Семейству характеристик

Е:сли периодически и весьма медленно изменять напряженность от + Я,„ до — Н1т, то после нескольких циклов перемагничивания магнитная индукция будет изменяться в пределах от + В1т до - В1т в соответствии с кривой / на рис 6.7, а, называемой статической петлей магнитного гистерезиса. При разных пределах изменения напряженности получим семейство статических симметричных петель магнитного гистерезиса. Существуют некоторые напряженности + Нт = +Н„ и — Н„ = — Я5, при превышении которых площадь, ограниченная петлей гистерезиса, остается постоянной. Петля гистерезиса 2 называется в этом случае предельной, а магнитная индукция Bs — индукцией технического насыщения. Значения В, и Нс определяются по предельной петле гистерезиса.

либо магнитномягкого материала семейство статических петель гистерезиса, то вершины петель расположатся на кривой, называемой основной кривой намагничивания ] данного материала. Эти кривые часто называются просто кривыми намагничивания и приводятся в справочниках. В качестве примера на рис 2-3 приведены такие кривые намагничивания.

Характеристики транзистора описывают связь между напряжениями и токами на входе и выходе транзистора для различных способов включения транзистора в схему. При построении характеристик применяется следующий принцип: одну из четырех величин (входной ток, входное напряжение, выходной ток и выходное напряжение) выбирают в качестве аргумента (независимая переменная), другую—в качестве функции (зависимая переменная). Из оставшихся двух величин одну поддерживают постоянной, другую оставляют свободной Задавая различные значения фиксированной величине, получают семейство статических характеристик транзистора.

На 7.9 изображено семейство статических выходных характеристик полевого транзистора: ток в цепи стока /с в функции напряжения на стоке ?/Си при различных значениях напряжения затвора ?/зи и R н=0. Каждая характеристика имеет два участка —• омический (для малых t/си) и насыщения (для больших f/си). При ?/зи = 0 с увеличением напряжения t/си ток /с вначале нарастает почти линейно, однако далее характеристика перестает подчиняться закону Ома: ток /с начинает расти медленно, ибо его увеличение приводит к повышению падения напряжения в канале и потенциала вдоль канала. Это происходит вследствие уменьшения тол-

7.9. Семейство статических 7:10. Характеристики прямой выходных характеристик полевого передачи,

1. Снять семейство статических входных и выходных характеристик транзистора типа р-п-р, включенного по схеме с общим эмиттером, и определить по ним характеристические /i-параметры.

плитуду переменной составляющей напряжения на нагрузке [/тд; ж) модуль коэффициента усиления каскада К; з) выходную мощность РВЫХ, мощность, выделяемую в нагрузке постоянной составляющей анодного тока, РЯо; и) мощность, рассеиваемую анодом; к) КПД анодной цепи. Решение. 1. На семейство статических анодных характеристик наносим линию максимально допустимой мощности, рассеиваемой анодом, Р&тах (у триода 6С1П максимально допустимая мощность Ратож=1,8 Вт, 4.10).Для

нов и дырок, создающих токи во внешних цепях. Обычно транзистор удобно рассматривать как четырехполюсник, т. е. как устройство, имеющее два входных и два выходных зажима, как показано на 2.10: В этом случае транзистор характеризуется четырьмя величинами: входным напряжением, приложенным между внешним зажимом эмиттера и базой: ?Л = t/вх; входным током в цепи эмиттера /э=/вх; выходным током в цепи коллектора /к=/вых; выходным напряжением, приложенным между внешним зажимом коллектора и базой: [А = 6Ux. Зависимость между перечисленными токами и напряжениями можно найти аналитически или определить экспериментально. Если эту зависимость найти для постоянных токов и напряжений и представить в графической форме, то можно получить семейство статических в.а.х. транзистора. Наиболее типичными являются коллекторные и эмиттерные в.а.х.

На 15.8, а приведено семейство статических вольт-амперных характеристик вакуумных фотоэлементов. Нижняя характеристика соответствует темновому току (в абсолютной темноте). Световые характеристики вакуумных фотоэлементов представлены на 15.8, б. Характеристика 1 относится к сурьмяно-цезиевым фотоэлементам с металлической подложкой, а характеристика 2 — к кислородно-цезиевым (табл. 15.1).

Ямако какого-либо магнитно-мягкого материала семейство статических петель гистерезиса, то вершины петель расположатся на кривой, называемой основной кривой намагничивания5 данного материала. Эти кри*

2.11. Схема измерения остаточного лапряжения и выключающего тока (а), включающих напряжения и тока (б) и семейство статических характеристик тиристора (в).

/расч, соответствующему /Р=&сх/к,вн/#/ном, однозначно по обычно имеющемуся семейству характеристик t=f(Ip) используемого органа тока выбирают характеристику п-й защиты и получают выдержки времени для других мест 200

Семейство вольт-амперных характеристик полевого транзистора представлено на 22-11. Оно подобно семейству характеристик биполярного транзистора на 22-7, только управляющим сигналом является не ток базы, а напряжение затвора 1/з.

Указанные особенности транзистора позволяют представить его схему замещения так, как это показано на 5, 8, а. На этой схеме зависимый источник тока at'a учитывает влияние эмиттерного тока на цепь коллектора, а сопротивления гэ, гб и гк определяются по заданному семейству характеристик транзистора.

По семейству характеристик намагничивания ( 2-6) можно определить действительную напряженность магнитного поля для рассматриваемого сечения зубца по расчетной индукции B'3zx и пазовому коэффициенту knx и в случае необходимости действительную индукцию Вйгх.

ному /„, соответствующему /р = kcxrK.3fn^, однозначно по имеюще-муся семейству характеристик используемого реле выбирают характеристику n-й защиты и получают выдержки времени для других мест и токов к. з.

По семейству .характеристик 6Ж9П найдём, что яри Ua9, равном напряжению источника питания оконечного каскада, т. е. 150 в, для получения /ао=15,5 ма необходимо отрицательное смещение на управляющей сетке 1,5 а. Отсюда сопротивление катодного смещения

Ток экранирующей сетки резко растёт при уменьшении анодного напряжения. Поэтому, когда напряжение на управляющей сетке близко к нулю, ток экранирующей сетки сильно возрастает, так как напряжение на аноде лампы при этом минимально. В результате наибольшая мощность на экранирующей сетке выделяется при максимальной амплитуде сигнала; эта мощность равна произведению среднего значения тока экранирующей сетки / э ср на напряжение на ней. Значение 1ЭСр можно найти по ф-ле (4.27) для 1Ср, подставляя в неё значения тока экранирующей сетки /э Макс< Аэ1> laz' fa мин> соответствующие точкам нагрузочной прямой, используемым для расчёта коэффициента гармоник. Указанные значения тока экранирующей сетки находят по семейству характеристик тока экранирующей сетки для напряжений на аноде и управляющей сетке, имеющих место в каждой из точек.

Как указывалось на стр. 149, для упрощения анализа трансформаторного каскада, работающего в режиме В, удобно привести его схему к одной половинке первичной обмотки выходного трансформатора и считать, что на эту половинку работает один усилительный элемент в течение всего периода сигнала. Все расчёты тогда можно будет производить для половины периода сигнала по семейству характеристик одного усилительного элемента, получая при этом данные, относящиеся ко всему каскаду за период.

Для получения возможно большего усиления зададимся высоким значением Ra, возьмём ориентировочно Яо = 390 ком и найдём графически по семейству характеристик лампы в координатах ia, ua при ?0=200 в, ,Ra=39Q ком и Uca= — 1 в значения: /ао«3- 10~4 a; Uaa = 80 в; Яо = 267 • 103 ом; RI = 125- 103 ом.

По семейству характеристик 6.Ж9П найдём, что при U30 , равном напряжению источника питания оконечного каскада, т. е. 150 в, для получения /оо =15,5 ма необходимо отрицательное смещение на управляющей сетке 1,5 в. Отсюда сопротивление катодного смещения

Ток экранирующей сетки резко растёт при уменьшении анодного напряжения. Поэтому, когда напряжение на управляющей сетке близко к нулю, ток экранирующей сетки сильно возрастает, так как напряжение на аноде лампы при этом минимально. В результате наибольшая мощность на экранирующей сетке выделяется при максимальной амплитуде сигнала; эта мощность равна произведению среднего значения тока экранирующей сетки la Cp на напряжение на ней. Определение /я ср производят по ф-ле (4.27) для 1Ср> подставляя в неё значения тока экранирующей сетки /э Жалс)/э1,/эо,/92.^эл(ин> соответствующие пяти точкам нагрузочной прямой, используемым для расчёта коэффициента гармоник. Указанные значения тока экранирующей сетки находят по семейству характеристик тока экранирующей сетки для напряжений на аноде и управляющей сетке, имеющих место в каждой из точек.