Соответствующего материала

Критерием соответствия фактических показателей эксплуатационной надежности оборудования технико-экономическим требованиям отрасли является достижение рационального уровня надежности, соответствующего максимуму дополнительного экономического эффекта во время эксплуатации за счет повышения надежности [57, 76].

При ф = 90° ( 9.8, б и 9.9, б) ток в фазе АХ достигает максимума на четверть периода позднее момента, соответствующего максимуму ЭДС Ей. За это время полюсы ротора переместятся на половину полюсного деления, вследствие чего кривая Д, = f(x) сместится относительно кривой В„ = f(x) на 180°. При этом поток якоря Фа действует по продольной оси машины против потока возбуждения Фв; результирующий поток ФРе3=ф„ — фа сильно уменьшается, вследствие чего уменьшается и ЭДС якоря Е. Таким образом, при ф =

При создании оперативных ЗУ большой емкости необходимо обеспечивать идентичность характеристик ферритовых сердечников, используемых в запоминающем массиве. Для этого ограничивают допуск на разброс геометрических размеров сердечников и их электрических характеристик. С этой целью разработаны различные способы испытаний сердечников, учитывающие условия их работы в реальных запоминающих устройствах. Широкое распространение получил способ, который основан на измерении амплитуд и длительностей выходных сигналов сердечников после разрушающих воздействий частичных возбуждемй. Сигналами, подлежащими контролю, являются сигнал «неразрушенной» единицы (uVi) и сигнал «разрушенного» нуля (dVz). Кроме того, измеряются длительность сигнала (?s), время достижения максимума (/р) сигнала uV\ и отношение величины частичного тока возбуждения /в, при котором начинается разрушение информации, к полному току 1т- Последняя характеристика называется также «импульсной квадратностью». Длительность сигнала ts представляет собой время, в течение которого сигнал uVi превышает уровень, состаьляющий 10% амплитудного значения. Время /р измеряется от момента достижения сигналом uV\ на переднем фронте значения, составляющего 10% максимального, до момента, соответствующего максимуму этого сигнала ( 4-5).

Для нахождения скольжения s = sm, соответствующего максимуму Рэм) берем от (20-25) производную по s и приравниваем ее нулю:

На ' 4.9 (нижняя часть диаграммы) показаны электрические характеристики ДСП. Из рисунка видно, что с увеличением тока электрический КПД печи и ее коэффициент мощности падают, а потери в токопод-воде и трансформаторе РЭЛ.П растут пропорционально квадрату тока, полезная же Рд и активная Ракт мощности печи сначала растут, а затем, пройдя максимум, вновь начинают уменьшаться. Поэтому увеличивать ток печи сверх предела, соответствующего максимуму полезной мощности (ток /"), нецелесообразно, так как при этом электрические потери будут все больше увеличиваться, в то время как электрический КПД, cos ф и производительность печи станут уменьшаться. Однако и ток /" также невыгоден, так • как кривая Рд у вершины идет полого, а Рэл,ш наоборот, круто, и поэтому надо сдвинуть рабочую точку влево, в более экономичный режим, например при токе /оп. Для более точного определения рационального режима работы ДСП надо построить рабочие характеристики печи. Их построение показано на 4.9 вверху.

При создании оперативных ЗУ большой емкости необходимо обеспечивать идентичность характеристик ферритовых сердечников, используемых в запоминающем массиве. Для этого ограничивают допуск на разброс геометрических размеров сердечников и их электрических характеристик. С этой целью разработаны различные способы испытаний сердечников, учитывающие условия их работы в реальных запоминающих устройствах. Широкое распространение получил способ, который основан на измерении амплитуд и длительностей выходных сигналов сердечников после разрушающих воздействий частичных возбуждений. Сигналами, подлежащими контролю, являются :игнал «неразрушенной» единицы (uVi) и сигнал «разрушенного» нуля (dVz). Кроме того, измеряются длительность сигнала (^5), время достижения максимума (^р) сигнала uV\ и отношение величины частичного тока возбуждения /в, при котором начинается разрушение информации, к полному току /т. Последняя характеристика называется также «импульсной квадратностью». Длительность сигнала ts представляет собой время, в течение которого сигнал uVi превышает уровень, составляющий 10% амплитудного значения. Время ?р измеряется от момента достижения сигналом uV\ на переднем фронте значения, составляющего 10% максимального, до момента, соответствующего максимуму этого сигнала ( 4-5).

От сечения, соответствующего максимуму кривой концентрации ионов ( 2-5, г), большая часть их под действием поля дрейфует к катоду, участвуя вместе с фотонами и метастабильными атомами в процессе ионно-электронной эмиссии. Меньшая их доля диффундирует благодаря наличию градиента концентрации в направлении к аноду.

предела, соответствующего максимуму полезной мощности (в данном случае 12,7 ка); при дальнейшем повышении тока будут увеличиваться лишь электрические потери, а электрический к. п. д., cos
= - _ , соответствующего максимуму активной мощности.

В основу схемы алгоритма поиска оптимального SH ( 7.3) положены предварительные исследования'( 7.4) зависимостей йм = = / (SH). kn = / (SH), r\ = f (SH). Очевидно, оптимальным будет меньшее из трех значений скольжения SH: скольжения sH1, соответствующего максимуму т] без учета ограничений по &м и kn\ наибольшего ско-льжения sH2, при котором еще ?м > kMMZ, и наибольшего скольжения SBS, При КОТОРОМ еще kn ^ &п.зад-

39.2. Как найти величину зазора d постоянного магнита, соответствующего максимуму энергии?

По расчету цепей методом контурных токов, изложенным в теории цепей постоянного тока, после изучения соответствующего материала учебника и повторения доказательства предлагается сначала вкратце изложить суть и область его применения. В правильном ответе, приведенном в конце книги, излагается основное: «В методе контурных токов каждому независимому контуру (проще всего элементарному) приписывается контурный ток 1А, IB, ....и его направление (проще всего одинаковое, например, по часовой стрелке), контурная э. д. с. SA, $ в, ..., равная, по этому направлению алгебраической сумме э. д. с. источников, входящих в контур, и контурное сопротивление RA, KB, ••-, равное сумме его сопротивлений. Тогда для каждого из N независимых контуров составляется по второму закону Кирхгофа уравнение, которое при одинако-

Учебное пособие состоит из 16 глав по основным вопросам электротехники, в каждую из которых, помимо теории, включены численные решения типовых задач с основными положениями и формулами, облегчающими понимание соответствующего материала. Такая форма изложения особенно важна для студентов, изучающих курс электротехники и основ электроники самостоятельно, а также на вечерних и заочных отделениях вузов.

готовиться к работе по дальнейшему совершенствованию защит. В учебнике приводятся краткие данные о вкладе отдельных (преимущественно отечественных) специалистов в развитие техники защиты, причем отмечаются в основном те, кто внес вклад в развитие собственно принципов выполнения защит. Для сокращения списка литературы в него включены только книги и монографии, характеризующие этапы развития техники защиты или необходимые для более глубокого изучения вопроса. Ссылки на статьи даны в исключительных случаях, если соответствующего материала нет в книгах.

Стеклянные (К21), стеклокерамические (К22) и стеклоэмалевые (К23) конденсаторы. Их относят к группе конденсаторов с неорганическим диэлектриком. Конденсатор состоит из тонких слоев соответствующего материала, на которые нанесены электроды в виде тонких пленок. Для придания конструкции монолитности такой набор спекают при высокой температуре. Хотя диэлектрическая проницаемость стекла невелика, малая толщина диэлектрика и большое число слоев позволяют получить емкость в несколько тысяч пикофарад при небольших габаритах. Отличительной чертой стеклянных конденсаторов является их высокая теплостойкость. Их можно эксплуатировать при температурах до 150— 300 °С.

Поэтому рабочее напряжение (Ур конденсатора обеспечивается выбором соответствующего материала диэлектрика с определенным значением ?„р и необходимой толщиной диэлектрического слоя d.

Необходимо отметить, что значение напряженности поля, обусловливающего поток индукции в сердечниках, будет меньше напряженности внешнего магнитного поля вследствие размагничивающего действия сердечников. Поэтому под дифференциальной проницаемостью следует здесь понимать не проницаемость самого материала, а проницаемость сердечника из соответствующего материала (проницаемость формы).

При перевозке РЭА на подрессоренном транспорте (автомобильный и железнодорожный) необходимо учитывать, что эти транспортные средства уже имеют виброизолирующее звено — рессоры, которое снижает эффект передачи внешних силовых воздействий. Как правило, частоты собственных колебаний транспортных средств на рессорах значительно ниже частот возбуждающих колебаний, определяемых профилем дороги, поэтому нет необходимости в дополнительных амортизаторах для РЭА и можно ограничиться выбором соответствующего материала упаковки. Для того чтобы защита оборудования при этом была эффектив-

Эфиры целлюлозы в производстве электроизоляционны с лаков имеют ограниченное применение. Известны лаки на основе пластифицированной нитроцеллюлозы, применяющиеся для лакировки некоторых видов проводов и для окраски изделий (нитроэмали), а также лаки на основе пластифицированной этилцеллюлозы для лакировки некоторых монтажных проводов и проходов специального назначения. Эфироцеллюлозные лаки являются растворами соответствующего материала в смеси ацетатов со спиртами. Они относятся к лакам холодной сушки.

Материал контактной маски (медь, алюминий, никель, окись висмута, фоторезист) должен выдерживать процесс нанесения тон-, кой пленки, не испаряясь и не взаимодействуя с осаждаемым материалом; обладать малым коэффициентом диффузии, легко удаляться с подложки способами, не влияющими на свойства материала тонкой пленки. В зависимости от материала контактной маски существует два варианта этого метода. Сущность первого варианта ( 10-19) состоит в том,, что на подложку ИМС наносят слой, фоторезиста, экспонируют и проявляют его, открывают требуемые участки подложки, а затем на полученное рельефное изображение наносят сплошной слой материала тонкоплецочной схемы. Обработка полученной заготовки растворителем для фоторезиста приводит к удалению участков материала, лежащих на фоторезисте, а на подложке остаются элементы схемы требуемой конфигурации. Второй вариант ( 10-20) заключается в том, что на подложку ИМС вначале наносят слой материала контактной маски, на него — слой фоторезиста и проводят процесс аналогично первому варианту, удаляя затем с открытых мест материал контактной маски в соответствующем травителе. При этом открываются заданные места поверхности подложки. Затем снимают фоторезист и на подложку с контактной маской наносят сплошной слой соответствующего материала. Если полученную заготовку обработать в травителе для контактной маски, то результат будет тот же, что и в первом варианте. Второй вариант сложнее, используется при невозможности применения других способов из-за жестких условий нанесения материалов тонкой пленки (например, • при очень высоких температурах подложки, ионно-плазменном распылении материалов и т. д.) или в тех случаях, когда материал тонкопленочной схемы трудно поддается травлению (например/ при изготовлении резисторов из ниобия, тантала или металлодиэлектрических смесей типа Qr—SiO).

Исследовалось большое количество материалов е целью возможного использования их в качестве пленочных резисторов. В большинстве случаев выбор соответствующего материала пленки зависит от организации производства и имеющегося опыта. Однако ряд материалов оказался определенно предпочтительнее, напри-

цесс, аналогичный первому варианту, удаляя с открытых мест материал контактной маски соответствующим травителем. При этом открываются определенные места поверхности подложки. Затем снимают фоторезист, и на подложку с контактной маской наносят сплошной слой соответствующего материала. Если полученную заготовку обработать в травителе для контактной маски, то результат будет тот же, что и в прямом варианте. Косвенный вариант сложнее, используется при невозможности применения других способов из-за жестких условий нанесения материалов тонкой пленки (например, при очень высоких температурах подложки, ионно-плазменном распылении материалов и т. д.) или