов необходимых номинальных значений с заданными точностью, пробивным напряжением, мощностью рассеяния и др.; при этом учитывают параметры и конструкции активных и других компонентов, надежность и экономические факторы; в случае необходимости производят уточненный электрический расчет;

ными являются параметры структурных элементов гибридных ИМС: подложек, пленочных элементов (резисторов, конденсаторов), проводников, контактных площадок, межслойной изоляции и защитного слоя. Это данные о качественных параметрах технологии получения пленок и пленочных сложных структур, о параметрах пленок различного назначения (резистивные, проводниковые, контактные, диэлектрические, защитные), о комбинации различных пленок, о количестве наносимых слоев в различной последовательности напыления материалов в зависимости от способа изготовления пассивной части схемы, точности изготовления пленочных элементов.

2) применение методов полупроводниковой и пленочной технологии, специфических для микроэлектроники, например эпитаксии (наращивание кристаллического вещества одного состава на подложке другого материала), химического осаждения твердых материалов из газовой среды, легирования термической диффузией, методов вакуумтермической технологии получения тонких пленок, ионно-плазменных методов;

Тип котла также оказывает ощутимое влияние на пусковые потери. Для блоков с прямоточными котлами потери тепла при пуске на прямоточном режиме значительно выше, чем для блоков с барабанными котлами [2-34], Внедрение пусков на сепараторном режиме по унифицированной технологии позволяет существенно сократить пусковые потери. Так, согласно [2-24] при пуске блока 300 МВт из холодного состояния разность в пусковых потерях для прямоточного и сепараторного режимов составляет не менее 45 т условного топлива (при оптимальных графиках пуска).

пленка толщиной до 2 мкм; в некоторых случаях применяются сильнолегированные полоски кремния п+- илир+-типа с металлизацией омических контактов золотом или алюминием. Гибкость планарно-эпитаксиальной технологии позволяет использовать различные методы и приемы для повышения качества каждого элемента и интегральной схемы в целом.

зитных элементов схемы и т. д. Однако интегральная электроника, где используют новейшие достижения технологии, позволяет существенно улучшить качество и надежность электронных усилителей путем обеспечения при их проектировании большого запаса параметров, так называемой функциональной избыточности. Такие усилители приобретают характер многоцелевых устройств, так как, изменяя коммутацию внешних выводов, а также способы подключения источника сигналов и нагрузки, можно получить усилители с различными характеристиками. Поскольку эти усилители не являются идеально линейными, на их основе могут быть построены различного рода автогенераторные устройства, преобразователи частоты, детекторы и другие нелинейные устройства. В связи с этим интегральные усилители часто называют аналоговыми схемами.

Применение тонкопленочной и толстопленочной технологии позволяет резко сократить габариты таких линий.

В реальных приборах одна из растяжек, так же как и внешний конец одной из спиральных противодействующих пружин, прикрепляется не к неподвижной части прибора, а к специальному винту, укрепленному на корпусе прибора и называемому корректором. Поворот корректора на некоторый угол в ту или иную сторону позволяет изменять начальное положение подвижной части прибора и тем самым устанавливать указатель выключенного прибора на нулевую отметку. Применение растяжек, изготавливаемых на основе современной технологии, позволяет исключить трение в опорах и повысить чувствительность измерительных механизмов.

Использование инжекционной логики и современной технологии позволяет создать микросхемы (БИС и СБИС) со степенью интеграции более 50 тыс. вентилей на кристалле, потребляющих мощность менее 100 мВт, с рабочими частотами 100 МГц и выше, питающими напряжениями, сниженными до 1—3 В. Для получения таких показателей используется рентгеновская и электронно-лучевая литография, новые технологические процессы легирования и изоляции элементов, материалы с более высокими характеристиками, новые типы полупроводниковых приборов (с барьером Шотки, полевым эффектом и др.).

экономически оправдан только при больших объемах производства. Примерами таких БИС могут служить микросхемы для электронных часов, карманных микрокалькуляторов и других изделий. Микропроцессоры представляют собой цифровые БИС, выполняющие законченный процесс обработки информации и предназначенные для построения широкого набора различного назначения. Сюда относятся специализированные и универсальные микроЭВМ, устройства автоматического управления и др. Использование последних достижений современной микропроцессорной технологии позволяет создавать на одном кристалле процессора также устройства оперативной и постоянной памяти. Такие БИС получили название однокристальных микроЭВМ. Матричные БИС содержат на кристалле прямоугольную матрицу, состоящую из нескольких сотен или тысяч логических элементов. Созданием определенного рисунка металлических соединений из этих элементов получаются специализированные БИС для конкретных цифровых устройств. Используя одну из таких матриц и изменяя рисунок соединений, можно реализовать большой набор цифровых БИС различного назначения. Отдельный класс цифровых БИС составляют БИС запоминающих устройств.

Тонкопленочный конденсатор представляет собой алюминиевую пленку, осаждаемую на слое двуокиси кремния (первая обкладка), и сильно легированный полупроводник, используемый в качестве второй обкладки. Такое выполнение микросхемы по совмещенной технологии позволяет получить размеры ИС значительно меньшими по сравнению с гибридными ИС. Совмещенные ИС выгодны, если необходимы высокие номиналы и высокая стабильность сопротивлений и емкостей.

Входной каскад выполнен так же, как и в предыдущем усилителе, по дифференциальной схеме. Существенное отличие— это дополнение его двумя транзисторами VI и V4, включенными по схеме с ОК. Коллекторы этих транзисторов подсоединены к общей шине, относительно которой к базам этих же транзисторов подается входной сигнал. Входной сигнал в таком усилителе может иметь только положительную полярность, но начинается он непосредственно с нулевой величины. Следует иметь в виду, что знаки (+) и (—), поставленные у входных зажимов, указывают в этом случае не на полярность входного сигнала, а па направление изменения выходного сигнала под воздействием входного, подаваемого на разные зажимы. Так, при увеличении сигнала положительной полярности на зажиме (+) растет сигнал на выходе усилителя, а при подаче его на зажим (—) выходной сигнал будет уменьшаться, т. е. транзисторы VI и V4 должны сохранять усилительные характеристики при нулевой разности потенциалов между базой и коллектором и весьма малым рабочим током транзисторов. Современный уровень технологии позволяет создать такие транзисторы; правда, в диапазоне входных сигналов от 0 до 0,1 мВ коэффициент усиления по току их изменяется в несколько раз. Из схемы видна еще одна особенность дифференциального каскада. Так как в отсутствии входного сигнала напряжение между базой и коллектором транзисторов VI, V4 равно нулю, падение напряжения между базой и эмиттером этого транзистора равно сумме падений напряжения между базой и коллектором транзисторов V2, V3 и коллектором и эмиттером транзисторов V5, V6.

Интегральная электроника, использующая новейшие достижения технологии, позволяет существенно улучшить качество и надежность электронных усилителей путем обеспечения при их проектировании большого запаса параметров, так называемой функциональной избыточности. Такие усилители приобретают характер многоцелевых устройств, так как, изменяя коммутацию внешних выводов, а также способы подключения источника сигналов и нагрузки, можно получить усилители с различными характеристиками.

Этим методом можно получить сопротивления и емкости с уменьшенными паразитными связями и меньшими допусками, что позволяет повысить быстродействие и улучшить рабочие характеристики полупроводниковых интегральных микросхем. Применение такой технологии позволяет получать большие абсолютные значения сопротивлений и емкостей. На 3.4 приведен поперечный разрез интегральной микросхемы, изготовленной по технологии совмещенных схем. Этот вид технологии целесообразно применять при рафаботклх линейных микромощных и сверхбыстродействующих логических полупроводниковых интегральных микросхем.