Сопротивления оказывается

где хэк — эквивалентное индуктивное сопротивление двух контуров, связанных взаимной индукцией; х{, х2 - индуктивные сопротивления, обусловленные индуктивностями L, и L2; хм — индуктивное сопротивление, обусловленное взаимной индукцией М.

где х0 — индуктивное сопротивление, обусловленное главным магнитным потоком; .хь х2 — индуктивные сопротивления, обусловленные потоками рассеяния обмоток статора и ротора.

Коэффициент /(ст я является также случайной величиной с математическим ожиданием М(/ССТ«) и среднеквадратическим отклонением а/(ст^=б(/(стк)/3. Систематическая и случайная составляющие отклонений сопротивления, обусловленные старением материала пленки, равны соответственно:

На 15.53, а изображена схема того же трансформатора, что и на 15.52, но на ней резистивные и индуктивные сопротивления, обусловленные потоками рассеяния, представлены отдельно выделенными /?,, Xsl, R2, Xs2. Запишем уравнение по второму закону Кирхгофа для обеих цепей.

где хэк — эквивалентное индуктивное сопротивление двух контуров, связанных взаимной индукцией; х,, х2 — индуктивные сопротивления, обусловленные индуктивностями Ll и L2; хм — индуктивное сопротивление, обусловленное взаимной индукцией М.

где XQ — индуктивное сопротивление, обусловленное главным магнитным потоком; хь х2 — индуктивные сопротивления, обусловленные потоками рассеяния обмоток статора и ротора.

Рабочий режим трансформатора. Рассмотрим процессы, протекающие в трансформаторе в рабочем режиме, когда учитываются магнитное поле рассеяния и активное сопротивление первичной и вторичной обмоток трансформатора. В нагруженном трансформаторе (см. 11.4) наряду с основным магнитным потоком Ф, индуцирующим э. д. с. EI в первичной и Е2 во вторичной обмотках, потоки рассеяния Фа1 и Ф0? индуцируют в первичной и вторичной обмотках э. д. с. рассеяния Ео1 = —jl^Xi, Еа2 ~ — 7^2-^2! гДе •X'l и %2 — индуктивные сопротивления, обусловленные потоками Фо1 и Фо2- С учетом падений напря-

В двигателях с аксиальным расположением постоянных магнитов и короткозамкнутой обмотки ротора индуктивные сопротивления обмотки якоря по осям dug равны Xd = Xs + xadM + xm', xq = — Xs + XaqM + Xm, где Xs — индуктивное сопротивление рассеяния обмотки статора; ха<1м, xaqM— индуктивные сопротивления, обусловленные потоком якоря в зоне магнитов; хт — индуктивное сопротивление, обусловленное потоком в зоне короткозамкнутого ротора. Вследствие малой магнитной проницаемости магнитов хт^>

тивные сопротивления, обусловленные потоками рассеяния, представлены отдельно выделенными: Rlt Xsl, #2, Xsz. Запишем уравнение по второму закону Кирхгофа для обеих цепей.

Следует отметить, что х\, х^', *з' не являются действительными индуктивными сопротивлениями соответствующих обмоток, а представляют собой эквивалентные индуктивные сопротивления, обусловленные индуктивностями обмоток и взаимными индуктивно-стями всех трех пар обмоток, и могут иметь отрицательные значения.

Метод расчета по общему потоку. [27]. Метод основан на составлении и расчете магнитной схемы замещения нагруженного •индуктора. Допускается, что все его витки охвачены одним общим потоком. Участок прохождения магнитного потока по детали и по зазору вдоль ее поверхности является полезным и рабочим, а участок внутри индуктора, но вне детали (при l-i-~> 1ъ> и снаружи индуктора — участком замыкания потока. Сопротивления, обусловленные наличием зазора (xs) и детали (г 2 и х2м), рассчитываются как для отрезка длиной /2 бесконечной системы (если /2 >> . /lf то условно считаем /2 = /х). Расчет прост и универсален. Ошибка расчета обычно не превышает 8% по хн и 10—15% по гн. .

Существенную роль при работе резистора играет распределенная емкость изолирующего р—«-перехода. Несмотря на то что эта емкость не превышает обычно 2...5 пФ, величина емкостного сопротивления оказывается соизмеримой с сопротивлением резистора (5 кОм на частотах порядка 10 МГц). Повысить эту частоту можно, пропорционально уменьшая размеры резистора, паразитная емкость которого при этом уменьшается пропорционально квадрату линейных размеров, а сопротивление остается неизменным. Особенно неблагоприятно сказывается влияние емкости изолирующего р — п-перехода на резисторы большого сопротивления. Решить эту проблему пытались созданием резисторов, заключенных между двумя диффузионными областями (пинч-резисторов). В этом случае используется глубинная, слаболегированная часть диффузионной области (чаще всего базовой), обладающая высоким объемным удельным сопротивлением [8]. Она отделена от поверхности подложки диффузионной областью с повышенной концентрацией носителей противоположного знака. Такой резистор имеет нелинейную вольт-амперную характеристику, так как изменение тока ведет к изменению падения напряжения на резисторе, которое складывается со смещающим напряжением, приложенным к переходу. Ширина обедненной области р — /г-перехода увеличивается, сечение резистора при этом уменьшается. Это аналогично рассмотренному ранее явлению «смыкания» канала в структурах полевых транзисторов.

Дифференциальное сопротивление гДИф, шунтирующее емкость р — n-перехода, определяется физическими процессами в переходе, т. е.хего вольт-амперной характеристикой. Практически величина дифференциального сопротивления определяется величиной токов утечки, возникающих вследствие загрязнения поверхности р — n-перехода, поэтому величина дифференциального сопротивления оказывается ниже расчетной, однако не меньше 1 МОм.

В том случае, когда момент сопротивления оказывается значительно меньшим момента двигателя при пуске и торможении,

Использование схем 5...8 для определения составляющих комплексного сопротивления требует выполнения дополнительных расчетных операций, поскольку каждая из составляющих комплексного сопротивления оказывается одновременно связанной с обеими составляющими выходного напряжения. Следует, однако, отметить, что в последнее время в измерителях параметров комплексного сопротивления начинают широко применяться средства микропроцессорной техники; поэтому необходимость осуществления тех или иных расчетных операций не является препятствием к использованию приведенных схем. Кроме того, включение микропроцессора в состав измерителя параметров комплексного сопротивления позволяет значительно расширить его функциональные возможности за счет передачи микропроцессору функций автоматического управления работой измерителя, коррекции погрешностей, сокращения числа образцовых мер, организации самоконтроля и получения отсчета люЗых требуемых параметров комплексного сопротивления.

Использование схем 5...8 для определения составляющих комплексного сопротивления требует выполнения дополнительных расчетных, операций, поскольку каждая из составляющих комплексного сопротивления оказывается одновременно связанной с обеими составляющими выходного напряжения. Следует, однако, отметить, что в последнее время в измерителях параметров комплексного сопротивления начинают широко применяться средства микропроцессорной техники; поэтому необходимость осуществления тех или иных расчетных операций не является препятствием к использованию приведенных схем. Кроме того, включение микропроцессора в состав измерителя параметров комплексного сопротивления позволяет значительно расширить его функциональные возможности за счет передачи микропроцессору функций автоматического управления работой измерителя, коррекции погрешностей, сокращения числа образцовых мер, организации самоконтроля и получения отсчета любых требуемых параметров комплексного сопротивления.

Если к HP подвести некоторое постоянное напряжение или через него пропустить некоторый постоянный ток такого значения, чтобы рабочая точка находилась на падающем участке ВАХ, и затем воздействовать на HP синусоидальным напряжением или током малой амплитуды, то сопротивление Z(/(o), оказываемое HP синусоидальной составляющей малой амплитуды, будет представлять собой комплексное число. Опыт показывает, что при достаточно большой со действительная часть этого сопротивления оказывается положительной, т. е. Re Z(/co)> 0. Объясняется это тем, что физические процессы в самом HP являются процессами инерционными, причем инерционность (сдвиг фаз) сильнее проявляется с ростом частоты.

Для диода с тонкой базой низкочастотное значение сопротивления оказывается тем же [ср. (3.49) и (3.37)] и сохраняется постоянным до тех пор, пока не нарушится условие малости аргументов гиперболи-

Очевидно, параметры r\N, \Ski\, а следовательно, и а зависят от числа болометров и их рабочего сопротивления. Оказывается возможным путем измерения \5ы\ при двух рабочих сопротивлениях болометров R1 и R2 (IS^I*1' и Sw)<2) и соответствующего расчета r\N по эквивалентной схеме, представляющей 'болометры как индуктивные стержни в прямоугольном волноводе, определить а.

ление — нечетной функцией со. Модуль входного сопротивления оказывается четной функцией со; аргумент, определяемый равенством

Если к НС подвести некоторое постоянное напряжение или через него пропустить некоторый постоянный ток такой величины, чтобы рабочая точка находилась на падающем участке в. а. х., и затем воздействовать на НС синусоидальным напряжением или током малой амплитуды, то сопротивление Z(/co), оказываемое НС синусоидальной составляющей малой амплитуды, будет представлять собой комплексное число. Опыт показывает, что при достаточно большой со действительная часть этого сопротивления оказывается положительной, т. е. Re Z (/со) ;> 0. Объясняется это тем, что физические процессы в самом НС являются процессами инерционными, причем инерционность все сильнее проявляется с ростом частоты.

в терморезисторе, мала и практически не влияет на.его температуру. На участке А В линейность характеристики нарушается. С ростом тока температура терморезистора повышается, а его сопротивление (вследствие увеличения числа электронов и дырок проводимости в материале полупроводника) уменьшается. При дальнейшем увеличении тока на участке ВС уменьшение сопротивления оказывается столь значительным, что рост тока ведет к уменьшению напряжения на терморезисторе. В конце участка ВС вольтам-перная характеристика все более приближается к горизонтальной линии параллельной оси абсцисс. Это и позволяет использовать некоторые типы терморезисторов для стабилизации напряжения .