Соответствующий транзистор

вход компаратора. При равенстве напряжений t/BX и ?/ЦАП компаратор выдает сигнал, останавливающий работу генератора импульсов. При этом на выходе счетчика Сч фиксируется двоичный код, соответствующий напряжению С/в*.

Помимо рассмотренных характеристик работа фототиристоров определяется рядом параметров, основными из которых являются: напряжение включения ?/вкл; ток, включения /вкл, соответствующий напряжению (7ВКЛ; напряжение выключения ?/выкл и ток выключения /Еыкл, при которых фототиристор переходит из открытого состояния в закрытое; темповой ток /т; пусковой поток Фпуск; минимальный управляющий (пороговый) световой поток; интегральная чувствительность S,; время выключения твыкл; номинальный ток открытого фототиристора /ном; максимально допустимое обратное 'анодное напряжение ?/обр тах.

На оси абсцисс надо отметить отрезок 0—5, соответствующий напряжению V', из точки 5 провести параллельно оси ординат прямую 5—4 до пересечения с общей вольт-амперной характеристикой в точке 4; из этой точки провести линию 4—/, параллельную оси абсцисс. Отрезок 5—4 соответствует току в цепи, а отрезки /—2 и /— 3 — напряжениям на участках (соответственно U\ и t/2).

Падение напряжения на вентиле, соответствующее номинальному прямому току /пр.шм называют остаточным напряжением UOCT. Величина этого напряжения составляет 0,5 -т- 2 б. При уменьшении тока нагрузки до значения /вь,кл, соответствующего точке В характеристики, вентиль возвращается в исходное, т. е. непроводящее, состояние. Основными параметрами динистора являются: напряжение прямого переключения 0„„, ток утечки /ут, соответствующий напряжению ?/пп/2, ток прямого переключения /пп, соответствующий напряжению прямого переключения, номинальный ток /ном> ток выключения 1КЫКЛ, допустимое обратное напряжение Uo6pmax и соответствующий ему обратный ТОК /обр.max-

Как видно из характеристик, терморезистор ТП-2/0,5 имеет пологий участок характеристики, соответствующий напряжению 3,2 -г--т- 3,4 в и току 0,5 ч- 7,5 .ш. Этот участок характеристики используется для стабилизации напряжения.

Транзисторы в схеме работают в насыщенном режиме и в режиме, активном при малых токах на выходе. На базу поступает сигнал нулевого уровня, соответствующий напряжению ниже порога отпирания, или сигнал единичного уровня, соответствующий режиму насыщения транзистора.

По уравнению [7Л = ?/С — Ir строим график, выражающий эту зависимость. При / = 0 напряжение /7Л=УС, т. е. ?/л=120 в. Отложив по оси абсцисс отрезок О А, соответствующий напряжению 120 в, получаем точку А. При °

Разрядники серии РВП и На напряжения 3, 6 и 10 кВ применяются разрядники серии РВП. В серии РВС разрядники на высшие классы напряжения комплектуются из стандартных элементов на более низкие напряжения: 15, 20 и 35 кВ. Для удобства комплектовки введен также элемент, соответствующий напряжению 33 кВ. Каждый элемент разрядников содержит искровые промежутки и диски нелинейного резистора. Четыре последовательных единичных промежутка размещаются в фарфоровом цилиндре и образуют стандартный комплект промежутков, который шунтируется калиброванным карборундовым резистором, обеспечивающим равномерное распределение напряжения промышленной частоты.

Цепи запуска симметричного триггера. Переключение триггера можно вызвать путем подачи запускающего сигнала практически на любой электрод транзистора, не соединенный с корпусом — коллектор нормально запертого транзистора, коллектор нормально насыщенного транзистора, базу нормально запертого транзистора, базу нормально насыщенного транзистора. При этом полярность поданного сигнала должна соответствовать полярности ожидаемого скачка напряжения на данном электроде транзистора. Например, напряжение на базе нормально запертого транзистора положительной равно +?/б. После переключения на этом электроде должен установиться малый уровень отрицательного напряжения — (/Сн, соответствующий напряжению на базе транзистора после его насыщения. Ожидаемая полярность скачка напряжения на базе — отрицательная (от + U6 до — ?/бн). Для переключения триггера путем подачи импульса на базу нормально запертого транзистора полярность импульса должна быть отрицательной. Из всех указанных точек возможного приложения запускающих импульсов самой нежелательной является коллектор нормально насыщенного транзистора. Сопротивление участка коллектор — эмиттер нормаль-

Короткозамыкатель ( 10-4) состоит из основания 3, на котором установлен соответствующий напряжению изолятор 2 с верхним неподвижным контактом 1 (закрыт кожухом), снабженным выводом для присоединения к линии электропередачи. Основание 3 заземлено и при помощи гибкой связи 6 соединено с подвижным контактом (ножом) 8. Подвижный контакт вращается на оси 7 и связан с приводом и замыкающей пружиной 4. Привод размыкает контакты (отводит нож) и ставит нож под защелку, взводя при этом пружину. По сигналу от защиты защелка освобождает нож, и под действием пружины контакты замыкаются, таким

Начальный участок характеристики имеет подъем, соответствующий напряжению зажигания разряда. При токе /amin (порядка 5 мА) устанавливается нормальный тлеющий разряд (см. § 3.1) и в дальнейшем напряжение на приборе незначительно меняется

Если хотя бы на одном из входов действует сигнал «1», соответствующий транзистор переходит в режим насыщения и на выходе появляется «О».

На 5.26 приведен базовый элемент и-МДП, реализующий логическую функцию ИЛЙ-НЕ. При подаче высокого уровня напряжения f/вх > U0 хотя бы на один из входов схемы открывается соответствующий транзистор (УТг или VT2) и на выходе устанавливается низкий уровень и°ых < U0 (логический нуль).

Таким образом, при наличии на входах схемы логического «О» на входе формируется сигнал логической «1» через нагрузку протекает ток. При подаче на один из входов схемы логической «1» соответствующий транзистор открывается; при этом ^Вых = икэн- Следовательно, базовый элемент РТЛ-типа выполняет логическую операцию ИЛИ—НЕ. На 1.14 приведена передаточная характеристика элемента РТЛ-типа при /?к = 640 Ом, Яб = = 450 Ом. ?„ = 3 А. При высоком уровне выходного сигнала запас помехоустойчивости равен приблизительно 0,5 В независимо от числа элементов нагрузки, подсоединенных к выходу. Однако при низком уровне напряжения на выходе помехоустойчивость зависит от этого числа элементов РТЛ.

В исходном состоянии оба транзистора заперты смещением на базы от источника ЕС,. Поскольку эмиттермый повторитель не усиливает и не ин-вертирует напряжение входного сигнала, при подаче на любой -08ыход из входов положительного потенциала (логической «1») соответствующий транзистор открывается и на выходе получается положительный потенциал (логическая «1») того же уровня.

Упрощенная схема двухвходового элемента И-НЕ типа И2 Л, к выходу которого подключен вход следующего элемента, показана на 97, а. Выходом этого элемента является точка А (соединение коллекторов транзисторов VT1 и VT2). Когда на входы XI \лХ2 подан низкий уровень — логический 0, токи, вырабатываемые генераторами тока G7 и G2 в цепях баз транзисторов VT1 и VT2, поступают к источникам напряжения низкого уровня и эти транзисторы закрыты, а на выходе элемента (коллекторы транзисторов VT1, VT2) появляется высокий уровень — логическая 1. Если хотя бы на одном из входов уровень напряжения высокий — логическая 1, открывается соответствующий транзистор и уровень напряжения на выходе становится низким — логический 0.

Электрическая схема двухвходового логического элемента ИЛИ-НЕ типа пМОГ\ показана на 99. Транзистор VT3 с встроенным каналом (с обеднением) и соединенными истоком и затвором выполняет роль нагрузочного резистора, в отличие от него имеет меньшую площадь и, являясь почти генератором тока, улучшает быстродействие элемента. Если на затворы Х1 и Х2 транзисторов VT1 и VT2 с индуцированным каналом (с обогащением), имеющих пороговое напряжение i/jn.nop< подан логический О (О В), они закрыты, уровень напряжения на выходе элемента высокий и соответствует логической 1. Если хотя бы на один из затворов подана логическая 1 (+5 В), соответствующий транзистор открыт, уровень напряжения на выходе элемента низкий и соответствует логическому 0.

Если хотя бы на одном входе имеется логическая единица, т е. потенциал положителен по отношению к опорному напряжению t/on, то соответствующий транзистор окажется открытым, я транзистор Т4 закрытым. Ток /э, протекающий через резистор Ra, замкнется на левую ветвь схемы. В результате на выходе 4/i появится сигнал 1, а на выходе у2 — сигнал 0.

Если хотя бы одно из входных напряжений имеет низкий уровень, например ?/ха=0, то соответствующий транзистор ТЗ закрыт, ток через схему не проходит, и выходное напряжение будет иметь высокий уровень (у=\).

ТТЛ-элементы имеют более высокое быстродействие, чем ДТЛ-элементы и легко реализуются в интегральном исполнении, что обусловливает их широкое применение. ТЛ-элементы выполняют на биполярных и полевых транзисторах. На 13.7 показана схема четырехвходового ТЛ-элемента со связанными коллекторами. При кодировке, показанной на 13.4, б, сигналу «О» на всех входах соответствует высокий потенциал коллектора (точка а), т. е. сигнал «1». При повышении потенциала хотя бы на одном из входов до уровня «1» соответствующий транзистор переходит в режим насыщения, потенциал точки а снижается до уровня «О». Следовательно, схема реализует операцию ИЛИ—НЕ.

Схема И управляется сигналами отрицательной полярности и выдает на выходе сигнал положительного знака. При подаче на любой из входов схемы ИЛИ сигнала отрицательной полярности соответствующий транзистор открывается и по резистору RK протекает ток. Потенциал на выходе схемы становится положительным.

более высокое быстродействие имеют транзисторно-транзисторные ИС. На 7.13, а приведена принципиальная, а на 7.13,6 — функциональная схемы логического элемента И—ИЛИ—НЕ этого типа (микросхема К1ЛР061). В ней диодный ключ, осуществляющий операцию И, заменен многоэмиттерным транзистором; это позволяет увеличить число входов схемы до 12—14 (при использовании расширителей). Операция ИЛИ—НЕ в схеме 7.13, а производится ключом на транзисторах Т\ и Т%. При появлении высокого уровня на любом входе ключа соответствующий транзистор открывается и устанавливается низкий уровень выходного напряжения (точка В). Выходной каскад представляет собой эмиттерный повторитель на транзисторе Tz с нелинейной 'нагрузкой (транзистор Т^). Использование эмиттерного повторителя с малым выходным сопротивлением позволяет логическому элементу работать при значительных нагрузочных емкостях, обеспечивая высокое быстродействие. Среднее время задержки в этих микросхемах может достигать величин порядка 10 не.