Технология микросхем

шаются магнитные потери. Однако эти благоприятные характеристики проявляются только в том случае, когда направление магнитных линий в листах совпадает с направлением их проката. Поэтому конструкция трансформаторов с сердечниками из холоднокатаной стали имеет существенные особенности. Сердечники изготовляют из лент этой стали, нарезанных вдоль проката. Ленты можно свивать в кольцо прямоугольного сечения ( 13.20,о и б), после чего производят отжиг без доступа воздуха с целью снять механические напряжения в материале. Такой отжиг существенно повышает магнитную проницаемость и тем самым способствует уменьшению тока холостого хода трансформатора. Обмогки навивают на специальных станках непосредственно на сердечник. Однако такая технология изготовления обмоток оказывается сложной, особенно в тех случаях, когда мощность трансформатора достигает нескольких сотен ватт. Поэтому чаще применяют разрезные ленточные сердечники ( 13.20,е и г). После навивки сердечник разрезают, что позволяет изготовлять обмотки отдельно и затем собирать трансформатор из готовых частей.

Энергетические показатели двигателей серии 4А (КПД и коэффициент мощности) находятся на уровне показателей двигателей, снимаемых с производства, или несколько выше. В двигателях указанной серии применены электротехническая сталь с меньшими удельными потерями и большей магнитной проницаемостью, новые нагревостойкие и высокопрочные изоляционные материалы, более совершенная технология изготовления, а также усовершенствованные системы вентиляции. Уменьшение высоты оси вращения и других установочных размеров позволяет заказчику без каких-либо затруднений заменять применяемые ранее двигатели двигателями серии 4А. Электродвигатели серии 4А имеют следующие исполнения.

Глава 9. ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

3. В чем заключается технология изготовления ТУК?

Глава 9. Технология изготовления печатных плат .... 224

и даже сотен тысяч. Претерпела изменения и развилась технология изготовления СБИС такой плотности. Кроме применявшейся для создания первых МП р-МОП технологии получили развитие другие технологии, обеспечивающие значительно большее быстродействие.

Достичь необходимых надежности, компактности, экономичности по питанию и стоимости аппаратуры помогла микроэлектроника, появление которой стало возможным после того, как в 1959 г. была предложена так называемая планарная технология изготовления полупроводниковых приборов. В основе ее лежат следующие основные принципы:

Функциональное назначение, конструкции, технология изготовления интегральных микросхем, как и принципы построения аппаратуры на микросхемах, непрерывно изменяются. Возможности интегральной микроэлектроники в настоящее время далеко не исчерпаны, поэтому в ближайшем будущем следует ожидать дальнейшего бурного ее развития и на этой основе дальнейшего прогресса в области конструирования РЭА. Внедрение микросхем не только изменяет элементную базу, но и в большинстве случаев требует радикального изменения принципов построения аппаратуры.

Конструктивное исполнение всех микросхем серии однотипно. Все они выполняются в однотипном корпусе, расположение одноименных внешних выводов и соответствующих им контактных площадок на подложке обычно совпадает. Совпадают также значения напряжений источников питания и т. д. Технология изготовления различных микросхем одной и той же серий едина. Наиболее распространенные сейчас планарно-эпитаксиальная технология, при которой все элементы микросхемы формируются в эпитаксиальномслое кремния на поверхности подложки, метод прямой диффузии или технологический - процесс формирования МДП-структур и т. д.

Из всех типов акустических волн наибольший практический интерес вызывают так называемые поверхностные акустические волны (ПАВ), основная доля энергии которых сосредоточена в относительно тонком поверхностном слое звукопровода — подложки. Этот интерес обусловлен, во-первых, возможностью конструирования и создания приборов на ПАВ с высокими метрологическими характеристиками и относительной отработанностью методов машинного анализа. Во-вторых, доступностью поверхностных акустических волн на всем пути их распространения, и таким образом возможностью управления характеристиками функционирования создаваемых приборов. В-третьих, следует учитывать, что технология изготовления устройств на ПАВ совместима со стандартной пленарной технологией интегральных схем. Объемные акустические колебания используются в интегральных пьезокварцевых фильтрах.

§ 3.4. Технология изготовления постоянных магнитов

6. Парфенов О. Д. Технология микросхем. — М.: Высшая школа, 1986.

6. Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование / Под ред. Л. А. Коледова. — М.: Высшая школа, 1984. — 232 с.

13. Е р м о л а е в Ю. П. и др. Конструкция и технология микросхем (ГИС и БГИС). — М.: Советское радио, 1980.

3. Б е р е з и н А. С., Мочалкина О. Р. Технология и конструирование интегральных микросхем.— М.: Радио и связь, 1983.

II. Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование/ Под ред. Л. А. К о л е д о в а. — М.: Высшая школа, 1984.

17. Парфенов О. Д. Технология микросхем.— М.: Высшая школа, 1986.— 269 с.

ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОСХЕМ

Олег Дмитриевич Парфенов ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОСХЕМ

П18 Технология микросхем. Учеб. пособие для специальностей «Электронные вычислительные машины» и «Конструирование и производство электронно-вычислительной аппаратуры» вузов. М., «Высш. школа», 1977.

Данное учебное пособие охватывает часть курса «Технология микросхем и элементов ЭВА» и посвящено основным процессам производства микросхем. Особое внимание в пособии уделено физико-химическим процессам производства, от которых зависят электрические параметры микросхем, их надежность и экономичность.

4. Иванов-Есипович Н. К- Технология микросхем. «Высшая школа», 1972.