Технологическими причинами

объединяемых общими электрическими, конструктивными и технологическими параметрами и использующих одинаковый способ представления информации и одинаковый тип межэлементных связей. Система элементов чаще всего избыточна по своему функциональному составу, что позволяет строить схемы, более экономные по числу использованных элементов. Системы элементов содержат элементы для выполнения логических операций, запоминающие элементы, реализующие функции узлов ЭВМ, а также элементы для усиления, восстановления и формирования сигналов стандартной формы.

Конденсаторная сварка отличается от обычной точечной сварки тем, что нагрев места сварки происходит за счет энергии разряда батареи конденсаторов большой емкости. Преимуществами конденсаторной сварки являются чрезвычайно малая длительность процесса, исчисляемая тысячными долями секунды; практически полное отсутствие нагрева вне сварной точки; простое управление технологическими параметрами.

Стадии адсорбции, поверхностных реакций и десорбций представляют собой химические процессы с участием подложки. Эпитаксиальные процессы, скорость которых лимитируется одной из этих стадий, ограничены кинетикой поверхностных процессов (протекающих в кинетической области), причем эти процессы могут быть ограничены кинетикой сорбции. В большинстве же случаев ограничивающим звеном эпитаксии являются поверхностные реакции. Следует помнить, что тип лимитирующей стадии полностью определяется технологическими параметрами процесса. Велика также вероятность того, что процесс будет протекать в области переходной от диффузионного ограничения к кинетическому.

Процесс диффузии в потоке газа-носителя позволяет легко управлять такими технологическими параметрами, как состав парогазовой смеси, вводимой в рабочую зону, скорость потока газа и др. Это, в свою очередь, обеспечивает нужное распределение примеси в диффузионном слое.

На стадии производства исходными данными являются допуски на параметры качества, корреляционные связи между технологическими параметрами и параметрами готовых изделий, требования по производственной надежности готовой продукции. Целевая направленность прогнозирования на этапе производства — управление технологическим процессом, отбраковка потенциально ненадежных изделий на отдельных технологических операциях с помощью различных методов неразрушающего контроля, оценка и контроль надежности готовой продукции,

Системой элементов ЦВМ называется функционально полный набор логических элементов, использующий одинаковый способ представления информации и одинаковый тип межэлементных связей и предназначенный для построения цифровых устройств. Система элементов чаще всего избыточна по своему функциональному составу, что позволяет строить схемы, более экономные по количеству использованных элементов. Системы элементов, содержащие элементы для выполнения логических операций и элементы ДЛ51 усиления, восстановления и формирования стандартной формы сигналов, объединяемые общими электрическими, конструктивными и технологическими параметрами, часто называют комплексами логических элементов.

газораспределительная и откачная системы, состоящие из насосов, фланцев, натекателей, клапанов, ловушек, средств измерения разрежения или скоростей газовых потоков и т. п. Вспомогательные устройства и технологическая оснастка, к которым относятся внутри-камерные экраны, подвижные заслонки, различные манипуляторы, загрузочные и разгрузочные устройства, система очистки газов, гидроприводы, пневмоприводы и т. п. Системы электропитания и блокировки; системы контроля и управления технологическими параметрами. В последнюю входят приборы для измерения скорости осаждения и толщины пленок, температуры, физических свойств пленок и т. п.

Анализ и расчет электронных схем на ЭВМ требует представления полупроводниковых диодов и других электронных приборов в виде математических моделей. Под математической моделью электронного прибора понимается любое математическое описание (аналитическое, графическое, табличное, алгоритмическое), отражающее с заданной точностью поведение реального прибора в условиях эксплуатации. Математическая модель электронного прибора учитывает происходящие в нем физические процессы, дает математическое описание зависимостей между токами и напряжениями в статическом (например, с помощью ВАХ) или динамическом режиме. Токи и напряжения являются внешними параметрами модели прибора. Внутренними параметрами модели могут являться электрические, электрофизические, конструктивно-технологические и другие параметры. Выбор типа параметров определяется назначением расчета. Математические модели приборов должны обладать заданной точностью соответствия реальному прибору, отражать взаимосвязь вторичных электрических параметров (токов, напряжений) с электрофизическими (время жизни, диффузионная длина, подвижность и др.) и конструктивно-технологическими параметрами, обладать свойствами непрерывности, т. е. единым аналитическим описанием и эквивалентной электрической схемой для всех

Из сказанного выше видно, что [требования к параметрам различных радиоэлементов могут находиться в широких диапазонах. Кроме того, узлы и блоки микроэлектронной аппаратуры на печатных платах характеризуются своими конструктивно-технологическими параметрами: расположением радиоэлементов на-печатной плате; видом электрического соединения выводов элементов с контактами печатных плат; вариантом формовки выводов радиоэлементов; вариантом установки радиоэлементов на печатные платы (с зазором или без зазора, с приклейкой или без приклейки и др.); формой, размерами и расположением контактных площадок и монтажных отверстий печатных плат. Оптимальные значения этих параметров обеспечиваются рациональным соотношением размеров выводов, контактных площадок печатных плат, соответствующими вариантами формовки выводов и установки элементов.

вредных веществ, а также при возникновении экстремальных ситуаций. При этом следует помнить, что варьирование технологическими параметрами, уменьшая концентрацию в довольно небольших пределах, не снижает размера выброса вредных веществ и даже может его несколько повысить. Поэтому первостепенное внимание должно уделяться способам, снижающим количество примесей, поступающих в атмосферу с дымовыми газами.

В отличие от дуговых сталеплавильных печей колебания нагрузки прокатных станов могут рассматриваться как строго цикличные. Значения средней, эффективной и пиковой активной и реактивной нагрузок определяются мощностью прокатных станов и их отдельных клетей. Периодичность (цикл) работы определяется технологическими параметрами, в основном размерами заготовки и размерами конечной продукции.

В случае применения токовой отсечки с реле мгновенного действия РТ-40 используют реле этого же типа с реле времени и для защиты двигателей от длительных перегрузок, вызванных технологическими причинами или затянувшимся пуском или самозапуском. Реле РТ-40 для, защиты от перегрузки включают на один из фазных токов.

В настоящее время изготовляются полупроводниковые ИС, в которых размеры транзисторов не превышают нескольких микрометров [71]. Основным ограничением на размеры элементов, налагаемым технологическими причинами, является разрешающая способность (минимальная ширина элементов) фотолитографии. Раз-решающяя способность определяется дифракцией цветовых волн и составляет 0,5 ... 1 мкм. Электроннолучевая литогр афия позволит

На условия коммутации машин кроме величины ?р влияют также и другие факторы: отклонение в параметрах машин, вызванные производственно-технологическими причинами, например несимметричное расположение полюсов по окружности станины и щеткодержателей на траверсе; неточность расчета, появляющаяся из-за определенных допущений.

перегрузках, обусловленных технологическими причинами или затянувшимся пуском или самозапуском (см. §3.6);

Общие причины погрешностей. При работе сельсинов в индикаторном и трансформаторном режимах погрешности вызываются электрический, магнитной и механической асимметрией датчика и приемника, обусловленной технологическими причинами, влиянием высших гармоник в кривой МДС ротора, изменением напряжения питающей сети, влиянием сопротивления линии связи и др. Кроме того, при работе сельсинов в трансформаторном режиме на ТОЧНОСТЬ ОТра-

На условия коммутации машин кроме величины Ev влияют также и другие факторы: отклонение в параметрах машин, вызванные производственно-технологическими причинами, например несимметричное расположение полюсов по окружности станины и щеткодержателей на траверсе; кеточность расчета, появляющаяся из-за определенных допущений.

Импульсные элементы находят ограниченное применение в логических устройствах ЦВМ в силу их недостатков, которые будут рассмотрены ниже. Импульсно-пот тенциальные элементы достаточно широко применяются в устройствах ЦВМ при построении схем с использованием дискретных радиокомпонентов, таких как транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы, трансформаторы и т. п. Потенциальные элементы также применяются при выполнении схем на дискретных радиокомпонентах, но наиболее широко (в силу ряда обстоятельств, определяемых в основном технологическими причинами) они используются в микроэлектронных системах логических элементов.

В системах автоматического управления для приводных механизмов часто требуются низкие частоты вращения и большие моменты. Получить низкую частоту вращения, имея частоту сети 50 или 400 Гц, можно путем увеличения числа полюсов двигателя. Однако увеличение числа полюсов ограничивается технологическими причинами, так как нельзя из-за наклепа сделать ширину зубцов меньше примерно 1,2 мм, а диаметр двигателя, как правило, ограничен. Применение механических редукторов усложняет и снижает точность электромеханической системы.

На практике распределение 'концентрации примеси по длине кристалла отличается от теоретической (см. 4.13). Оно обычно имеет характер, показанный на 4.23, где на основную кривую, обусловленную фундаментальными причинами, накладываются мелкие колебания концентрации, вызываемые технологическими причинами. Иногда локальные, захватывающие небольшие объемы кристалла неоднородности могут вызываться отдельными причинами, входящими в группу фундаментальных, например скачкообразным движением фронта кристаллизации.

Как видно из 4.23, неоднородность распределения примеси, вызываемая технологическими причинами, по своей абсолютной величине значительно уступает неоднородности, вызываемой фундаментальными причинами. Современный уровень конструирования, изготовления и эксплуатации оборудования для выращивания монокристаллов полупроводников позволяет свести такую неоднородность к минимуму. Поэтому основные усилия технологов направлены на борьбу с неоднородностью распределения

Известно, что точность преобразования информации, или погрешности машин, как паспортный параметр в значительной мере определяется технологическими причинами. Случайным характером технологических разбросов предопределяется такой же характер погрешностей, т. е. для данного класса ЭМММ необходимо иметь программные средства для моделирования и обработки случайных величин. В программном обеспечении САПР ЭМММ имеется пакет прикладных программ СОМИ (статистическая обработка медицинской информации) [51], в котором есть программы для регрессионного и кластер-