Шунтирующего сопротивления

величина которого практически постоянна. Резистор R2 подает отрицательное напряжение на анод диода Д3 через микроамперметр \иА и диод Д4, чтобы уменьшить до нуля начальный ток этого диода. Шкал» микроамперметра градуируется в герцах или килогерцах. Переход, с одного предела измерений на другой осуществляется изменением емкости конденсатора С и сопротивления шунтирующего резистора R,n, подключаемого к микроамперметру, т. е. изменением числителя и знаменателя в формуле (13.3). Погрешность измерителей частоты типа: 43-7 не превышает ±1,5% на частотах до 200 кгг{ и ±2% на частотах до 500 кгц. Входное сопротивление составляет не менее 500 ком.

4.21. Семейство механических характеристик при неизменном сопротивлении шунтирующего резистора и различных сопротивлениях последовательного резистора.

В предельных случаях при неизменном /?ш и переменных сопротивлениях резистора Rn получаются две характеристики, показанные на 4.21 утолщенными линиями. Если Rn = О, то напряжение, подводимое к якорю, не зависит от сопротивления шунтирующего резистора и остается неизменным при изменении тока якоря, поэтому значению Rn =; 0 соответствует естественная характеристика двигателя.

Если Rn = оо, то это означает, что двигатель не получает питания от сети и работает в режиме динамического торможения на внешний резистор Кш. Характеристика при этом проходит через начало координат. Крутизна ее зависит только от сопротивлений1 шунтирующего резистора. Из сказанного ясно, что все остальные характеристики для любых конечных значений Rn при неизменном сопротивлении резистора Rm образуют семейство характеристик, лежащих в промежутке между двумя указанными. При другом значении Rm — const и различных Rn получается второе подобное семейство характеристик, показанное на 4.21 штриховыми линиями. При этом все характеристики будут также пересекаться в одной точке А', лежащей на естественной характеристике и соответствующей меньшему значению Кш = #ш2.

Можно построить и другое семейство характеристик ( 4.22), соответствующих неизменному сопротивлению последовательного резистора при различных сопротивлениях шунтирующего резистора.

Это семейство характеристик будет иметь общую точку Blt где сопротивление шунтирующего резистора не будет оказывать влияния на ток якоря. Такое условие мо-жет быть осуществлено лишь при определенной отрицательной угловой скорости, когда

4.22. Семейство механических характеристик при неиз^ менном сопротивлении последовательного резистора и различных сопротивлениях шунтирующего резистора.

и двигатель работает в режиме динамического торможения. Характеристика при этом проходит через начало координат. Если Rm = 0, то это равносильно отключению шунтирующего резистора и, следовательно, работе дви-

ние шунтирующего резистора /?ш. Вследствие этого угловые скорости при малых значениях нагрузки лежат значительно ниже, чем для обычных реостатных характеристик, и жесткость характеристик увеличивается.

4.27. Схема шунтирования якоря двигателя постоянного тока последовательного возбуждения с включением обмотки возбуждения в цепь шунтирующего резистора (параллельное соединение якоря и обмотки возбуждения).

В крановых подъемных механизмах находит применение еще одна схема шунтирования якоря двигателя постоянного тока последовательного возбуждения, в которой обмотка возбуждения включена в цепь шунтирующего резистора ( 4.27). Не останавливаясь подробно на свой-

9,20 -т- 9.23 рассмотрены вопросы выбора параметров шунтирующего сопротивления и емкости для предотвращения искрового разряда. В задаче 9.24 дан один из методов устранения вибрации якоря реле; переменного тока с помощью-короткозамкнутого витка. В> последних задачах этого раздела приведены расчеты намагничивающих сил реле с маг-нитоуправляемыми контактами.

9.20. Определить величину шунтирующего сопротивления г ( 9.20), которое необходимо включить параллельно индуктивности цепи для предотвращения искрового разряда между контактами. Напряжение батареи U = = 60 В, активное сопротивление обмотки R = 500 Ом.

Одним из таких элементов может быть активное сопротивление Кл, шунтирующее индуктивную нагрузку, за счет чего начальное значение тока EJR^ при включении тиристора превышает /уд.т. Можно также шунтировать тиристор активным сопротивлением Rx. Тогда до включения тиристора через нагрузку протекает ток EJ (Rp.+R.H) , который после включения тиристора за счет влияния индуктивности нагрузки переходит из R% в тиристор. В схеме на 10.1 роль шунтирующего сопротивления RK может играть устройство контроля исправности цепи катущки отключения (в современных схемах управления выключателем — промежуточное реле

2) остаточное сопротивление (провод.шость) дугового канала за последним переходом тока через нуль демпфирует процесс восстановления напряжения и снижает скорость восстановления напряжения. Его действие может быть уподоблено влиянию шунтирующего сопротивления /?ш. Уменьшение этого сопротивления увеличивает показатель затухания а и снижает значение напряжений ыв по формуле (5.16).

Значение шунтирующего сопротивления R можно увеличивать и далее,

Рассмотрим погрешности измерительных коммутаторов без учета ЭДС, возникающих в элементах коммутатора, и без взаимного влияния каналов коммутатора. Упрощенная эквивалентная схема одного из каналов коммутатора приведена на 9.11. Здесь /?,• —внутреннее сопротивление; RH — сопротивление нагрузки коммутатора; A/?s — случайное изменение последовательного (переходного) сопротивления в одном канале коммутатора (включенного в данный момент); Д#ш — случайное изменение шунтирующего сопротивления" коммутатора в одном канале. При этом неизменяющиеся части последовательного и шун-

Для уменьшения коэффициента передачи тока эмиттера другого транзистора его эмиттерный переход шунтируют объемным сопротивлением прилегающей базо-ной области ( 5.4). Такое шунтирование осуществляют путем нанесения одного из основных электродов (например, катода) не только на эмиттерную область, но и частично на поверхность прилегающей базовой области. Шунтирование обеспечивает малые значения коэффициента передачи тока при малых напряжениях на тиристоре, так как почти весь ток при этом проходит по шунтирующему сопротивлению базы, минуя левый ( 5.4) эмиттерный переход в связи с его относительно большим сопротивлением при малых напряжениях. При больших напряжениях на тиристоре сопротивление левого эмиттерного перехода становится меньше шунтирующего сопротивления базы. Это значит, что теперь почти весь ток будет проходить через эмиттерный переход и будет вызван инжекцией неосновных носителей заряда в прилегающую базовую область.

Тиристоры, проводящие в обратном направлении, могут быть диодными и триодными. Общей особенностью их структуры является шунтирование всех эмиттерных переходов объемными сопротивлениями прилегающих базовых областей ( 5.6, а, б). Для уменьшения шунтирующего сопротивления высокоомной базы (n-базы на 5.6) ее поверхностный слой, прилегающий к эмиттерному переходу, дополнительно легируют соответствующей примесью.

Значение шунтирующего сопротивления R можно увеличивать и далее, однако при R > 0,5 1/ -^- переходный процесс в контуре становится колебательным.

Принцип использования шунтирующих декад заключается в том, что некоторая доля основного сопротивления шунтируется вторым сопротивлением, большим по величине, чем шунтируемая часть, и в свою очередь разбитым на ряд секций. Подбором сопротивлений можно добиться, чтобы падение напряжения на одной секции шунтирующего сопротивления было в 10 раз меньше, чем на одной секции основного сопротивления, создавая таким образом возможность регулировки следующего десятичного знака компенсирующего напряжения. Принцип шунтирующих декад имеет дга практических варианта ( 12-4 и 12-5).

По второму варианту шунтируется только одна секция основной декады (см. 12-5). Значение шунтирующего сопротивления