Соответствующего транзистора

11.2. Векторная щены в пространстве относительно друг диаграмма ЭДС ма- друга на 120°, то при вращении маг-шины нитного поля в трех фазах будут индуктироваться три ЭДС, одинаковые по амплитуде и частоте, сдвинутые по фазе относительно друг друга также на угол 120 . Чтобы при постоянной частоте вращения ЭДС изменялись по закону, близкому к синусоидальному, магнитная индукция вдоль воздушного зазора, разделяющего магнитопро-воды статора и ротора, должна быть распределена также примерно по синусоидальному закону. В машинах с явновыра-женными полюсами это достигается за счет неодинакового воздушного зазора между сердечником статора и полюсными наконечниками 4 (см. 11.1,6), в машинах с неявновыра-женными полюсами — за счет соответствующего распределения обмотки возбуждения по пазам сердечника статора.

При постоянной скорости вращения ротора, как это следует из приведенной формулы, для обеспечения синусоидальной ЭДС необходимо, чтобы магнитный поток (или магнитная индукция), сцепленный с проводником, также изменялся во времени по синусоидальной зависимости. В реальных условиях это достигается в результате обеспечения синусоидального распределения магнитной индукции в воздушном зазоре машины путем создания соответствующей формы полюсных наконечников для синхронных машин с явно выраженными полюсами и соответствующего распределения обмотки возбуждения вдоль окружности ротора для машин с неявно выраженными полюсами. Подавляющее большинство синхронных генераторов, используемых на практике, является трехфазными генераторами. В этом случае обмотка якоря (статора) генератора выполняется трехфазной. Соединение обмотки якоря может быть выполнено звездой или треугольником.

индуктироваться три ЭДС, одинаковые по амплитуде и частоте, сдвинутые по фазе относительно друг друга также на угол 120 . Чтобы при постоянной частоте вращения ЭДС изменялись по закону, близкому к синусоидальному, магнитная индукция вдоль воздушного зазора, разделяющего магнитопро-воды статора и ротора, должна быть распределена также примерно по синусоидальному закону. В машинах с явновыра-женными полюсами это достигается за счет неодинакового воздушного зазора между сердечником статора и полюсными наконечниками 4 (см. 11.1,6), в машинах с неявновыра-женными полюсами — за счет соответствующего распределения обмотки возбуждения по пазам сердечника статора.

Инжектированные через эмиттерный переход дырки проникают вглубь базы. В зависимости от механизма прохождения носителей заряда в области базы отличают бездрейфовые и дрейфовые транзисторы. В бездрейфовых транзисторах перенос неосновных носите^ лей заряда через базовую область осуществляется в основном за счет диффузии. Такие транзисторы обычно получают описанным выше методом сплавления. В дрейфовых транзисторах в области базы путем соответствующего распределения примесей создается внутреннее электрическое поле и перенос неосновных носителей заряда через базу осуществляется в основном за счет дрейфа. Такие транзисторы, как уже отмечалось, обычно получают методом диффузии примесей.

Местные органы власти постоянно осуществляют мониторинг состояния воздушной среды в своем районе; в местах значительного загрязнения всегда проводятся наблюдения и контроль выбросов ТЭС и других крупных предприятий средствами телеметрии. В чрезвычайных случаях, когда обнаружено серьезное загрязнение воздуха, предприятиям дается указание сократить объем выбросов. Помимо этого, в густонаселенных районах, имеющих высокий уровень загрязнения, может применяться не только контроль выбросов отдельных установок-загрязнителей, но и общий контроль выбросов предприятия в целом. Этот общий контроль выбросов осуществляется путем установления предельно допустимого уровня выбросов в данном районе в целом, обеспечивающего достижение и поддержание стандартов качества окружающей среды, и соответствующего распределения этого общего объема по всем предприятиям в ст-

Моментная производящая функция отличается от обычной тем, что вместо аргумента z используется аргумент е2, Это приводит к тому, что fc-я производная производящей функции дает значение /о-го начального момента соответствующего распределения без фак-ториальных поправок.

соидальной зависимости. В реальных условиях это достигается в результате обеспечения синусоидального распределения магнитной индукции в воздушном зазоре машины путем создания соответствующей формы полюсных наконечников для синхронных машин с явно выраженными полюсами и соответствующего распределения обмотки возбуждения вдоль окружности ротора для машин с неявно выраженными полюсами. Подавляющее большинство синхронных генераторов, используемых на практике, является трехфазными генераторами. В этом случае обмотка якоря (статора) генератора выполняется трехфазной. Соединение обмотки якоря может быть выполнено звездой или треугольником. Частота ЭДС, наводимой в каждой фазе обмотки якоря синхронного генератора, находится в строгой зависимости от числа пар полюсов р и частоты вращения (числа оборотов) но ротора:

При постоянной скорости вращения ротора, как это следует из приведенной формулы, для обеспечения синусоидальной ЭДС необходимо, чтобы магнитный поток (или магнитная индукция), сцепленный с проводником, также изменялся во времени по синусоидальной зависимости. В реальных условиях это достигается в результате обеспечения синусоидального распределения магнитной индукции в воздушном зазоре машины путем создания соответствующей формы полюсных наконечников для синхронных машин с явновыраженыыми полюсами и соответствующего распределения обмотки возбуждения вдоль окружности ротора для машин с неявно выраженными полюсами. Подавляющее большинство синхронных генераторов, используемых на практике, является трехфазными. В этом случае обмотка якоря (статора) генератора выполняется трехфазной. Соединение обмотки якоря может быть выполнено звездой или треугольником.

Применение осветительной арматуры вызывается необходимостью соответствующего распределения или направления светового потока. В одних случаях это требуется для создания сосредоточенного направленного светового потока, в других случаях — для создания перераспределенного светового потока источников света путем отражения его от матовых или зеркальных поверхностей, а также путем применения специальных оптических систем.

Для разъяснения принципа усиления электрических сигналов с помощью полупроводников мы рассмотрим только один из типов полупроводниковых триодов, схематически изображенный на 445. Он представляет собой кристалл германия, в котором при помощи соответствующего распределения двух примесей созданы три области с чередующимися типами проводимости: дырочной — электронной — дырочной, между которыми находятся два р — /г-перехода. Кристалл соединен с соответствующими металлическими электродами, с помощью которых триод включают в схему, показанную на 445.

картины соответствующего распределения для незаземленного диполя ( 509). Поэтому и картина распределения поля в волне заземленной антенны изображается верхней половиной 525, лежащей над плоскостью симметрии аа. Она показана на 545. Силовые линии электрического поля в этом случае замыкаются в воздухе только

Бестрансформаторный усилитель мощности. Усилитель мощности является обычно выходным усилителем, предназначенным для передачи в нагрузочное устройство требуемой мощности, получение которой обеспечивается прежде всего выбором соответствующего транзистора. При выбранном транзисторе и заданном усиливаемом сигнале получение максимальной или заданной мощности в нагрузочном устройстве возможно только при соответствующем согласовании сопротивления нагрузочного устройства и выходного сопротивления усилителя мощности. Если необходимо получить максимальную мощность от усилите-

Получение требуемой мощности в нагрузочном устройстве обеспечивается прежде всего выбором соответствующего транзистора. При выбранном транзисторе и заданном источнике усиливаемого сигнала получение максимальной мощности в нагрузочном устройстве возможно лишь тогда, когда его сопротивление равно выходному сопротивлению усилительного каскада, т. е. при равенстве сопротивлений генерирующего и приемного устройств.

Исчезновение единичного • значения в Y сигнализирует об исчезновении соответствующего транзистора в В.

Столбцы матрицы М разделены на 11 секций. Каждая секция оппеделяет условия для набора, проверяющего исчезновение соответствующего транзистора. Для каждой из этих секции в проверочной матрице X должен найтись столбец — входной набор, принадле-

Если хотя бы один из входных сигналов (Xi или Хг) принял значение «1», то коллекторный ток транзистора Т3 переключается в цепь соответствующего транзистора (7\ или Те); при этом транзистор Т2 выключается. Падение напряжения на резисторе R2 близко к нулю, на Ri появляется отрицательное напряжение, передаваемое каскадом на транзисторе Ть на выход у2. Появление этого напряжения может быть вызвано любым из входных сигналов, т. е. у2 = Xi + X2. Выход г/i является инверсным относительно выхода у2; yl = Xi + Х2. На выходе уг реализована функция ИЛИ, на выходе г/i — функция ИЛИ—НЕ, из-за чего данный элемент можно отнести к классу универсальных логических элементов. Логическую функцию, выполняемую элементом в целом, обозначают ИЛИ/ИЛИ—НЕ.

Простейший, исторически первый, вариант логических ИМС типа ТЛНС показан на 11.8. Нетрудно убедиться, что данная схема позволяет реализовать функцию ИЛИ — НЕ. Любой из входных сигналов положительной полярности (положительная логика) будет инвертирован на выходе (у = х, + xz + xa). Действительно, поступление хотя бы на один вход сигнала положительной полярности приводит к отпиранию соответствующего транзистора и переходу его в режим насыщения. При этом резко возрастает падение напряжения на общем для всех транзисторов нагрузочном сопротивлении Ra, а выходное напряжение ?/ЕЫХ = ?/в.п — /к#н. понизится практически до нуля. Таким образом, высокий уровень напряжения на входе, соответствующий логической единице, приводит к снижению напряжения на выходе схемы до уровня логического нуля. В отрицательной логике, т. е. в том случае, когда на вход (входы) поступает напряжение отрицательной полярности, схема, построенная на транзисторах типа прп выполняет функцию И — НЕ: высокий уровень напряжения на выходе будет только при условии, что все три транзистора заперты, т. е. на все входы поступили сигналы низкого уровня. Изменение характера выполняемой функции при замене положительной логики на отрицательную (и наоборот) является общим свойством логических схем, в чем нетрудно убедиться при дальнейшем рассмотрении их разновидностей.

*) Напомним, что условием баланса моста является равенство произведений сопротивлений противолежащих плеч, т. е. в нашем случае #к1^общ2 ~ = ЯкАбщ 1 (гДе Я0бщ 1 = Яобщ2 —• сумма внутреннего сопротивления соответствующего транзистора, сопротивления Кэ и сопротивления части резистора Я„).

Если хотя бы один из входных сигналов (Xt или _Х2) принял значение «1», то коллекторный ток транзистора Т3 переключается в цепь соответствующего транзистора (7\ или Ts), а при этом транзистор Т2 выключается. Падение напряжения на резисторе /?2 близко к нулю, на ^j появится отрицательное напряжение, передаваемое каскадом на транзисторе Т& на выход уг. Появление этого напряжения может быть вызвано любым из входных сигналов, т. е. Выход i/j является инверсным по отношению к выходу

где /«о max — максимальное значение обратного тока коллекторного перехода соответствующего транзистора.

Длительность спада импульсов выходного напряжения мультивибратора в основном определяется тем, что после запирания соответствующего транзистора, например Tz, через его нагрузку /?К2 проходит ток заряда конденсатора Са (кривая 1 на 95, б).

Тиристор. Второй способ включения четырехслойной структуры реализован в тиристоре. Для этого в нем имеется вывод от одной из баз эквивалентных транзисторов Т, или Т2. Если подать в одну из этих баз ток управления, то коэффициент передачи соответствующего транзистора увеличится и произойдет включение тиристора.