Сопротивления фоторезистора

Если I = а = I м, получим так называемые сопротивления единичного квадрата

Из формул (3-16) и (3-20) имеем для активного сопротивления единичного квадрата двухслойной среды

Ранее указывалось (см. § 1-2), что при ярко выраженном поверхностном эффекте можно считать, что га — nD2r0/a и хм2 = ^Dzx0/a, где г о и х0 — сопротивления единичного квадрата, вычисленные по формулам для плоской волны. Повысить точность вычисления и расширить применение этих формул возможно, если учесть, что путь тока короче длины окружности, путем введения так называемого расчетного диаметра D'2. Если в качестве расчетного диаметра при нагреве внешней поверхности цилиндра взять средний диаметр активного слоя

где /и — длина нагреваемой полосы; roz и л;02— активное и внутреннее реактивное сопротивления единичного квадрата (см. § 1-2), вычисляемые в зависимости от стадии нагрева.

В соответствии с конкретными условиями выбирается фильтр того или иного типа. После этого расчет фильтра заключается в определении масштабного коэффициента &, на который надо умножить сопротивления единичного фильтра, чтобы получить сопротивления искомого фильтра. При расчете может быть задана одна из следующих величин:

После выбора типа фильтра его расчет, как и для фильтров напряжения, сводится к определению масштабного коэффициента k. В данном случае удобнее определять коэффициент k, на который следует разделить (а не умножить) все сопротивления единичного фильтра. Тогда, учитывая, что потребление, активная мощность и мощность нагрузки прямо пропорциональны квадрату тока на входе и обратно пропорциональны принятому значению масштабного коэффициента k, получаем выражения:

Если / = а = 1 м, то получим так называемые сопротивления единичного квадрата:

Из формул (4-16) и (4-20) имеем для активного сопротивления единичного квадрата двухслойной среды:

где /и —длина полосы; г0 и х0 — активное и внутреннее реактивное сопротивления единичного квадрата, вычисляемые в зависимости от режима нагрева.

где г0 и х0 — соответствующие сопротивления единичного квадрата.

Подставляя соответствующее выражение для активного сопротивления единичного квадрата (/•„) и указанные выше средние физические свойства для каждой зоны, получим:

где г0 и х0 — соответствующие сопротивления единичного квадрата; D\ = D2+1 — расчетный диаметр нагреваемой полости; —глубина активного слоя (1.26), причем для немагнитного металла равняется глубине проникновения тока А2.

1. Определить диапазон изменения сопротивления фоторезистора резисторного оптрона.

2. При измерении сопротивления фоторезистора ток через светодиод оптрона регулируют ручкой «Нач. ток» при отсутствии переменного сигнала на входе усилителя.

— кратность изменения сопротивления k% — отношение тем-нового сопротивления фоторезистора к сопротивлению при освещенности 200 лк от источника с цветовой температурой 2850 К;

Оптроны могут быть использованы для усиления импульсных световых сигналов, если в них осуществляется внутренняя положительная связь по световому потоку ( 27, б). При воздействии светового сигнала на фоторезистор его сопротивление уменьшается и появляется ток в цепи светодиода (отбираемый от источника питания Еп). Светодиод начинает излучать свет, часть которого уходит через выводное окно наружу, другая часть воздействует на фоторезистор, уменьшая его сопротивление и тем самым увеличивая ток в цепи светодиода и. его свечение. Это приводит к еще большему уменьшению сопротивления фоторезистора и еще большему свечению светодиода. Наконец, сопротивление фоторезистора может стать минимальным, при этом свечение светодиода будет максимальным. В конечном итоге все это зависит от того, какая часть световой энергии, излучаемой светодиодом, возвращается на фоторезистор (т. е. как велико обратное воздействие или, как это будет показано дальше, как глубока положительная обратная связь).

Фотоколориметрический метод основан на определении концентрации по интенсивности окраски анализируемого вещества или индикатора, измеряемой с помощью фотоэлементов или фоторезисторов. Метод широко применяется для измерения жидких и газообразных веществ в окрашенных средах. Например, фотоколометрический анализатор содержания кислорода в воде основан на измерении оптической плотности анализируемой воды, изменяющейся за счет окрашенных соединений, которые образуются в результате взаимодействия растворенного в воде кислорода вводимым в пробу реагентом. Преобразование измеряемой величины (кислородосодержания) в изменение электрического сопротивления фоторезистора в фотоколориметрическом анализаторе осуществляется с помощью оптического блока.

Фотоколориметрический метод основан на определении концентрации по интенсивности окраски анализируемого вещества или индикатора, измеряемой с помощью фотоэлементов или фоторезисторов. Метод широко применяется для измерения жидких и газообразных веществ в окрашенных средах. Например, фотоколометрический анализатор содержания кислорода в воде основан на измерении оптической плотности анализируемой воды, изменяющейся за счет окрашенных соединений, которые образуются в результате взаимодействия растворенного в воде кислорода вводимым в пробу реагентом. Преобразование измеряемой величины (кислородосодержания) в изменение электрического сопротивления фоторезистора в фотоколориметрическом анализаторе осуществляется с помощью оптического блока.

кой. Фоторезисторы делают с рабочими площадками прямоугольной формы, в виде меандра или в виде кольца. Площадь рабочих площадок различных фоторезисторов составляет обычно от десятых долей до десятков квадратных миллиметров. Исходя из площади рабочей площадки можно правильно выбрать размер светового пучка, оценить световой поток, при котором должен работать фоторезистор, и т. д. При эксплуатации фоторезистора рекомендуется его рабочую площадку засвечивать полностью, так как при этом эффект изменения сопротивления фоторезистора максимален.

потока фотонов, падающих на фотоприемный элемент оптопары. При изменении облучения фотоприемного элемента происходит либо изменение сопротивления фоторезистора, либо изменение обратного тока фотодиода, либо появление фото-ЭДС при работе фотодиода в режиме фотоэлемента, либо усиление фототока в фототранзисторе, либо переключение из закрытого состояния в открытое фототиристора или однопереходного фототранзистора. Следует отметить универсальность однопереходного фототранзистора в качестве фотоприемного элемента оптопар. Он может быть использован на выходе оптопары как фоторезистор, фотодиод, фотоэлемент и, конечно, как переключающийся прибор — одно-переходный фототранзистор.

Кратность изменения сопротивления KR — отношение темно-вого сопротивления фоторезистора к сопротивлению при определенном уровне освещенности (световому сопротивлению).

Кратность изменения сопротивления — отношение темпового сопротивления фоторезистора к его сопротивлению при освещенности 200 лк.