Сопротивления открытого

5. Определяют сопротивления отдельных ступеней реостата:

Сопротивления отдельных ступеней определяют следующим образом: R\ = UVII\; Rz—R\/X; R^=R2IK и т. д.

Решение. Запишем комплексные сопротивления отдельных участков:

Добавление примеси в чистый металл приводит к тому, что удельное сопротивление образующегося сплава (манганин, константан, нихром и др.) становится больше, чем удельные сопротивления отдельных компонентов. При добавлении примеси другого элемента в полупроводник его удельное сопротивление, как будет показано в § 1.2, резко уменьшается. Сильно изменяется удельное сопротивление полупроводников

Сопротивления отдельных элементов цепи на частоте первой гармоники имеют следующие значения: Хл = 1 ом, A^^l ом, Хл = — 2 ом, ХГ1 = 8 ом, R = 5 ом.

10.41. В цепи ( 10.41) t= 10+4/2 sin 100/+6]/2sin300/. Сопротивления отдельных элементов на частоте первой гармоники равны:

Прежде чем переходить к расчетам конкретных цепей, рассмотрим комплексные сопротивления отдельных элементов и их энергетические характеристики в синусоидальном режиме.

Характеристическим параметром электрически длинной линии является волновое сопротивление (Ом) Z]I = V/LJJ/CJI, где ?л — индуктивность линии, Гн; Сл — емкость линии, Ф. При распространении сигнала в электрически длинной линии, имеющей неоднородность волнового сопротивления отдельных участков, от этой неоднородности происходит отражение падающего сигнала (приложенного к началу линии) напряжения [/„ад или тока /пад. Отраженный сигнал складывается с падающим и искажает его.

/?г, /?з, ••• , Ял — сопротивления отдельных участков цепи. При этом ток / в электрической цепи сохраняет неизменным свое значение, все сопротивления обтекаются одним и тем же током. Напряжения (падения напряжения) на сопротивлениях при их последовательном соединении распределяются пропорционально сопротивлениям отдельных участков: U\/R\ = U2/Ri= Us/Rz — ...Un/Rn- При параллельном соединении сопротивлений все сопротивления находятся под одним и тем же напряжением U ( 1.2.3). Электрическую 'цепь, состоящую из параллельно соединенных сопротивлений, целесообразно заменить цепью с эквивалентным сопротивлением Л„ (см. 1.2.2), которое определяется из выражения

Решение. Эквивалентные сопротивления отдельных участков электрической цепи между соответствующими узлами: /?35 = = /?/3=30/3 = 10 Ом; R,Kt = (/?36 + /?б) = 10 + 5= 15 Ом; /?2з = _ R,Rn, _ 10-15 — 6Q...-P _ /?з(/?5 + /?2з) _ 15-14+6) _д Q /?4 + /?»«i 10+15 ' 2 Кз + Кь + Кы 15 + 4 + 6

Так как на потенциальной диаграмме сопротивления отдельных участков цепи откладываются в определенном масштабе по оси абсцисс, а по оси ординат — потенциалы, то каждой точке цепи соответствует точка на потенциальной диаграмме.

Решение. Полярность внешних напряжений (С/э<0 и UK>0) соответствует транзистору типа прп. На 1.10 представлены его входная и выходная ВАХ для включения с общей базой. Эквивалентная Г-образная схема для такого транзистора описывается при помощи следующих параметров: а = А/к/Л/э t/K.const—дифференциального коэффициента прямой передачи по току; гэ—дифференциального сопротивления открытого эмиттерного перехода; ГБ.— объемного сопротивления базы; гк = АС/к/А/к/э,со„„—дифференциального сопротивления коллекторного перехода.

В момент ti напряжение с обратного переключается на прямое. Так как сопротивление нагрузки обычно много больше сопротивления открытого диода, то можно считать, что в промежутке времени /г и <2 через нагрузку и диод течет постоянный ток, равный /пр тах=

ловия необходимо, чтобы величина R была значительно больше сопротивления открытого диода JR. Остальные диоды при этом будут закрыты, так как на их катодах высокий потенциал. Подача сигнала 1 на любой другой входили на несколько входов одновременно вызывает отпирание других диодов, выходной потенциал при этом остается приблизительно равным !/,,„.

добиться равенства нулю сопротивления открытого диода RK.

При наличии на входах схемы сигналов 0 диоды схемы открыты (к ним приложено прямое напряжение), благодаря чему на выходе будет иметь место также сигнал 0. При поступлении сигнала 1 на один из входов, например на вход х2, диод Д2 данного входа закрывается, однако сигнал на выходе не из-.менится за счет открытого диода Д1. В этом случае создается следующая электрическая цепь: источник сигналов, вход х\, диод Д1, резистор R, источник — Ua. На небольшом сопротивлении открытого диода Д1 происходит незначительное падение напряжения. В основном падение напряжения происходит на сопротивлении резистора R, которое значительно больше сопротивления открытого диода. В результате на выход у поступает сигнал 0. Реализация логической операции И происхо-

Применение в качестве нагрузочных резисторов нормально открытых МДП-транзисторов позволяет отказаться от высоко-омных диффузионных резисторов, занимающих на исходной подложке большие площади. Нормальная работа инвертора может быть обеспечена в случае, если сопротивление нагрузочного резистора примерно в 10—20 раз превышает сопротивление открытого ключевого транзистора (R^ Ю/?к). Так как типичное значение сопротивления открытого ключевого транзистора RK= = 3 кОм, то сопротивление нагрузочного транзистора /?„^ЗО.кОм. При использовании в качестве нагрузочного резистора диффузионного резистора с поверхностным сопротивлением Rs = = 200 Ом/П и шириной полоски b =10 мкм занимаемая площадь составила бы около 1500 мкм2, тогда как площадь под МДП-транзистор не превышает 700 мкм2.

Рассмотренного типа ячейка памяти используется для построения более сложных схем, например схемы динамического сдвигового регистра ( 4.23). ИМС этого типа содержит транзисторы только с определенным отношением сопротивления открытого канала. Конденсаторы специально не создаются, а используются паразитные емкости под затворами транзисторов. Схема имеет один постоянный источник питания Un и управляется двухтактной серией синхронизирующих импульсов Ф1 и Ф2, сдвинутых по фазе.

Для улучшения линейности ВАХ в диагональ моста последовательно с резистором R включают такой резистор Rn06, сопротивление которого намного больше сопротивления открытого дио-

растеканием тока в многоканальной структуре, при этом вблизи стока появляются области повышенной плотности тока стока (см. 4.26,6), следствием чего является повышение сопротивления открытого транзистора и увеличение плотности мощности потерь.

важно оценить возможности непосредственного управления от интегральных микросхем (ИС), или, другими словами, совместимость мощных МДП-транзисторов с цифровыми ИС. Потери мощности в ключе на МДП-транзисторе определяются прежде всего потерями в открытом состоянии транзистора Р=1'*сг(М • Значение выходного тока /с задается внешней нагрузкой, и для снижения мощности потерь Р необходимо обеспечить минимальное значение сопротивления открытого транзистора гаьпт- При увеличении напряжения затвор— исток растет заряд затвора и уменьшается сопротивление

Эффект Миллера исчезает, когда транзистор полностью открывается, т. е. сопротивление открытого транзистора достигает своего минимального значения, задаваемого напряжением затвор — исток (момент времени /3 на 4.31,6). Итак, процесс установления сопротивления открытого транзистора определяется зарядом входной емкости — это время задержки включения транзистора /3,вкл ( 4.31, б), которое оценивается по формуле