Соответствующим характеристикам

Заменив в схеме замещения трансформатора сопротивление нагрузки г'„ на г'э = r'2(l — s)/s, получим схему замещения асинхронного двигателя ( 10.17). Все остальные элементы схемы замещения аналогичны соответствующим элементам схемы замещения трансформатора: гь Xj - активное сопротивление и индуктивное сопротивление рассеяния фазы обмотки статора; г'2, х'2 — приведенные к обмотке статора активное сопротивление и индуктивное сопротивление рассеяния фазы обмотки ротора.

Принцип построения микромодуля показан на 1.37. На диэлектрическую подложку / методом напыления нанесен резистор 2, присоединенный к контактным площадкам 3. Конденсатор образован последовательным наложением обкладок 6 и 7 и диэлектрика 8. Миниатюрный диод 4 присоединен контактами 5 к соответствующим элементам схемы. Элементы закрыты защитным слоем 9. Площадь подложки составляет около 1 см2.

Задача расчета магнитных полей [7] при соответствующих граничных условиях обычно сводится к решению уравнений Пуассона или Лапласа. К аналитическим методам решения относятся, в частности, метод зеркальных отображений и метод разделения переменных. Для облегчения решения двухмерного уравнения Лапласа часто используют метод конформных преобразований. Когда действительное поле из-за сложности его конфигурации, вызванной своеобразием его границ, не поддается непосредственному аналитическому расчету, его заменяют другим полем. Бесконечно малые элементы этого нового поля должны быть подобны соответствующим элементам реального поля, но очертания его границ— более просты по форме и для них известны расчетные уравнения. При таком преобразовании необходимо подыскать известную функциональную зависимость, которая правильно отражала бы замену поля.

Заменив в схеме замещения трансформатора сопротивление нагрузки г„ на г'э = r'2 (I — s)/s, получим схему замещения асинхронного двигателя ( 10.17). Все остальные элементы схемы замещения аналогичны соответствующим элементам схемы замещения трансформатора: гь Xi — активное сопротивление и индуктивное сопротивление рассеяния фазы обмотки статора; г2, х'2 — приведенные к обмотке статора активное сопротивление и индуктивное сопротивление рассеяния фазы обмот-ки ротора.

Схемы этих элементов с емкостной нз1рузкой строятся аналогично соответствующим элементам, питающимся от источника постоянного тока.

гателя ( 10.17). Все остальные элементы схемы замещения аналогичны соответствующим элементам схемы замещения трансформатора: ггхг — активное и индуктивное сопротивления фазы обмотки статора; t"2, x'z — приведенные к обмотке статора активное и !,_ индуктивное сопротивле-ния фазы обмотки ротора. Приведенные значения определяются так же, как ~г//0 и для трансформатора:

Оставляем первую строку без изменения, а вторую и третью преобразовываем. Умножаем все элементы первой строки на — 75,6 и результаты прибавляем к соответствующим элементам второй строки. Далее умножаем все элементы первой строки на — 8975,6 и результаты прибавляем к соответствующим элементам третьей строки. Множители подбираются так, чтобы все элементы первого столбца,

прибавляем к соответствующим элементам третьей строки. Получим: ПО 756 89756 — 3370\

Оставляем первую строку без изменения, а вторую и третью преобразовываем. Умножаем все элементы второй строки на -75,6 и результаты прибавляем к соответствующим элементам второй строки. Далее умножаем все элементы первой строки на —8975,6 и результаты прибавляем к соответствующим элементам третьей строки. Множители подбираются так, чтобы все элементы первого столбца, кроме первого элемента, были равны нулю:

прибавляем к соответствующим элементам третьей строки. Получаем

Алгоритм метода Гаусса без обратного хода *. Решение системы п линейных алгебраических уравнений по этому алгоритму осуществляется за один этап, в результате которого матрица коэффициентов А за п однотипных шагов приводится к единичной, т. е. система уравнений разрешается относительно искомых неизвестных, которые равны соответствующим элементам полученного в результате преобразований столбца в правой части системы.

Вольт-амперные и спектральные характеристики фотоэлектронных умножителей аналогичны соответствующим характеристикам вакуумных фотоэлементов. В сравнении с вакуумными фотоэлементами частотная характеристика фотоэлектронного умножителя несколько хуже. Это связано с тем, что на частотах выше 1000 МГц начинает сказываться время пролета электронов от катода к аноду.

Если параметры схемы выбраны так, что пульсация тока не превосходит 5... 10%, то работа двигателя обычно удовлетворительна. Скоростные и механические характеристики двигателя 1, 2 к 3 ( 7.32), полученные при различных коэффициентах регулирования а в таком режиме работы аналогичны соответствующим характеристикам двигателя при изменении питающего напряжения U.

Если параметры схемы выбраны так, что пульсация тока не превосходит 5—10%, то работа двигателя практически не отличается от работы двигателя при постоянном напряжении. Скоростные и механические характеристики двигателя /, 2 и 3 ( 11.64, в), полученные при различных напряжениях, подаваемых на обмотку якоря, при таком режиме работы аналогичны соответствующим характеристикам двигателя при изменении питающего напряжения U,

Вольт-амперные характеристики светодиода аналогичны соответствующим характеристикам выпрямительного диода.

и регулировочные характеристики близки к соответствующим характеристикам генераторов обычного типа (см. XII.8 и XII.9). Коэффициент полезного действия значительно меньше, чем у обыкновенных генераторов: при cos
Внешние и регулировочные характеристики генератора при активной и активно-индуктивной нагрузках приведены на 8.4. В принципе они подобны соответствующим характеристикам для генератора постоянного тока и синхронного генератора.

Этот тип характеристик получают расчетным аналитическим или графическим путем по соответствующим характеристикам для мгновенных значений или снимают экспериментально.

Этот тип характеристик получают расчетным (аналитическим) или графическим путем по соответствующим характеристикам для мгновенных значений или снимают экспериментально.

Описанные выше приемы аппроксимации применимы и к соответствующим характеристикам реактивных нелинейных элементов.

Описанные выше приемы аппроксимации применимы и к соответствующим характеристикам реактивных нелинейных элементов.

На 3.86 изображен датчик с четырьмя полупроводниковыми тензорезисторами на номинальную силу порядка 1 Н (100 гс). Измерительные характеристики этого датчика почти не уступают соответствующим характеристикам «настоящего» тензорезисторного датчика.