Сопротивления эмиттерного

преобразования схем (см. § 1.9), метод узловых потенциалов (см. § 1.10), метод контурных токов (см. § 1.11), метод эквивалентного источника (см. § 1.14) и др. При этом математические формулировки различных методов расчета цепей постоянного тока остаются справедливыми и для расчета цепей синусоидального тока. Нужно только все ЭДС, напряжения и токи заменить комплексными значениями соответствующих синусоидальных величин, а сопротивления элементов -комплексными сопротивлениями.

Из (2.71) следует, что сопротивления элементов, соединенных параллельно, выражаются следующим образом через сопротивления элементов, соединенных последовательно:

Выразив из (2.72) сопротивления элементов, соединенных последовательно, получим условия обратного эквивалентного преобразования.

расчетной схеме. При определении храсч все сопротивления элементов цепи к. з. приводят к базисным условиям. Базисную мощность принимают равной сумме номинальных мощностей генераторов, т. е. 5б = 5н2.

Особенности расчета токов КЗ в системе с. н. электростанций напряжением до 1 кВ состоят в необходимости учета активного сопротивления элементов цепи КЗ, влияния дуги в месте замыкания и токов подпитки от электродвигателей напряжением 0,4(0,66) кВ механизмов с. н. Основные положения метода расчета токов КЗ изложены в [20, 50]. Учитываются индуктивные и активные сопротивления питающей электрической сети, трансформаторов, реакторов, кабелей, шинопроводов, трансформаторов тока, катушек автоматических выключателей и электродвигателей. Расчет ведется в комплексных числах и в именованных величинах (кВ, кА, мОм, кВ-А, кВт). Ток КЗ в системе с. н. состоит из двух составляющих: тока КЗ от системы и тока КЗ от электродвигателей механизмов с. н. 148

Определяются сопротивления элементов цепи питания по схеме замещения, которая для случая с предвключенной нагрузкой приведена на 4.12. Сопротивление системы в месте подключения ПРТСН

При выполнении расчета восстанавливающегося напряжения на контактах выключателя принимаются следующие допущения: не учитываются активные сопротивления элементов расчетной схемы и влияние короны воздушных ЛЭП; изменение отключаемого выключателем тока вблизи его нулевого значения представляется линейной зависимостью 1кк^/21п0(ос1; определение восстанавливающегося напряжения выполняется при отключении выключателем тока трехфазного КЗ на землю; воздушные ЛЭП, подключенные к системе сборных шин РУ, представляются активными сопротивлениями, равными эквивалентным волновым сопротивлениям линий (450 Ом для однопроводной линии, 370 Ом для линии с расщеплением фазы на два провода, 320 Ом для линии с расщеплением фазы на три провода); короткие воздушные линии (1—3 км), имеющие на конце тупиковые подстанции, учитываются емкостью 1 • 10 ~8 Ф/км; емкость

Собственные сопротивления элементов ЗУ вычисляются с использованием эквивалентного удельного сопротивления земли, учитывающего неоднородность электрической структуры земли.

Вычисляем сопротивления элементов, образующих четырехполюсник: Z\-2 = /coL = /201 Ом; Z3= 1/(/шС) =—/133 Ом. В соответствии с (4.36) Z-матрица четырехполюсника

Схемы на 2.6 и 2.9, а отличаются только тем, что в первой имеется источник э.д.с. ЕЗ, которого во второй схеме нет. Если предположить, что в обеих схемах сопротивления элементов и э.д.с. EI одинаковы, распределение токов по ветвям различно, так как в каждой ветви к току от источника Е\ добавляется ток от источник ЕЗ(принцип наложения токов).

преобразования схем (см. § 1.9), метод узловых потенциалов (см. § 1.10), метод контурных токов (см. § 1.11), метод эквивалентного источника (см. § 1.14) и др. При этом математические формулировки различных методов расчета цепей постоянного тока остаются справедливыми и для расчета цепей синусоидального тока. Нужно только все ЭДС, напряжения и токи заменить комплексными значениями соответствующих синусоидальных величин, а сопротивления элементов — комплексными сопротивлениями.

Поскольку значения АЦ и R3 имеют одинаковый порядок, а А21^>1, коэффициент Кц мало отличается от единицы. Действительно, в усилительных каскадах с общим коллектором Кц= =0,9-7-0,99. Из схемы этого каскада видно, что выходное напряжение практически совпадает по фазе с входным. Поскольку выходное напряжение усилительных каскадов с общим коллектором мало отличается от входного численно и по фазе, их часто называют эмит-терными повторителями. Выражение для входного сопротивления эмиттерного повторителя можно получить, используя формулу (5.20):

5.6. Коэффициент усиления по напряжению, входное и выходное сопротивления эмиттерного повторителя как активного четырехполюсника выразим через его Z-параметры [1, § 5.2]:

Rt — тепловое сопротивление р — п-перехода RH — постоянная Холла г б — объемное сопротивление базы гдиф — дифференциальное сопротивление или сопротивление переменному току гдифэ> гдифк — дифференциальные сопротивления эмиттерного

ние г* - г ./(1+J3) и влияет на работу транзистора с области высоких частот. Влияние емкости эмиттерного перехода обычно не учитывается из-за малого сопротивления эмиттерного перехода г э. Источник тока /ЗА/ б выражает усилительные свойства транзистора по току.

Однако такая схема обладает усилением тока [см. формулу (2.12)] и мощности. Из сравнения схем 4.14 и 4.13, а нетрудно сделать вывод, что эмиттерный повторитель можно рассматривать как усилительный каскад ОЭ, у которого RK = 0, а резистор /?э не зашунтирован конденсатором Сэ. В этом случае все напряжение выходного сигнала, выделяемое на сопротивлении в цепи эмиттера, последовательно вводится во входную цепь усилителя. Но поскольку UBX и t/вых, как отмечалось, синфазны, то последнее вычитается из напряжения входного сигнала 1/вх, снижая его. Поэтому в схеме существует 100%-ная последовательная отрицательная обратная связь по напряжению, увеличивающая входное и уменьшающая выходное сопротивления эмиттерного повторителя.

переход, в результате чего на вольт-амперной характеристике появляется область отрицательного сопротивления (участок АВ на 62). На этом участке наблюдается рост эмиттерного тока /э и уменьшение напряжения U э. При дальнейшем увеличении эмиттерного тока /э зависимость сопротивления эмиттерного р—/г-перехода от тока /э уменьшается и при некотором значении /выкл оно не зависит от тока (область насыщения). Дальнейшее увеличение эмиттерного тока /э (участок ВС) связано с повышением внешнего эмиттерного напряжения t/э . При уменьшении напряжения t/BiB2 вольт-амперная характеристика смещается влево (кривая 2) и при отсутствии его обращается в характеристику открытого перехода (кривая 3).

транзистора, такие, например, как объемное сопротивление базы г6, сопротивления эмиттерного и коллекторного переходов (гэ и гк) и т. д. Для измерения таких параметров транзистор пришлось бы разрушить, поэтому для измерения пользуются косвенными методами, рассматривая транзистор как линейный четырехполюсник.

Дифференциальные каскады на униполярных транзисторах обладают достаточно высоким входным сопротивлением (108 Ом и более). В каскадах на биполярных транзисторах для увеличения входного сопротивления применяют транзисторы со сверхвысоким (J (составляющим 1000 — 5000), работающие в режиме микротоков. Увеличение (3 приводит к повышению глубины обратной связи, а уменьшение тока — к росту сопротивления эмиттерного перехода гэ = фт/(/э + ^эт)-

В ИОУ повышение входного сопротивления достигается двумя способами. Первый из них связан с применением биполярных транзисторов со сверхвысоким коэффициентом передачи тока базы в микроамперном диапазоне токов. Включив такие транзисторы во входной каскад усилителя и установив малые токи эмиттера, можно обеспечить высокое входное сопротивление за счет сверхвысокого р и большого сопротивления эмиттерного перехода гэ. Второй способ заключается в использовании полевых транзисторов во входном каскаде ИОУ.

Ждущий мультивибратор с уменьшенным временем восстановления. В схеме 6.61 время восстановления соответствовало длительности фронта импульса на коллекторе транзистора Т2. Поэтому сокращение времени восстановления помимо повышения допустимой частоты запуска мультивибратора приводит и к сокращению длительности среза импульса. Кроме того, сокращение времени восстановления позволяет уменьшить изменение длительности выходного импульса при работе в режиме малой скважности. Разработан ряд мер по сокращению времени восстановления ждущих мультивибраторов. Одной из таких мер является использование эмиттерного повторителя в цепи восстановления ( 6.70). При формировании выходного импульса конденсатор Cj разряжается через участок эмиттер — коллектор насыщенного транзистора TI, диод Д и резистор /?д2 на источник — Е. При этом диод Д смещен в прямом направлении и его прямое сопротивление очень мало. Формирование импульса происходит практически так же, как и в схеме 6.66. После окончания формирования импульса и лавинного переключения транзисторов начинается процесс восстановления напряжения. Конденсатор С1 заряжается через выходное сопротивление эмиттерного повторителя на транзисторе Т3 и эмиттерный переход насыщенного транзистора Т2 ( 6.71). Учитывая, что транзистор TI заперт, из элементов, находящихся в базовой цепи Т3, можно учитывать только резистор /?щ. Он связывает базу Т3 с источником питания — ?, т. е. базовая цепь транзистора Т3 питается от источника — Е через резистор ^к). Используя гибридную Г-образную эквивалентную схему транзистора (см. § 3.3), нетрудно получить соотношение для выходного сопротивления эмиттерного повторителя: гвых = Аэ + (гб ~Ь Rr)!B, где /?г — выходное сопротивление источника сигналов, которые поступают на базу транзистора. В данном случае функцию RT выполняет /?К1, т. е. гвш=га + (r$ + RKi)/B3. Обычно сопротивление /?К1 превышает значения га и rg. С учетом допущений ra < RKi, rg < RKl можно счи-

С/С0~> 0, напряжение Ump на конденсаторе С0 можно считать постоянным. Считая /о = E/R = const, цепь зарядки конденсатора С можно привести к эквивалентной схеме, показанной на 8.5. Здесь сопротивление Ra зависит от: а) сопротивления Гкэхаап запертого транзистора Гь которое определяется конечным углом наклона его выходной характеристики: /"Kaiaao ~ 1/Л22Э; б) входного сопротивления эмиттерного повторителя на транзисторе 7V гв^г — B2Ra- Если к выходу генератора подсоединена также внешняя нагрузка RBH, то