Соответствует рекомендациям

Работу транзистора в режиме ключа рассмотрим на примере биполярного транзистора с ОЭ ( 10.98, а). Если постоянное напряжение на входе ключа 1/вх < 0, то токи в цепях коллектора и базы практически одинаковые и равны току через обратно включенный р-п переход между базой и коллектором. Этот режим соответствует разомкнутому положению ключа ( 10.98, б, точка М). При постоянном напряжении U > 0 и токе базы больше тока насыщения /Бнае ток коллектора практически равен ЕК/ГК ( 10.98, б, точка N). Этот режим соответствует замкнутому положению ключа.

Работу транзистора в режиме ключа рассмотрим на примере биполярного транзистора с ОЭ ( 10.98, а). Если постоянное напряжение на входе ключа ?/вх < 0, то токи в цепях коллектора и базы практически одинаковые и равны току через обратно включенный р-п переход между базой и коллектором. Этот режим соответствует разомкнутому положению ключа ( 10.98, б, точка М). При постоянном напряжении t/BX > 0 и токе базы больше тока насыщения /Бнас ток коллектора практически равен ЕК/ГК ( 10.98, б, точка N). Этот режим соответствует замкнутому положению ключа.

Работу транзистора в режиме ключа рассмотрим на примере биполярного транзистора с ОЭ ( 10.98, а). Если постоянное напряжение на входе ключа U < 0, то токи в цепях коллектора и базы практически одинаковые и равны току через обратно включенный р-п переход между базой и коллектором. Этот режим соответствует разомкнутому положению ключа ( 10.98, б, точка Л/). При постоянном напряжении ?/вх > 0 и токе базы больше тока насыщения /Биас ток коллектора практически равен ЕК/ГК ( 10.98, б, точка N). Этот режим соответствует замкнутому положению ключа.

Обратным током эмиттера можно пренебречь ввиду его малости по сравнению с обратным током коллектора. Ток базы имеет обратный знак, а по абсолютному значению равен току /Кбо ( 49, а). Уменьшение базового тока до нуля не обеспечивает полного запирания транзистора, так как при /6 = 0 по цепи коллектора будет протекать ток /к~Р/кб, который может быть значительным (точка А') (см. 48). В цепи коллектора протекает только обратный ток /к = /кбо, и напряжение на коллекторе ?/кэ— — (Ек — 1КбоЯк) « — ЕК, Внутреннее сопротивление транзистора в режиме отсечки велико. На семействе выходных характеристик режим отсечки соответствует нижнему пологому участку, на котором ток коллектора /к = /кбо. Так как токи, протекающие через транзистор, малы, то закрытое состояние транзистора соответствует разомкнутому состоянию ключевого элемента.

Окончательное уравновешивание цифрового моста всегда производится автоматически по командам со стороны управляющего устройства УУ и сравнивающего устройства СУ. Ключи в четвертом плече моста выполняются обычно с использованием кремниевых транзисторов, работающих в режиме отсечки, что соответствует разомкнутому состоянию ключа, или в режиме глубокого насыщения, что соответствует замкнутому состоянию ключа.

§ 12.7. Подключение разомкнутой на конце линии к источнику постоянного напряжения. В линии без потерь, так же как и в колебательном контуре без потерь, при подключении к источнику послу, янной ЭДС возникают незатухающие колебания. Период колеба^-, ний состоит из четырех частей или стадий ( 12.3, а — г$. одинаковой продолжительности l/v, где / — длина линии, v — CKOj-рость распространения волны. Для рассмотрения этих стадий вое,' пользуемся двумя различными схемами замещения. Первая схема ( 12.4, а) соответствует разомкнутому концу линии (ZH = oo), когда к нему подходит падающая от начала линии волна. Вторая схема ( 12.4, б) соответствует моменту времени, когда отраженная волна подошла к началу линии, где включен генератор постоянного напряжения, внутреннее сопротивление которого полагаем равным нулю(7н=0).

§ 12.7. Подключение разомкнутой на конце линии к источнику постоянного напряжения. В линии без потерь, так же как и в колебательном контуре без потерь, при подключении к источнику постоянной э. д. с. возникают незатухающие колебания. Период колебаний состоит из четырех частей или стадий ( 12.3) одинаковой продолжительности l/v, где / — длина линии, и — ско- #) ! рость распространения волны. Для рассмотрения этих стадий воспользуемся двумя различными схемами замещения. Первая схема ( 12.4, а) соответствует разомкнутому концу линии (Zf! = оо), когда к нему л-) подходит падающая от начала линии волна. Вторая схема ( 12.4, б) соответствует моменту времени, когда отраженная волна подошла к началу линии, где включен генератор постоянного напряжения, внутреннее сопротивление которого пола- g) гаем равным нулю (ZH = 0).

ной ветви — схема 3.4,6, для зоны пробоя — схема 3.2,6. Поскольку значения еоя и гпр малы, то простейшая схема включенного диода—короткозамкнутый отрезок проводника. Так как значение Is очень мало, а Ro6f—велико, простейшая эквивалентная схема выключенного диода соответствует разомкнутому ключу, а эквивалентная схема диода в зоне пробоя—схеме источника постоянного напряжения ?/про6.

Рассмотрение выходных характеристик лампы (см. 3.50) показывает, что при ыак<:0 (а = 0- При отрицательных напряжениях на аноде лампа не проводит, и статическая эквииалентная схема выходной цепи при иак < 0 соответствует разомкнутому ключу. В. а. х. лампы ia = f(uaK) находятся в первом квадранте; ток /а существенно зависит от напряжения на сетке иск. Поскольку, как уже отмечалось, при положительном напряжении входного источника и ^вых^^ск напряжение на сетке фиксируется на уровне, близком к нулю, то представляет интерес характеристика <'а = /(«ак) ПРИ иск = 0> отражающая зависимость выходного тока лампы при положительной полярности источника входного напряжения ( 3.53). Аппроксимируя эту характеристику ломаной линией, приходим кэкви-

что соответствует разомкнутому ключу с весьма малой собственной проводимостью. Таким образом, полевой транзистор можно использовать как ключ, управляемый напряжением на затворе. Такой ключ способен пропускать достаточно большой ток (до 10 А и выше). Уменьшить сопротивление канала можно параллельным включением транзисторов с общим управляющим напряжением, чем обычно и пользуются при создании силовых ключей. Схема замещения ключа на полевом транзисторе приведена на 5.6 б.

На 35.6 представлено реле с оптоэлектрон-ной развязкой, выполненное на основе фототранзистора КГр. При отсутствии сигнала управления ^упр на входе фототранзистора VT_ все транзисторы выключены, что соответствует разомкнутому состоянию цепи нагрузки. Включение реле осуществляется подачей маломощного сигнала управления "упр- Функции оптоэлектронной развязки могут выполнять различные типы оптоэлектронных пар (фотодиодная, фоторезисторная и др.).

Установочные и присоединительные размеры. Высоты оси вращения h электрических машин с горизонтальной осью вращения, равные расстоянию от оси вращения до опорной плоскости машины, регламентированы ГОСТ 13267—73, который соответствует рекомендациям СЭВ по стандартизации PC 3030—71, Публикациям МЭК 72, МЭК 72А и ИСО Р496.

Напряжение питания не всегда соответствует рекомендациям ГОСТов и нормируется для разных серий от 5 до 40 В положительной и отрицательной полярности. Такой разброс затрудняет использование ИС различных серий в промышленной аппаратуре.

Установочные и присоединительные размеры. Высоты оси вращения h электрических машин с горизонтальной осью вращения, равные расстоянию от оси вращения до опорной плоскости, машины, регламентированы ГОСТ 13267—73, который соответствует рекомендациям СЭВ по стандартизации PC 3030—71, Публикациям МЭК 72, МЭК 72А и ИСО Р496.

соответствует рекомендациям, где

соответствует рекомендациям, где

соответствует рекомендациям, где

соответствует рекомендациям, где В'п < 1,6 -f- 1,7 Т.

соответствует рекомендациям, где

соответствует рекомендациям, где Д. « 1,4 -г 1,5 Т.

что соответствует рекомендациям.

Двигатели имеют стандартную шкалу мощностей, применяемую при всех частотах вращения: 0,06; 0,09; 0,12; 0,18; 0,25; 0,37; 0,55; 0,75; 1,1; 1,5; 2,2; 3,0; 4,0; 5,5; 7,5; 11,0; 15,0; 18,5; 22; 30; 37; 45; 55; 75; 90; ПО; 132; 160; 200; 250; 315; 400. Шкала высот осей вращения (над фундаментной плитой) соответствует рекомендациям МЭК: 50, 56, 63, 71, 80, 90, 100, 112, 132, 160, 180, 200, 225, 250, 280, 315, 355.